Geトランスインピーダンス増幅フォトディテクター


  • Ge Detector Type
  • Switchable Amplified Detectors with Output up to 10 V
  • Wavelength Range from 800 - 1800 nm

PDA50B2

Detector with Ø1" Lens
Tube Attached to a 30 mm
Cage System

Power Supply Included with Detector

PDA30B2

Related Items


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photo detector power supply
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PDA30B2と付属の電源。
Removable Internal SM1 Adapter
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各ディテクタにはSM05内ネジおよびSM1外ネジが付いており、SM1内ネジ付きアダプタSM1T1と固定リングSM1RRが取り付けられています。

特長

  • 検出範囲： 800～1800 nm
  • 低ノイズ、広帯域増幅
  • 帯域：DC～510 kHz、またはDC～590 kHz
  • 0～10 V出力
  • SM1シリーズおよびSM05シリーズの製品に対応
  • リニア電源が付属*

ゲルマニウム(Ge)トランスインピーダンス増幅フォトディテクタには切り替え可能な利得設定が特長で、コンパクトな薄型の筐体に収められています。 このディテクタは、800～1800 nmの近赤外スペクトル領域の光に対して高感度です。 薄型の筐体のため、スペースに制約のある光路でもお使いいただけます。 また、全ての接続系や制御系は、光路に対して直角に配置されているので、操作がしやすい設計になっています。 増幅は、低ノイズのトランスインピーダンスまたは50 Ωの抵抗で駆動可能な電圧増幅器によって行われ、 信号は、BNCコネクタ経由で出力されます。このフォトディテクタは、当社のパッシブ型ローパスフィルタとお使いいただけます。このフィルタには50 Ωの入力端子および大きなインピーダンスの出力端子があるので、オシロスコープのようなインピーダンスの大きな測定装置に直接取り付けることができます。 当社では幅広いBNC、BNC-SMA、SMCケーブルやBNC、SMA、SMCアダプタを取り揃えています。

各筐体にはSM1外ネジ、SM05内ネジのほか、垂直または水平にポストの取付けができるようにネジ穴が2つ付いています。このネジ穴はM4ネジと#8-32ネジの両方に対応します。また、内ネジ付きSM1カプラSM1T1と固定リングSM1RRが付属するので、SM1規格のアクセサリ、光学素子、ケージシステム用部品に取り付ける際に便利です。筐体のSM1ネジは、検出素子の前にØ25 mm～Ø25.4 mm(Ø1インチ)の集光レンズやピンホールを取り付ける際にお使いいただけます。SM05内ネジは、外ネジ付きSM05レンズチューブとの接続用です(ファイバーアダプタなどの部品はSM05ネジに接続できません)。多くのSM1ネジ付きファイバーアダプタもこのディテクタとお使いいただけますが、 SM1内ネジ付きファイバーアダプタS120-FC、S120-FC2およびS120-25はフォトダイオードと接触するためこれらのディテクタには対応いたしません。SM1外ネジ付きアダプタは付属のSM1内ネジ付きアダプタを取り付ける必要がありますが、SM1内ネジ付きアダプタは筐体に直接取付け可能です。

ディテクタの検出面が筐体の前面と同一平面にあるため、オプトメカニクスシステム内でのアライメントが容易になります。検出面のエッジ部分の不均一性が、不要な静電容量の蓄積や抵抗効果を発生させてフォトダイオードからの出力に対する時間ドメインの応答性を歪ませる場合があるので、その点にはご注意ください。このような現象を防ぐためにも、フォトダイオードへの光が検出部の中心にしっかりと入射するように調整いただくことをお勧めしています。

電源
これらのディテクタには電源が付属します。交換用の電源(LDS12B)は下記にてご案内しております。尚、製品本体に電源を入れる場合は必ず電源スイッチを使って動作させてください。本体の電源が入った状態でプラグを抜き差しすることはお勧めいたしません。

性能の仕様

Item #Detector
Element		Active AreaWavelengthPeak Response
(Typical)		BandwidthNEP RangeaRise Timeb
PDA50B2Ge19.6 mm2
(Ø5.0 mm)		800 - 1800 nm0.85 A/W
@ 1550 nm		DC - 510 kHz4.63 x 10-12 to
1.76 x 10-10 W/Hz1/2		N/A
PDA30B27.1 mm2
(Ø3.0 mm)		800 - 1800 nm0.85 A/W
@ 1550 nm		DC - 590 kHz5.93 x 10-12 to
1.44 x 10-10 W/Hz1/2		N/A
  • 雑音等価電力(NEP)の範囲は、こちらのディテクタの利得切り替え範囲全体に対する仕様です。特定の利得における値は下表をご参照ください。
  • 立ち上がり時間は、選択した利得のレベルに依存します。光増幅器の利得を上げると、帯域幅が狭くなり、立ち上がり時間が長くなります。立ち上がり時間の計算についてはフォトダイオードチュートリアルをご参照ください。各フォトディテクタの帯域幅の仕様は下表をご覧ください。

 

利得の仕様

Item #Gain TypeGain Step
(dB)		Gain w/
Hi-Z Load		Gain w/
50 Ω Load		BandwidthaNoise (RMS)NEP at
Peak Wavelength		OffsetOutput Voltage
w/ Hi-Z Load		Output Voltage
w/ 50 Ω Load
PDA50B2bSwitchable01.51 kV/A0.75 kV/A510 kHz220 µV1.76 x 10-10 W/Hz1/2±15 mV (Typ.)
±20 mV (Max)		0 - 10 V0 - 5 V
104.75 kV/A2.38 kV/A270 kHz233 µV8.77 x 10-11 W/Hz1/2
2015 kV/A7.5 kV/A85 kHz223 µV1.95 x 10-11 W/Hz1/2
3047.5 kV/A23.8 kV/A22 kHz230 µV6.41 x 10-12 W/Hz1/2
40151 kV/A75 kV/A6.3 kHz220 µV4.63 x 10-12 W/Hz1/2
50475 kV/A238 kV/A2 kHz231 µV4.83 x 10-11 W/Hz1/2
601.5 MV/A750 kV/A630 Hz247 µV6.73 x 10-12 W/Hz1/2
704.75 MV/A2.38 MV/A210 Hz333 µV1.04 x 10-11 W/Hz1/2
PDA30B2bSwitchable01.51 kV/A0.75 kV/A590 kHz240 µV1.44 x 10-10 W/Hz1/2
104.75 kV/A2.38 kV/A300 kHz214 μV6.45 x 10-11 W/Hz1/2
2015 kV/A7.5 kV/A80 kHz212 μV1.24 x 10-11 W/Hz1/2
3047.5 kV/A23.8 kV/A20 kHz211 μV4.25 x 10-12 W/Hz1/2
40151 kV/A75 kV/A6 kHz211 μV3.61 x 10-12 W/Hz1/2
50475 kV/A238 kV/A2 kHz212 μV3.56 x 10-11 W/Hz1/2
601.5 MV/A750 kV/A600 Hz218 μV4.71 x 10-12 W/Hz1/2
704.75 MV/A2.38 MV/A200 Hz243 µV5.93 x 10-12 W/Hz1/2
  • 1550 nmでの試験結果。
  • このディテクタは、直列接続した50 Ωの終端抵抗を有しています(増幅器の出力と直列に接続)。これにより、電圧を負荷抵抗 によって分圧します(例えば50 Ω負荷は、信号を半分に分割します)。

