Si増幅フォトディテクター、自由空間光用、組み込み用パッケージ


  • Wavelength Ranges from 200 nm to 1100 nm
  • Maximum Bandwidths Up to 150 MHz
  • Detector on Printed Circuit Board for OEM Applications
  • Available in Fixed and Switchable Gain Configurations

PDAPC5

Fixed Gain
200 - 1100 nm
150 MHz Max Bandwidth

PDAPC2

Switchable Gain
320 - 1100 nm
11 MHz Max Bandwidth

Front

Back

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Pinhole Mounted in LMR1 and SM1L40
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組み込み用パッケージ向けの自由空間光用増幅フォトディテクタは、30 mmケージシステムへの組み込みが可能です。上の写真のケージシステム例では、30 mmケージプレートCP33(/M)に取り付けた平凸レンズLA4148-BでフォトディテクタPDAPC5に光を集光させています。
Item #Wavelength RangeBandwidthNoise Equivalent Power (NEP)
Fixed Gain
PDAPC5200 - 1100 nmDC - 150 MHz29.2 pW/Hz1/2
Switchable Gain
PDAPC2a320 - 1100 nmDC - 11 MHzb2.67 - 71.7 pW/Hz1/2
PDAPC1a350 - 1100 nmDC - 12 MHzb3.25 - 75.7 pW/Hz1/2
  • 8段階の利得を10 dBごとに切り替え可能です。帯域幅は利得に反比例します。
  • 650 nmの波長で測定。近赤外(NIR)域の波長ではフォトダイオード素子の立ち上がり時間が遅くなるため、増幅ディテクタの有効帯域幅が制限される可能性があります。

特長

  • UV、可視(VIS)、近赤外(NIR)域に渡って使用可能な固定利得型
    • PDAPC5: 200～1100 nm
  • UV、可視(VIS)、近赤外(NIR)域に渡って使用可能な利得切り替え型
    • PDAPC2: 320～1100 nm
    • PDAPC1: 350～1100 nm
  • 低ノイズ増幅器付き： 利得固定タイプと切り替え可能タイプをご用意
  • 50 Ω以上の負荷インピーダンスに対応
  • 自由空間光結合
  • 基板上のヘッダーピンおよびMMCXメス型コネクタにより出力部にアクセス可能

当社ではUVから近赤外(NIR)の波長域に感度がある自由空間光用シリコン(Si)増幅フォトディテクタをご用意しております。これらの増幅フォトディテクタには、低ノイズのトランスインピーダンスアンプ(TIA)が内蔵されており、利得固定タイプまたは8段階の利得切り替え可能なタイプがございます。利得の調整は基板上のヘッダーピンを介して行うか、または4つのDIPスイッチを使用して手動で行うことができます。最大帯域幅は、利得切り替え型では11～12 MHz、利得固定型ではこれよりも大きく150 MHzとなっています。

これらのフォトディテクタは、50 Ω～Hi-Zの負荷を接続でき、プリント回路基板(PCB)背面にあるジャンパまたはMMCXコネクタから出力部にアクセスできます。各ディテクタのPCBにはØ3.2 mmの貫通穴が4つ、30 mm正方格子上に配置されており、当社の30 mmケージシステムまたはカスタム仕様の筐体やデバイスに取り付けられるようになっています。

電源
100、120、230 VACの入力電圧に対応する±12 Vのリニア電源は、別売りです(下記参照)。電圧供給用の電源に接続する前に、電源モジュールの電圧入力用スイッチが適切な電圧範囲に設定されていることをご確認ください。電源へのAC電源投入は、電源本体のパワースイッチで行ってください。本体のスイッチを入れたままAC電源に接続することはお勧めしません。