注: 利得の単位はΩでも表されます。

photo detector power supply
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電源入力とBNCコネクタ用の端子は筐体上部に付いています。
photo detector power supply
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各ディテクタにはSM05内ネジとSM1外ネジが付いており、 SM1内ネジ付きアダプタSM1T1と固定リングSM1RR が付属しています。

Ge増幅フォトディテクタの筐体の特長

当社のPDA50BとPDA30B2は、利得切り替え可能な小型のゲルマニウム(Ge)増幅フォトディテクタです。各筐体にはSM05内ネジとSM1外ネジが付いています。 すべてのディテクタにはSM1内ネジ付きアダプタSM1T1と固定リングSM1RRが付属します。 SM1T1は厚さ2.8 mmまでの光学素子を保持できます。各ディテクタは下の写真のようにØ12 mm～12.7 mm(Ø1/2インチ)ポストを使用した取り付けが可能です。PDA30B2とPDA50B2は、検出面が筐体の前面と同一平面に置かれているため、オプトメカニクスシステム内でのアライメントが容易になります。 こちらにはM4ならびに#8-32ネジの両方が取り付け可能なユニバーサル規格の取付穴も2つ付いております。利便性のために、背面パネルにはフォトダイオードの応答曲線が刻印されています。これらの利得切り替え可能なディテクタには、電源とBNC出力コネクタが付いた面に直交する端面に、8段階の回転型利得スイッチが付いています。この利得スイッチの位置は、ディテクタが取り付けられた状態でも調整しやすいように配慮したものです。

レンズチューブの取り付けについて
こちらのディテクタはSM05内ネジとSM1外ネジを使用して様々なオプトメカニクスシステムに組み込みが可能です。SM1ネジにレンズチューブを直接取り付けられるため、レンズチューブシステムにも対応します。アダプタSM1T1を使用して光学フィルタやレンズなどØ25 mm～Ø25.4 mm(Ø1インチ)の光学部品が取り付けられます。　

ケージシステムの取り付けについて
ディテクタは下記の2つの写真でご覧いただけるとおり、ケージシステムにも取り付けが可能です。ケージプレートCP33/Mは直接SM1ネジに取り付けられます。この方法ではアダプタを使用する必要がなく、フォトダイオードをできるだけケージプレートの近くに配置できるという利点があります。この利点は光が発散する光学系では特に重要になります。ほかにも付属のSM1T1とアダプタSM1T2を使用してディテクタをケージシステムに組み込む方法があります。この方法ではディテクタの方向の自由度が増します。 またこちらのディテクタはSM1ネジ付きファイバーアダプタもご使用いただけます(下記参照)。

ポストの取り付けについて
ディテクタ筐体の取付用ネジ穴を選択することで、ユニットは、Ø12 mm～12.7 mm(Ø1/2インチ)ポストを使用して水平方向にも垂直方向にも取り付けることができます。 そのため、電源ケーブルとBNCケーブルを上から、もしくは光路の横に接続することが可能です。


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PDAフォトディテクタを水平方向に
取り付け

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型番数量Description
PDA36A21Siディテクタ、利得切替可、350～1100 nm、12 MHz BW、13 mm²、M4/＃8-32タップ穴、電源付属
TR31Ø1/2インチポスト、#8-32ネジ、1/4”-20タップ穴付き、長さ3インチ(インチ規格)
CP331SM1ネジ付き30 mmケージプレート、厚さ0.35インチ、固定リング2個付属、#8-32タップ穴(インチ規格)
SM1L30C1側面アクセススロット付きSM1レンズチューブ、ネジ深さ76.2 mm、固定リング2個付属
LC1715-A1N-BK7平凹レンズ、Ø25.4mm、f=-50.0mm、ARコーティング350～700nm
ER3-P41Ø6 mmケージアセンブリーロッド、長さ 76.2 mm、4個入り
2249-C-121BNC同軸ケーブル、BNCオス–BNCオス、304 mm
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型番数量Description
PDA36A21Siディテクタ、利得切替可、350～1100 nm、12 MHz BW、13 mm²、M4/＃8-32タップ穴、電源付属
TR75/M1Ø12.7 mmポスト、M4ネジ、M6タップ穴付き、長さ75 mm(ミリ規格)
CP33/M1SM1ネジ付き30 mmケージプレート、厚さ8.9 mm、固定リング2個付属、M4タップ穴(ミリ規格)
SM1L30C1側面アクセススロット付きSM1レンズチューブ、ネジ深さ76.2 mm、固定リング2個付属
LC1715-A1N-BK7平凹レンズ、Ø25.4mm、f=-50.0mm、ARコーティング350～700nm
ER3-P41Ø6 mmケージアセンブリーロッド、長さ 76.2 mm、4個入り
2249-C-121BNC同軸ケーブル、BNCオス–BNCオス、304 mm
PDAフォトディテクタを30 mmケージシステム内のSM1レンズチューブに接続

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型番数量Description
PDA36A21Siディテクタ、利得切替可、350～1100 nm、12 MHz BW、13 mm²、M4/＃8-32タップ穴、電源付属
TR31Ø1/2インチポスト、#8-32ネジ、1/4”-20タップ穴付き、長さ3インチ(インチ規格)
CP331SM1ネジ付き30 mmケージプレート、厚さ0.35インチ、固定リング2個付属、#8-32タップ穴(インチ規格)
ER3-P41Ø6 mmケージアセンブリーロッド、長さ 76.2 mm、4個入り
2249-C-121BNC同軸ケーブル、BNCオス–BNCオス、304 mm
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型番数量Description
PDA36A21Siディテクタ、利得切替可、350～1100 nm、12 MHz BW、13 mm²、M4/＃8-32タップ穴、電源付属
TR75/M1Ø12.7 mmポスト、M4ネジ、M6タップ穴付き、長さ75 mm(ミリ規格)
CP33/M1SM1ネジ付き30 mmケージプレート、厚さ8.9 mm、固定リング2個付属、M4タップ穴(ミリ規格)
ER3-P41Ø6 mmケージアセンブリーロッド、長さ 76.2 mm、4個入り
2249-C-121BNC同軸ケーブル、BNCオス–BNCオス、304 mm
PDAフォトディテクタをSM1外ネジで30 mmケージシステムに接続

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型番数量Description
PDA36A21Siディテクタ、利得切替可、350～1100 nm、12 MHz BW、13 mm²、M4/＃8-32タップ穴、電源付属
TR31Ø1/2インチポスト、#8-32ネジ、1/4”-20タップ穴付き、長さ3インチ(インチ規格)
CP331SM1ネジ付き30 mmケージプレート、厚さ0.35インチ、固定リング2個付属、#8-32タップ穴(インチ規格)
ER3-P41Ø6 mmケージアセンブリーロッド、長さ 76.2 mm、4個入り
SM1T21SM1カプラ、外ネジ付き、長さ12.7 mm、ロッキングリング2個付き
2249-C-121BNC同軸ケーブル、BNCオス–BNCオス、304 mm
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型番数量Description
PDA36A21Siディテクタ、利得切替可、350～1100 nm、12 MHz BW、13 mm²、M4/＃8-32タップ穴、電源付属
TR75/M1Ø12.7 mmポスト、M4ネジ、M6タップ穴付き、長さ75 mm(ミリ規格)
CP33/M1SM1ネジ付き30 mmケージプレート、厚さ8.9 mm、固定リング2個付属、M4タップ穴(ミリ規格)
ER3-P41Ø6 mmケージアセンブリーロッド、長さ 76.2 mm、4個入り
SM1T21SM1カプラ、外ネジ付き、長さ12.7 mm、ロッキングリング2個付き
2249-C-121BNC同軸ケーブル、BNCオス–BNCオス、304 mm
PDAフォトディテクタをSM1T1(付属)とアダプタSM1T2を使用して30 mmケージシステムに接続
DetectorsHousing Drawing
(Click Icon for Details)		Mounting TapsSM Thread CompatibilityDimensionsOutput
Connector
PDA50B2Two Universal Taps for
8-32 and M4		External SM1 (1.035"-40)a1.96" x 0.89" x 2.79"
(49.8 mm x 22.5 mm x 70.9 mm)		BNC
PDA30B2Internal SM05 (0.535"-40)
External SM1 (1.035"-40)
  • PDA50B2ではSM05内ネジはご利用いただけません。

BNC メス型 出力(フォトディテクタ)

BNC Female

0～10 V 出力

PDA オス型(電源ケーブル)

Pinout for PDA Power Cable

PDA メス型 (フォトディテクタ)

Pinout for PDA Power Connector

フォトダイオードのチュートリアル

動作原理

接合型フォトダイオードは、通常の信号ダイオードと似た動作をする部品ですが、接合半導体の空乏層が光を吸収すると、光電流を生成する性質があります。フォトダイオードは、高速なリニアデバイスで、高い量子効率を達成し、様々な用途で利用することが可能です。

入射光の強度に応じた、出力電流レベルと受光感度を正確に把握することが必要とされます。図1は、接合型フォトダイオードのモデル図で、基本的な部品要素が図示されており、フォトダイオードの動作原理が説明されています。

 

Equation 1
Photodiode Circuit Diagram
図1:フォトダイオードの概略図 

フォトダイオード関連用語

受光感度
フォトダイオードの受光感度は、規定の波長における、生成光電流 (IPD)と入射光パワー(P)の比であると定義できます。

Equation 2

Photoconductiveモード(光導電モード)とPhotovoltaicモード(光起電力モード)
フォトダイオードは、Photoconductiveモード(逆バイアス) またはPhotovoltaicモード(ゼロバイアス)で動作できます。 モードの選択は、使用用途で求められる速度と、許容される暗電流(漏れ電流)の量で決まります。

Photoconductiveモード(光導電モード)
Photoconductiveモードでは、逆バイアスが印加されますが、これが当社のDETシリーズディテクタの基本です。回路で測定できる電流量はフォトダイオードに照射される光の量を反映します。つまり、測定される出力電流は、入射される光パワーに対しリニアに比例します。逆バイアスを印加すると、空乏層を広げて反応領域が広くなるため、接合容量が小さくなり、良好な線形応答が得られます。このような動作条件下では、暗電流が大きくなりがちですが、フォトダイオードの種類を選ぶことで、暗電流を低減することもできます。(注：当社のDETディテクタは逆バイアスで、順方向バイアスでは動作できません。)

Photovoltaicモード(光起電力モード)
Photovoltaicモードでは、フォトダイオードはゼロバイアスで使用されます。デバイスからの電流の流れが制限されると電位が上昇します。このモードでは光起電力効果が引き起こされますが、これが太陽電池の基本です。Photovoltaicモードでは、暗電流は小さくなります。

暗電流
暗電流とは、フォトダイオードにバイアス電圧が付加されている時に流れる漏れ電流です。Photoconductiveモードで使用する場合に暗電流の値は高くなりがちで、温度の影響も受けます。 暗電流は、温度が10°C上昇するごとに約2倍となり、シャント抵抗は6°C の上昇に伴い倍になります。高いバイアスを付加すれば、接合容量は小さくなりますが、暗電流の量は増大してしまいます。

暗電流の量はフォトダイオードの材料や検出部の寸法によっても左右されます。ゲルマニウム製のデバイスでは暗電流は高くなり、それと比較するとシリコン製のデバイスは一般的には低い暗電流となります。下表では、いくつかのフォトダイオードに使用される材料の暗電流の量と共に、速度、感度とコストを比較しています。

MaterialDark CurrentSpeedSpectral RangeCost
Silicon (Si)LowHigh SpeedVisible to NIRLow
Germanium (Ge)HighLow SpeedNIRLow
Gallium Phosphide (GaP)LowHigh SpeedUV to VisibleModerate
Indium Gallium Arsenide (InGaAs)LowHigh SpeedNIRModerate
Indium Arsenide Antimonide (InAsSb)HighLow SpeedNIR to MIRHigh
Extended Range Indium Gallium Arsenide (InGaAs)HighHigh SpeedNIRHigh
Mercury Cadmium Telluride (MCT, HgCdTe)HighLow SpeedNIR to MIRHigh