Performance Specifications
Item #WavelengthBandwidthRise TimePeak ResponsivityNoise Equivalent Power (NEP)aActive AreaOperating
Temperature
Range
PDAPC5b200 - 1100 nmDC - 150 MHz2.3 ns0.44 A/W @ 730 nm29.2 pW/Hz1/20.8 mm2 (Ø1.0 mm)10 to 40 °C
PDAPC2b320 - 1100 nmDC - 11 MHzcN/Ad0.72 A/W @ 960 nm2.67 - 71.7 pW/Hz1/2100 mm2 (10 mm x 10 mm)
PDAPC1b350 - 1100 nmDC - 12 MHzcN/Ad0.65 A/W @ 970 nm3.25 - 75.7 pW/Hz1/213 mm2 (3.6 mm x 3.6 mm)
  • NEPはピーク感度波長で規定されています。利得切り替え型では利得設定によりNEPが変動するため、NEP仕様が範囲で示されています。
  • このディテクタの増幅器の出力には直列に50 Ωの終端抵抗が接続されており、これは負荷インピーダンスに応じた分圧回路を形成します(例えば50 Ωの負荷抵抗を用いた場合には信号を1：1に分けます)。
  • これらの増幅フォトディテクタの最大帯域幅です。帯域幅は利得によって変わります。詳細は下の「利得切り替え型」の表をご参照ください。
  • 立ち上がり時間は、選択した利得などによって変わります。光増幅器の利得を大きくすると、帯域幅が狭くなり、立ち上がり時間が長くなります。立ち上がり時間の計算については、フォトダイオードチュートリアルをご参照ください。各切り替えタイプフォトディテクタの帯域幅の仕様は下の表でご覧いただけます。
Gain Specifications
Item #Gain Step
(dB)		Gain
w/ Hi-Z Load		Gain
w/ 50 Ω Load		BandwidthaNoise
(RMS)		Noise Equivalent Power (NEP)bOffset (±)Output Voltage
w/ Hi-Z Load		Output Voltage
w/ 50 Ω Load
PDAPC5N/A10 kV/A ± 2%5 kV/A ± 2%150 MHz1.5 mV29.2 pW/Hz1/210 mV Max0 - 10 V0 - 5 V
PDAPC201.51 kV/A ± 2%0.75 kV/A ± 2%11 MHz268 µV71.7 pW/Hz1/28 mV (12 mV Max)
104.75 kV/A ± 2%2.38 kV/A ± 2%1.4 MHz195 µV6.75 pW/Hz1/2
2015 kV/A ± 2%7.5 kV/A ± 2%800 kHz219 µV3.36 pW/Hz1/2
3047.5 kV/A ± 2%23.8 kV/A ± 2%260 kHz222 µV2.83 pW/Hz1/2
40151 kV/A ± 2%75 kV/A ± 2%90 kHz229 µV2.67 pW/Hz1/2
50475 kV/A ± 2%238 kV/A ± 2%28 kHz271 µV4.2 pW/Hz1/2
601.5 MV/A ± 5%750 kV/A ± 5%9 kHz423 µV6.24 pW/Hz1/2
704.75 MV/A ± 5%2.38 MV/A ± 5%3 kHz1.22 mV7.88 pW/Hz1/2
PDAPC101.51 kV/A ± 2%0.75 kV/A ± 2%12 MHz258 µV75.7 pW/Hz1/28 mV (12 mV Max)
104.75 kV/A ± 2%2.38 kV/A ± 2%1.6 MHz192 µV5.8 pW/Hz1/2
2015 kV/A ± 2%7.5 kV/A ± 2%1 MHz207 µV3.4 pW/Hz1/2
3047.5 kV/A ± 2%23.8 kV/A ± 2%260 kHz211 µV3.4 pW/Hz1/2
40150 kV/A ± 2%75 kV/A ± 2%90 kHz214 µV3.25 pW/Hz1/2
50475 kV/A ± 2%238 kV/A ± 2%28 kHz234 µV3.69 pW/Hz1/2
601.5 MV/A ± 5%750 kV/A ± 5%9 kHz277 µV4 pW/Hz1/2
704.75 MV/A ± 5%2.38 MV/A ± 5%3 kHz388 µV4.29 pW/Hz1/2
  • 650 nmの波長で測定。近赤外(NIR)域の波長ではフォトダイオード素子の立ち上がり時間が遅くなるため、増幅ディテクタの有効帯域幅が制限される可能性があります。
  • NEP(ノイズ等価パワー)はピーク感度波長で規定されています。