接合容量
接合容量(Cj)は、フォトダイオードの帯域幅と応答特性に大きな影響を与えるので、フォトダイオードの重要な特性となります。ダイオードの面積が大きいと、接合容量が大きくなり、電荷容量は大きくなります。逆バイアスの用途では、接合部の空乏層が大きくなるので、接合容量が小さくなり、応答速度が速くなります。

帯域幅と応答性
負荷抵抗とフォトディテクタの接合容量により帯域幅が制限されます。最善の周波数応答を得るには、50 Ωの終端装置を50 Ωの同軸ケーブルと併用します。接合容量(Cj)と負荷抵抗値(RLOAD)により、帯域幅(fBW)と立ち上がり時間応答(tr)の概算値が得られます。

Equation 3

 

ノイズ等価電力
ノイズ等価電力(NEP)とは、信号対雑音(S/N)比が1であるときに生成されるRMS信号電圧の値です。NEPによって、ディテクタが低レベルの光を検知する能力を知ることができるので、この数値は便利です。一般には、NEPはディテクタの検出部の面積増加に伴って大きくなり、下記の数式で求めることができます。

Photoconductor NEP

この数式において、S/Nは信号対雑音比、Δf はノイズの帯域幅で、入射エネルギ単位はW/cm2となっています。詳細は、当社のホワイトペーパー「NEP – Noise Equivalent Power」をご覧ください。

終端抵抗
オシロスコープでの測定を可能にするためには、生成された光電流を電圧(VOUT)に変換する必要がありますが、負荷抵抗を用いて電圧変換します。

Equation 4

フォトダイオードの種類によっては、負荷抵抗が応答速度に影響を与える場合があります。最大帯域幅を得るには、50 Ωの同軸ケーブルを使用して、ケーブルの反対側の終端部で50 Ωの終端抵抗器の使用を推奨しています。このようにすることで、ケーブルの特性インピーダンスとマッチングできて共鳴が最小化できます。帯域幅が重要ではない特性の場合は、RLOADを増大させることで、所定の光レベルに対して電圧を大きくすることができます。終端部が不整合の場合、同軸ケーブルの長さが応答特性に対して大きな影響を与えます。したがってケーブルはできるだけ短くしておくことが推奨されます。

シャント抵抗
シャント抵抗は、ゼロバイアスフォトダイオード接合の抵抗を表します。理想的なフォトダイオードでは、シャント抵抗は無限大となりますが、実際の数値はフォトダイオードの材料の種類によって、10Ωのレベルから 数千MΩの範囲となる場合があります。例えばInGaAsディテクタのシャント抵抗は、10 MΩのレベルですが、GeディテクタはkΩのレベルです。このことは、フォトダイオードのノイズ電流に大きく影響を与える可能性があります。しかしながらほとんどの用途では、ある程度高い抵抗値であればその影響は小さく、無視できる程度です。

直列抵抗
直列抵抗は半導体材料の抵抗値で、この低い抵抗値は、通常は無視できる程度です。直列抵抗は、フォトダイオードの接触接続部とワイヤ接続部で発生し、ゼロバイアスの条件下でのフォトダイオードのリニアリティの主な決定要因になります。

一般的な動作回路

Reverse Biased DET Circuit
図2: 逆バイアス回路(DETシリーズディテクタ)

上図の回路はDETシリーズのディテクタをモデル化したものです。ディテクタは、入射光に対して線形の応答を得るために逆バイアス状態になっています。ここで生成された光電流の量は、入射光と波長に依存し、負荷抵抗を出力端子に接続すると、オシロスコープでモニタリングできます。RCフィルタの機能は、出力に雑音を載せてしまう可能性のある供給電力からの高周波雑音のフィルタリングです。

Amplified Detector Circuit
図3: 増幅ディテクタ回路

高利得用途でアンプとともにフォトディテクタを使用できます。動作時には、PhotovoltaicモードまたはPhotoconductiveモードのいずれも選択可能です。このアクティブ回路はいくつかの利点があります。

  • Photovoltaicモード：オペアンプで、点Aと点Bの電位が同じに維持されているので、フォトダイオードでは回路全体では0 Vに保たれています。このことで暗電流は発生しなくなります。
  • Photoconductiveモード: フォトダイオードは逆バイアス状態であるので、接合容量を低下させ、帯域幅の状態を改善します。ディテクタの利得は、フィードバック素子(Rf)に依存します。ディテクタの帯域幅は、下記の数式で計算することができます。

Equation 5

GBPが利得帯域幅積で、CDは接合容量と増幅器の静電容量の和です。

チョッパ入力周波数の影響

光導電信号は時定数の応答限界までは一定となりますが、PbS、 PbSe、HgCdTe (MCT)、InAsSbなどのディテクタにおいては、1/fゆらぎ(チョッパ入力周波数が大きいほどゆらぎは小さくなる)を持つため、低い周波数の入力の場合は影響が大きくなります。

低いチョッパ入力周波数の場合は、ディテクタの受光感度は小さくなります。周波数応答や検出性能は下記の条件の場合において最大となります。

Photoconductor Chopper Equation

下表は当社のPDA、PDFならびにDETディテクタの旧製品と現製品の一覧です。

Previous Generation Cross Reference of PDA and DET Detectors
WavelengthMaterialBiased
Detector		Amplified
Detector
Current GenerationPrevious GenerationCurrent GenerationPrevious Generation
150 - 550 nmGaPDET25K2DET25K(/M)PDA25K2PDA25K(-EC)
200 - 1100 nmSiDET10A2DET10A(/M)PDA10A2PDA10A(-EC)
320 - 1000 nmSi--PDA8A2PDA8A
320 - 1100 nmSiDET100A2DET100A(/M)aPDA100A2PDA100A(-EC)b
Si--PDF10A2PDF10A(/M)
350 - 1100 nmSiDET36A2DET36A(/M)PDA36A2PDA36A(-EC)
500 - 1700 nmInGaAsDET10N2DET10N(/M)--
800 - 1700 nmInGaAsDET20C2DET20C(/M)PDA20CS2PDA20CS(-EC)
--PDA05CF2PDA10CF(-EC)
--PDA20C2PDA20C(/M)
800 - 1800 nmGeDET30B2DET30B(/M)PDA30B2PDA30B(-EC)
DET50B2DET50B(/M)PDA50B2PDA50B(-EC)
900 - 1700 nmInGaAsDET10C2DET10C(/M)PDA10CS2PDA10CS(-EC)
900 - 2600 nmInGaAsDET05D2DET05D(/M)cPDA10D2PDA10D(-EC)c
DET10D2DET10D(/M)c--
  • DET100A/Mの波長範囲:350～1100 nm.
  • PDA100A-ECの波長範囲:340～1100 nm
  • DET05D/M、PDA10D-EC、DET10D/Mの波長範囲:800～2600 nm

パルスレーザ:パワーとエネルギーの計算



フルレポートは上をクリックしてダウンロードいただけます。

パルスレーザからの放射光が、使用するデバイスや用途に適合するかどうかを判断する上で、レーザの製造元から提供されていないパラメータを参照しなければならない場合があります。このような場合、一般には入手可能な情報から必要なパラメータを算出することが可能です。次のような場合を含めて、必要な結果を得るには、ピークパルスパワー、平均パワー、パルスエネルギ、その他の関連するパラメータを必要とすることがあります。

  • 生物試料を損傷させないように保護する
  • フォトディテクタなどのセンサにダメージを与えることなくパルスレーザ光を測定する
  • 物質内で蛍光や非線形効果を得るために励起を行う

パルスレーザ光のパラメータは下の図1および表に示します。参照用として、計算式の一覧を以下に示します。資料を ダウンロードしていただくと、これらの計算式のほかに、パルスレーザ光の概要、異なるパラメータ間の関係性、および計算式の適用例がご覧いただけます。

 

計算式

周期と繰り返し周波数は逆数の関係:   and 
平均パワーから算出するパルスエネルギ::      
パルスエネルギーから算出する平均パワー:       
パルスエネルギーから概算するピークパルスパワー:           

平均パワーから算出するピークパワー、ピークパワーから算出する平均パワー
 and
平均パワーおよびデューティーサイクルから算出するピークパワー*:
*デューティーサイクル() はレーザのパルス光が放射されている時間の割合です。
Pulsed Laser Emission Parameters
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図1: パルスレーザ光の特性を記述するためのパラメータを、上のグラフと下の表に示します。パルスエネルギ (E)は、パルス曲線の下側の黄色の領域の面積に対応します。このパルスエネルギは斜線で表された領域の面積とも一致します。

パラメータシンボル単位説明
パルスエネルギEジュール[J]レーザの1周期中に放射される1パルスの全放射エネルギ。
パルスエネルギはグラフの黄色の領域の面積に等しく、
これは斜線部分の面積とも一致します。
周期Δt 秒 [s] 1つのパルスの開始から次のパルスの開始までの時間
平均パワーPavgワット[W]パルスとして放射されたエネルギが、1周期にわたって
均一に広がっていたと仮定したときの、
光パワーの大きさ(光パワー軸上の高さ)
瞬時パワーPワット[W]特定の時点における光パワー
ピークパワーPpeakワット [W]レーザから出力される最大の瞬時パワー
パルス幅秒 [s]パルスの開始から終了までの時間。一般的にはパルス形状の
半値全幅(FWHM)を基準にしています。
パルス持続時間とも呼ばれます。
繰り返し周波数 frepヘルツ [Hz]パルス光が放射される頻度を周波数で表示した量。
周期とは逆数の関係です。

計算例

下記のパルスレーザ光を測定するのに、最大入力ピークパワーが75 mW 
のディテクタを使用するのは安全かどうかを計算してみます。

  • 平均パワー: 1 mW
  • 繰り返し周波数: 85 MHz
  • パルス幅: 10 fs

1パルスあたりのエネルギは、

と低いようですが、ピークパワーは、

となります。このピークパワーはディテクタの
最大入力ピークパワーよりも5桁ほど大きく、
従って、上記のパルスレーザ光を測定するのに
このディテクタを使用するのは安全ではありません。