J2 Header Pins

J2 Header
PinDescriptionPinDescription
1+12 VDC2GND
3GND4Output
5-12 VDC6No Connection
7A2a8A1a
9A0a10No Connection
  • ピン7、8、9(A0～A2)は、利得切り替え可能なタイプにある3つの利得調節用のデジタルピンを示します。利得固定タイプのPDAPC5では接続無し(No Connection)となっています。

DIP Switchesa

SwitchFunction
1Enable
2A0
3A1
4A2
  • 利得切り替え型のみ

Gain Settingsa
(Controllable by J2 Pins or DIP Switches)

A2A1A0Gain
0000 dB
00110 dB
01020 dB
01130 dB
10040 dB
10150 dB
11060 dB
11170 dB
  • 利得切り替え型のみ

Female MMCX Connector
Output

SMC Male
0～5 V (50 Ω)
0～10 V (Hi-Z)

フォトダイオードのチュートリアル

動作原理

接合型フォトダイオードは、通常の信号ダイオードと似た動作をする部品ですが、接合半導体の空乏層が光を吸収すると、光電流を生成する性質があります。フォトダイオードは、高速なリニアデバイスで、高い量子効率を達成し、様々な用途で利用することが可能です。

入射光の強度に応じた、出力電流レベルと受光感度を正確に把握することが必要とされます。図1は、接合型フォトダイオードのモデル図で、基本的な部品要素が図示されており、フォトダイオードの動作原理が説明されています。

 

Equation 1
Photodiode Circuit Diagram
図1:フォトダイオードの概略図 

フォトダイオード関連用語

受光感度
フォトダイオードの受光感度は、規定の波長における、生成光電流 (IPD)と入射光パワー(P)の比であると定義できます。

Equation 2

Photoconductiveモード(光導電モード)とPhotovoltaicモード(光起電力モード)
フォトダイオードは、Photoconductiveモード(逆バイアス) またはPhotovoltaicモード(ゼロバイアス)で動作できます。 モードの選択は、使用用途で求められる速度と、許容される暗電流(漏れ電流)の量で決まります。

Photoconductiveモード(光導電モード)
Photoconductiveモードでは、逆バイアスが印加されますが、これが当社のDETシリーズディテクタの基本です。回路で測定できる電流量はフォトダイオードに照射される光の量を反映します。つまり、測定される出力電流は、入射される光パワーに対しリニアに比例します。逆バイアスを印加すると、空乏層を広げて反応領域が広くなるため、接合容量が小さくなり、良好な線形応答が得られます。このような動作条件下では、暗電流が大きくなりがちですが、フォトダイオードの種類を選ぶことで、暗電流を低減することもできます。(注：当社のDETディテクタは逆バイアスで、順方向バイアスでは動作できません。)

Photovoltaicモード(光起電力モード)
Photovoltaicモードでは、フォトダイオードはゼロバイアスで使用されます。デバイスからの電流の流れが制限されると電位が上昇します。このモードでは光起電力効果が引き起こされますが、これが太陽電池の基本です。Photovoltaicモードでは、暗電流は小さくなります。

暗電流
暗電流とは、フォトダイオードにバイアス電圧が付加されている時に流れる漏れ電流です。Photoconductiveモードで使用する場合に暗電流の値は高くなりがちで、温度の影響も受けます。 暗電流は、温度が10°C上昇するごとに約2倍となり、シャント抵抗は6°C の上昇に伴い倍になります。高いバイアスを付加すれば、接合容量は小さくなりますが、暗電流の量は増大してしまいます。