Posted Comments:
NorbetTip NorbetTipVH  (posted 2022-02-06 03:36:44.17)
Hyosub Kim  (posted 2020-09-09 13:40:15.54)
Hi, do you have data about temperature vs. quantum efficiency?
asundararaj  (posted 2020-09-17 04:18:17.0)
Thank you for contacting Thorlabs. While we do not have the specific temperature dependent data for the PDA50B2, I have contacted you with the general trend one would expect for a Ge photodiodes.
Yazhou Wang  (posted 2020-06-12 08:40:50.69)
Hi, I saw all the photodetectors can be divided into two kinds, i.e. free space coupling and fiber coupling. What's their difference? Could I use a fiber coupling detector to detect a free space laser beam by focusing the laser beam correctly with some lenses? Can I manually change the fiber coupling detector to free space coupling by revising some of its structure? Thanks.
YLohia  (posted 2020-06-12 09:15:52.0)
Hello, thank you for contacting Thorlabs. The difference between the two kinds is in the preferred method of delivery of light to the photodiode. One advantage of fiber-coupled detectors is that they can help cut out ambient light from your signal. Fiber-coupled detectors are also sometimes used when the active sensor area is very small. Free space detectors may have larger sensor areas so you would have the ability to use larger beams. You can certainly use a fiber-coupled detector for a free-space beam, but you will lose some power during the fiber coupling process. You can convert a free-space detector to a fiber-coupled one by using one of the threaded adapters for fiber connectors listed on this page.
Tariq Shamim Khwaja  (posted 2019-10-08 13:54:28.33)
What is the maximum input power density (damage threshold) for PDA50B2?
nbayconich  (posted 2019-10-08 11:10:34.0)
Thank you for contacting Thorlabs. We do not have an estimated laser induced damage threshold value for these detectors however we recommend that the output current never exceeds 100mA, which could result in damage of the device. The detector should also not be saturated, to avoid this please make sure that the output voltage is between 0-10 volts if using a High impedance termination or 0-5 volts if using a 50ohm termination. The amount of power needed to saturate the detector will depend on the gain setting set on the amplifier and can be calculated using the given transimpedance gain values for each setting. I will reach out to you directly to discuss your application.
G A  (posted 2019-07-18 11:37:16.647)
Dear Support, Do you have information about the linearity of the PDA50B2 detector? How does it depends on the wavelength? Best, GA
asundararaj  (posted 2019-07-22 02:30:23.0)
Thank you for contacting Thorlabs. As long as the detector is not saturated and the signal is above the noise floor, the incident power and the photocurrent should have a linear relationship. However, the scale factor of the linearity would depend on the responsivity of the detector, which is wavelength dependent. You can find the responsivity of the detector in the table below. Please note that this is the typical responsivity and will vary from diode to diode.
caliari.italo  (posted 2018-10-22 21:26:19.4)
could the output signal cable be substituted by a simple 5cm wire with a resistor?
YLohia  (posted 2018-10-23 09:44:02.0)
This should be fine in terms of measuring a signal, but given that the wire is not coaxial, your signal may have a significant amount of noise. Also, please note that this cannot be accomplished by a single wire -- you will need two (one for a reference ground). We recommend looking into the T3788 BNC to test clips adapter for ease of use.
sam.weckx  (posted 2017-12-18 14:33:35.803)
Dear, We consider the installation of a PDA50B amplified photodetector in our application. It would be installed in a vacuum chamber. Can this photodector be installed in a vacuum? Are there other amplified photodectors of thorlabs that can be installed on a vacuum? Many thanks in advance, Best regards, Sam
tfrisch  (posted 2018-03-20 03:39:29.0)
Hello, thank you for contacting Thorlabs. Unfortunately, these amplified detectors are not suitable for vacuum applications as many components could outgas.
jjurado  (posted 2011-02-16 09:24:00.0)
Response from Javier at Thorlabs to daniel.grodensky: Thank you very much for contacting us with your request. The dark state noise level is specified to be below -80dBm, measured with "span 5MHz, 3kHz resolution" which refers to the settings of the RF analyzer when measuring the frequency spectrum of the output of the detector under dark conditions (i.e. optical input blocked from light). In this setting, you will find the noise floor to be below -80dBm, which corresponds to 22.5µV RMS in a 50-Ohm system. Taking into account the 3kHz span, this corresponds to a noise level of 0.41µV/sqrt(Hz), or 1.6pW/sqrt(Hz) at the input. We specify the -80dBm as the maximum noise floor over the whole frequency range; usually the APD210 performs much better than that, down to -92dBm, which actually corresponds to the specified calculated NEP of 0.4pW/sqrt(Hz).
daniel.grodensky  (posted 2011-02-08 10:04:07.0)
I am interested in APD210, but have a question: What are the full conditions for your dark state noise level (-80dBm = 10pW), or more exactly whats the specified bandwidth? For better of my understanding, having NEP of 0.4pW/sqrHz means that at 1GHz bandwidth the NEP is 12.6nW or -49dBm, the number that 3 orders higher than dark state noise level. Thanks a lot in advance
Javier  (posted 2010-06-16 11:21:10.0)
Response from Javier at Thorlabs to last poster: the gain adjustment of the APD210 and APD310 detectors controls the APD bias voltage by means of a digital potentiometer that is essentially a resistor network with 100 discrete steps. So, for the APD210, for example, which has a maximum gain of 2.5x10^5 V/W (at 1 GHz, 800 nm), each gain step consists of ~2500 V/W.
user  (posted 2010-06-16 10:26:55.0)
Hi, What is the minimum gain for APD210 and APD310, also Gain [V/W] at each step?
apalmentieri  (posted 2009-12-28 14:41:00.0)
A response from Adam at Thorlabs: The APD210 and APD310 have frequency ranges of 1-1600Mhz(APD210) and 1-1800MHz(APD310) respectively. Please note that the 1000MHz listed in the item description refers to the 3dB bandwidth, which is 5-1000MHz for both the APD310 and APD210.
user  (posted 2009-12-28 04:18:45.0)
Item description says 1000MHz, I dont think that is correct
yue77  (posted 2009-09-25 05:30:07.0)
Dear team. I am interested in APD210, but have two questions: 1. What are the full conditions for your dark state noise level? 2. How did you calculate NEP, could you provide the necessary parameters? Thanks a lot in advance.
klee  (posted 2009-07-10 21:16:12.0)
A response from Ken at Thorlabs to Mattias.Heinrich: Yes, you can use a fiber with these detectors and SM05SMA is the correct adapter if you your fiber is terminated with SMA connector. We also have SM05FC and SM05ST for FC/PC and ST connectors.
Mattias.Heinrich  (posted 2009-07-10 11:19:23.0)
Hi. Is it possible to couple the detector to a fiber using e.g. the SM05SMA fiber adapter or which other positioning/alignment would you recommend. Thanks in advance.
Tyler  (posted 2008-07-23 16:21:35.0)
A response from Tyler at Thorlabs to ennui3: Quantum efficiency is defined as the ratio of the number of electrons excited into the conduction band divided by the number of photons absorbed. The QE varies from 0 to an ideal maximum of 1 in standard photodiodes. Since the APD210 is an avalanche photodiode a single photon can potentially generate many conduction electrons and as a result I do not think that the QE is the best measure to be used with this device. With a standard photodiode you can calculate the QE from the responsivity (A/W). QE=(Rhc)/(le) Where R is the responsivity in (A/W), h is Planck’s constant, c is the speed of light, l is the wavelength of the light, and e is the magnitude of the charge of an electron. Thank you for your interest in the APD210 and if you have further questions please post them or contact one of our application engineers.
ennui3  (posted 2008-07-18 03:00:27.0)
dear. I want to know the quantumn efficiency of this product. especially. I want to know Q.E. of wave length at 650nm~750nm. Does the photo sensitivity mean the Q.E.? thank you for reading this letter.

下表は、当社のフォトダイオードタイプのディテクタ、フォトコンダクティブ型ディテクタ、焦電ディテクタの一覧です。同一の列に記載されている型番の検出素子は同じです。

Photodetector Cross Reference
WavelengthMaterialUnmounted
Photodiode		Mounted
Photodiode		Biased
Detector		Amplified
Detector		Amplified Detector,
OEM Package
200 - 1100 nmSiFDS010SM05PD2A
SM05PD2B		DET10A2PDA10A2-
Si-SM1PD2A---
240 - 1170 nmB-Si--DET20X2--
320 - 1000 nmSi---PDA8A2-
320 - 1100 nmSiFD11ASM05PD3A-PDF10A2-
Si- a-DET100A2 aPDA100A2 aPDAPC2 a
340 - 1100 nmSiFDS10X10----
350 - 1100 nmSiFDS100
FDS100-CAL b		SM05PD1A
SM05PD1B		DET36A2PDA36A2PDAPC1
SiFDS1010
FDS1010-CAL b		SM1PD1A
SM1PD1B		---
400 - 1000 nmSi---PDA015A2
FPD310-FS-VIS
FPD310-FC-VIS
FPD510-FC-VIS
FPD510-FS-VIS
FPD610-FC-VIS
FPD610-FS-VIS		-
400 - 1100 nmSiFDS015 c----
SiFDS025 c
FDS02 d		-DET02AFC(/M)
DET025AFC(/M)
DET025A(/M)
DET025AL(/M)		--
400 - 1700 nmSi & InGaAsDSD2----
500 - 1700 nmInGaAs--DET10N2--
0.6 - 16 µmLiTaO3---PDA13L2e-
750 - 1650 nmInGaAs---PDA8GS-
800 - 1700 nmInGaAsFGA015--PDA015C2-
InGaAsFGA21
FGA21-CAL b		SM05PD5ADET20C2PDA20C2
PDA20CS2		-
InGaAsFGA01 c
FGA01FC d		-DET01CFC(/M)--
InGaAsFDGA05 c--PDA05CF2-
InGaAs--DET08CFC(/M)
DET08C(/M)
DET08CL(/M)		--
InGaAs---PDF10C2-
800 - 1800 nmGeFDG03
FDG03-CAL b		SM05PD6ADET30B2PDA30B2-
GeFDG50-DET50B2PDA50B2-
GeFDG05----
900 - 1700 nmInGaAsFGA10SM05PD4ADET10C2PDA10CS2-
900 - 2600 nmInGaAsFD05D-DET05D2--
FD10D-DET10D2PDA10D2-
950 - 1650 nmInGaAs---FPD310-FC-NIR
FPD310-FS-NIR
FPD510-FC-NIR
FPD510-FS-NIR
FPD610-FC-NIR
FPD610-FS-NIR		-
1.0 - 5.8 µmInAsSb---PDA10PT(-EC)-
2.0 - 8.0 µmHgCdTe (MCT)VML8T0
VML8T4 f		--PDAVJ8-
2.0 - 10.6 µmHgCdTe (MCT)VML10T0
VML10T4 f		--PDAVJ10-
2.7 - 5.0 µmHgCdTe (MCT)VL5T0--PDAVJ5-
2.7 - 5.3 µmInAsSb---PDA07P2-
  • こちらのディテクタに内蔵されているフォトダイオード(PD)のみを電子回路基板なしでの購入をご検討の場合は、当社までお問い合わせください。
  • 校正済みマウント無しフォトダイオード　
  • マウント無しTO-46 Can型フォトダイオード
  • マウント無しTO-46 Can型フォトダイオード、 FC/PCバルクヘッド付き
  • 焦電ディテクタ
  • TEC付き光起電力型ディテクタ
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Ge増幅フォトディテクタ、利得切替可

Item #aHousing FeaturesbWavelength
Range		Bandwidth RangeNEPcResponsivity
Data		Active Aread,eOperating
Temperature
Range		Power Supply
Included
PDA50B2800 - 1800 nmDC - 510 kHz4.63 x 10-12 to
1.76 x 10-10 W/Hz1/2
Click Here for
Raw Data		19.6 mm2
(Ø5.0 mm)		10 to 40 °CYes
PDA30B2800 - 1800 nmDC - 590 kHz5.93 x 10-12 to
1.44 x 10-10 W/Hz1/2
Click Here for
Raw Data		7.1 mm2
(Ø3.0 mm)		10 to 40 °CYes
  • 型番のリンクをクリックすると製品の写真をご覧いただけます。
  • アイコンをクリックすると筐体の詳細をご覧いただけます。
  • 雑音等価電力(NEP)の範囲は、こちらのディテクタの利得切り替え範囲全体に対する仕様です。特定の利得における値は上の「仕様」タブをご参照ください。
  • リンクをクリックすると検出素子の写真をご覧いただけます。
  • このディテクタの検出面は筐体の前面と同一平面にあります。
+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
PDA50B2 Support Documentation
PDA50B2Geディテクタ、利得切替可、800～1800 nm、510 kHz BW、19.6 mm²、M4/#8-32タップ穴(ミリ・インチ共用)
￥85,443
Today
PDA30B2 Support Documentation
PDA30B2Geディテクタ、利得切替可、800～1800 nm、590 kHz BW、7.1 mm²、M4/#8-32タップ穴(ミリ・インチ共用)
￥78,606
7-10 Days
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PDA電源ケーブル

Pinout for Cable

PDA-C-72はPDAシリーズの増幅フォトディテクタ用の電源コードで、ディテクタに付属している電源以外の電源を接続する際にご使用いただけます。コードの片端はリード線が、反対側にはPDAに対応した3ピンコネクタが付いています。このケーブルにより、適切なDC電圧を供給する電源であれば、PDAシリーズの増幅フォトディテクタに使用することができます。ピン情報は右図をご参照ください。

+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
PDA-C-72 Support Documentation
PDA-C-72PDA電源ケーブル、約1.8 m、3-ピンコネクタ
￥3,173
Today
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±12 VDC出力 リニア式ACアダプタ

  • PDAシリーズ、PDFシリーズの増幅フォトディテクタ(上記掲載)の交換用電源
  • ±12 VDC出力
  • 短絡回路を保護しオーバーロードを防ぐ電流リミット機能
  • LED表示付きのOn/Offスイッチ
  • AC入力電圧はスイッチ切り替え可能(100/120/230 VAC)
  • 長さ2 mのケーブルはLUMBERG製オス型コネクタRSMV3付き

この±12 VDC安定化リニア電源LDS12Bは、上記掲載のPDAおよびPDFシリーズの増幅フォトディテクタに付属する電源の交換用製品です。ケーブルに付いているコネクタは3ピンで、グランド用、+12 V用、-12 V用となっています(上図参照)。LDS12Bには日本国内仕様の電源ケーブルが付属します。また、この電源は当社のPDBシリーズの差分ディテクタ(バランスディテクタ)、PMMシリーズの光電子増倍管モジュール、APDシリーズのアバランシェフォトディテクタ、フェムト秒レーザ用オートコリレータFSACにも対応しています。

+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
LDS12B Support Documentation
LDS12B±12 VDC出力ACアダプタ、6W、100/120/230 VAC
￥12,816
Today
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光ファイバーアダプタ、SM1内ネジ付き

注：APCアダプタの前面には 2つの窪みがあり、スパナレンチSPW909またはSPW801を用いて締め付け可能です。アダプタをSM1レンズチューブと遮光用途で使用できるよう、窪みはディスクを貫通していません。