暗電流の量はフォトダイオードの材料や検出部の寸法によっても左右されます。ゲルマニウム製のデバイスでは暗電流は高くなり、それと比較するとシリコン製のデバイスは一般的には低い暗電流となります。下表では、いくつかのフォトダイオードに使用される材料の暗電流の量と共に、速度、感度とコストを比較しています。

MaterialDark CurrentSpeedSpectral RangeCost
Silicon (Si)LowHigh SpeedVisible to NIRLow
Germanium (Ge)HighLow SpeedNIRLow
Gallium Phosphide (GaP)LowHigh SpeedUV to VisibleModerate
Indium Gallium Arsenide (InGaAs)LowHigh SpeedNIRModerate
Indium Arsenide Antimonide (InAsSb)HighLow SpeedNIR to MIRHigh
Extended Range Indium Gallium Arsenide (InGaAs)HighHigh SpeedNIRHigh
Mercury Cadmium Telluride (MCT, HgCdTe)HighLow SpeedNIR to MIRHigh

接合容量
接合容量(Cj)は、フォトダイオードの帯域幅と応答特性に大きな影響を与えるので、フォトダイオードの重要な特性となります。ダイオードの面積が大きいと、接合容量が大きくなり、電荷容量は大きくなります。逆バイアスの用途では、接合部の空乏層が大きくなるので、接合容量が小さくなり、応答速度が速くなります。

帯域幅と応答性
負荷抵抗とフォトディテクタの接合容量により帯域幅が制限されます。最善の周波数応答を得るには、50 Ωの終端装置を50 Ωの同軸ケーブルと併用します。接合容量(Cj)と負荷抵抗値(RLOAD)により、帯域幅(fBW)と立ち上がり時間応答(tr)の概算値が得られます。

Equation 3

 

雑音等価電力
雑音等価電力(NEP：Noise Equivalent Power)とは、出力帯域幅1 Hzでの信号対雑音比(SNR)が1になる入力信号のパワーです。NEPによって、ディテクタが低レベルの光を検知する能力を知ることができるので、この数値は便利です。一般には、NEPはディテクタの検出部の面積増加に伴って大きくなり、下記の数式で求めることができます。

Photoconductor NEP

この数式において、S/Nは信号対雑音比、Δf はノイズの帯域幅で、入射エネルギ単位はW/cm2となっています。詳細は、当社のホワイトペーパー「NEP – Noise Equivalent Power」をご覧ください。

終端抵抗
オシロスコープでの測定を可能にするためには、生成された光電流を電圧(VOUT)に変換する必要がありますが、負荷抵抗を用いて電圧変換します。

Equation 4

フォトダイオードの種類によっては、負荷抵抗が応答速度に影響を与える場合があります。最大帯域幅を得るには、50 Ωの同軸ケーブルを使用して、ケーブルの反対側の終端部で50 Ωの終端抵抗器の使用を推奨しています。このようにすることで、ケーブルの特性インピーダンスとマッチングできて共鳴が最小化できます。帯域幅が重要ではない特性の場合は、RLOADを増大させることで、所定の光レベルに対して電圧を大きくすることができます。終端部が不整合の場合、同軸ケーブルの長さが応答特性に対して大きな影響を与えます。したがってケーブルはできるだけ短くしておくことが推奨されます。

シャント抵抗
シャント抵抗は、ゼロバイアスフォトダイオード接合の抵抗を表します。理想的なフォトダイオードでは、シャント抵抗は無限大となりますが、実際の数値はフォトダイオードの材料の種類によって、10Ωのレベルから 数千MΩの範囲となる場合があります。例えばInGaAsディテクタのシャント抵抗は、10 MΩのレベルですが、GeディテクタはkΩのレベルです。このことは、フォトダイオードのノイズ電流に大きく影響を与える可能性があります。しかしながらほとんどの用途では、ある程度高い抵抗値であればその影響は小さく、無視できる程度です。