FC/APCアダプタには、ナローキー(2.0 mm)とワイドキー(2.2 mm)の2種類のコネクタをご用意しております。ナローキーとワイドキーの詳細については、光ファイバとはのページをご覧ください。

Item #S120-APC2aS120-APCaS120-SMAS120-STS120-SCS120-LC
Adapter Image
(Click the Image
to Enlarge)		S120-APC2S120-APCS120-SMAS120-STS120-SCS120-LC
Fiber Connector TypeFC/APC,
2.0 mm Narrow Key		FC/APC
2.2 mm Wide Key		SMAST/PCSC/PCbLC/PC
ThreadingInternal SM1 (1.035"-40)
  • S120-APCとS120-APC2は、出射ビームの出力角を補正するためにコネクタ部分を4°傾けています。
  • 出力角度が気にならない用途では、このアダプタにSC/APCコネクタもお使いいただけます。

    *ST®はLucent Technologies社の登録商標です。

    +1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
    S120-APC2 Support Documentation
    S120-APC2FC/APCファイバーアダプターキャップ、SM1内ネジ付き、ナローキー(2.0 mm)
    		￥4,957
    Today
    S120-APC Support Documentation
    S120-APCCustomer Inspired! FC/APCファイバーアダプターキャップ、SM1内ネジ付き、ワイドキー(2.2 mm)
    		￥4,957
    Today
    S120-SMA Support Documentation
    S120-SMASMAファイバーアダプターキャップ、SM1内ネジ付き
    		￥6,347
    Today
    S120-ST Support Documentation
    S120-STST/PCファイバーアダプターキャップ、SM1内ネジ付き
    		￥6,347
    Lead Time
    S120-SC Support Documentation
    S120-SCSC/PCファイバーアダプターキャップ、SM1内ネジ付き
    		￥7,975
    Today
    S120-LC Support Documentation
    S120-LCLC/PCファイバーアダプターキャップ、SM1内ネジ付き
    		￥7,975
    Today
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    光ファイバーアダプタ、SM1外ネジ付き

    • FC/PC(ナローキーまたはワイドキー)、FC/APC(ナローキーまたはワイドキー)、SMA、ST®*/PC、SC/PC、 LC/PCレセプタクル付き　
    • FC/PC(ワイドキー)とSMAレセプタクルは真空対応の製品もご用意
    • SM1レンズチューブとの組み合わせで遮光可能
    • 当社の多くの30 mmケージプレートならびにフォトディテクタに対応

    注: 各ディスクには4つの窪み(前面と背面に2つずつ)があり、どちらの面からもスパナレンチSPW909またはSPW801で締め付け可能です。アダプタをSM1レンズチューブと遮光用途で使用できるよう、窪みはディスクを貫通していません。アダプタの位置確定後は、固定リングSM1RRで固定してください。

    FC/PCおよびFC/APCアダプタには、ナローキー(2.0 mm)とワイドキー(2.2 mm)の2種類のコネクタをご用意しております。ナローキーとワイドキーの詳細については、光ファイバとはのページをご覧ください。

    Item #SM1FC2SM1FCSM1FCVSM1FCA2aSM1FCAaSM1SMASM1SMAVSM1STSM1SC1bSM1LCb
    Adapter Image
    (Click the Image
    to Enlarge)    		SM1FC2SM1FCSM1FCVSM1FCA2SM1FCASM1SMASM1SMAVSM1STSM1STSM1ST
    Connector TypeFC/PC,
    2.0 mm
    Narrow Key    		FC/PC,
    2.2 mm
    Wide Key
    		FC/PC,
    2.2 mm
    Wide Key    		FC/APC,
    2.0 mm
    Narrow Key    		FC/APC,
    2.2 mm
    Wide Key    		SMASMAST/PCSC/PCcLC/PC
    Vacuum Compatibility->10-10 Torr->10-10 Torr-
    ThreadingExternal SM1 (1.035"-40)
    • SM1FCAおよびSM1FCA2は出射ビームの出力角を補正するためにコネクタ部分を4°傾けています。
    • これらのアダプタは、コネクタが付いている反対の面から内ネジにねじ込むことはできません。
    • 出力角度が気にならない用途では、このアダプタにSC/APCコネクタもお使いいただけます。

    *ST®はLucent Technologies社の登録商標です。

    +1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
    SM1FC2 Support Documentation
    SM1FC2FC/PCファイバーアダプタープレート、SM1外ネジ付き、ナローキー(2.0 mm)
    		￥4,720
    Today
    SM1FC Support Documentation
    SM1FCFC/PCファイバーアダプタープレート、SM1外ネジ付き、ワイドキー(2.2 mm)
    		￥4,720
    Today
    SM1FCV Support Documentation
    SM1FCV真空対応FC/PCファイバーアダプタープレート、SM1外ネジ付き、ワイドキー(2.2 mm)
    		￥10,435
    7-10 Days
    SM1FCA2 Support Documentation
    SM1FCA2Customer Inspired! FC/APCファイバーアダプタープレート、SM1外ネジ付き、ナローキー(2.0 mm)
    		￥5,006
    Today
    SM1FCA Support Documentation
    SM1FCAFC/APCファイバーアダプタープレート、SM1外ネジ付き、ワイドキー(2.2 mm)
    		￥5,006
    Today
    SM1SMA Support Documentation
    SM1SMASMAファイバーアダプタープレート、SM1外ネジ付き
    		￥4,605
    Today
    SM1SMAV Support Documentation
    SM1SMAV真空対応SMAファイバーアダプタープレート、SM1外ネジ付き
    		￥8,239
    7-10 Days
    SM1ST Support Documentation
    SM1STST/PCファイバーアダプタープレート、SM1外ネジ付き
    		￥4,389
    7-10 Days
    SM1SC1 Support Documentation
    SM1SC1SC/PCファイバーアダプタープレート、SM1外ネジ付き
    		￥8,984
    Today
    SM1LC Support Documentation
    SM1LCLC/PCファイバーアダプタープレート、SM1外ネジ付き
    		￥8,984
    Today
    Additional 増幅ディテクター
  • Si増幅フォトディテクタ

  • Ge増幅フォトディテクタ

  • InGaAs増幅フォトディテクタ

  • InGaAs高速増幅ディテクタ組み込み用パッケージ

  • 超高速増幅ディテクタ

  • InAsSb増幅フォトディテクタ

  • InAsSb 増幅フォトディテクタ、TEC付き

  • HgCdTe (MCT)増幅フォトディテクタ

  • LiTaO3増幅焦電ディテクタ