直列抵抗
直列抵抗は半導体材料の抵抗値で、この低い抵抗値は、通常は無視できる程度です。直列抵抗は、フォトダイオードの接触接続部とワイヤ接続部で発生し、ゼロバイアスの条件下でのフォトダイオードのリニアリティの主な決定要因になります。

一般的な動作回路

Reverse Biased DET Circuit
図2: 逆バイアス回路(DETシリーズディテクタ)

上図の回路はDETシリーズのディテクタをモデル化したものです。ディテクタは、入射光に対して線形の応答を得るために逆バイアス状態になっています。ここで生成された光電流の量は、入射光と波長に依存し、負荷抵抗を出力端子に接続すると、オシロスコープでモニタリングできます。RCフィルタの機能は、出力に雑音を載せてしまう可能性のある供給電力からの高周波雑音のフィルタリングです。

Amplified Detector Circuit
図3: 増幅ディテクタ回路

高利得用途でアンプとともにフォトディテクタを使用できます。動作時には、PhotovoltaicモードまたはPhotoconductiveモードのいずれも選択可能です。このアクティブ回路はいくつかの利点があります。

  • Photovoltaicモード：オペアンプで、点Aと点Bの電位が同じに維持されているので、フォトダイオードでは回路全体では0 Vに保たれています。このことで暗電流は発生しなくなります。
  • Photoconductiveモード: フォトダイオードは逆バイアス状態であるので、接合容量を低下させ、帯域幅の状態を改善します。ディテクタの利得は、フィードバック素子(Rf)に依存します。ディテクタの帯域幅は、下記の数式で計算することができます。

Equation 5

GBPが利得帯域幅積で、CDは接合容量と増幅器の静電容量の和です。

チョッパ入力周波数の影響

光導電信号は時定数の応答限界までは一定となりますが、PbS、 PbSe、HgCdTe (MCT)、InAsSbなどのディテクタにおいては、1/fゆらぎ(チョッパ入力周波数が大きいほどゆらぎは小さくなる)を持つため、低い周波数の入力の場合は影響が大きくなります。

低いチョッパ入力周波数の場合は、ディテクタの受光感度は小さくなります。周波数応答や検出性能は下記の条件の場合において最大となります。

Photoconductor Chopper Equation

パルスレーザ:パワーとエネルギーの計算



フルレポートは上をクリックしてダウンロードいただけます。

パルスレーザからの放射光が、使用するデバイスや用途に適合するかどうかを判断する上で、レーザの製造元から提供されていないパラメータを参照しなければならない場合があります。このような場合、一般には入手可能な情報から必要なパラメータを算出することが可能です。次のような場合を含めて、必要な結果を得るには、ピークパルスパワー、平均パワー、パルスエネルギ、その他の関連するパラメータを必要とすることがあります。

  • 生物試料を損傷させないように保護する
  • フォトディテクタなどのセンサにダメージを与えることなくパルスレーザ光を測定する
  • 物質内で蛍光や非線形効果を得るために励起を行う

パルスレーザ光のパラメータは下の図1および表に示します。参照用として、計算式の一覧を以下に示します。資料を ダウンロードしていただくと、これらの計算式のほかに、パルスレーザ光の概要、異なるパラメータ間の関係性、および計算式の適用例がご覧いただけます。

 

計算式

周期と繰り返し周波数は逆数の関係:   、 
平均パワーから算出するパルスエネルギ:      
パルスエネルギーから算出する平均パワー:       
パルスエネルギーから概算するピークパルスパワー:           

平均パワーから算出するピークパワー、ピークパワーから算出する平均パワー :
 、
平均パワーおよびデューティーサイクルから算出するピークパワー*:
*デューティーサイクル() はレーザのパルス光が放射されている時間の割合です。
Pulsed Laser Emission Parameters
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図1: パルスレーザ光の特性を記述するためのパラメータを、上のグラフと下の表に示します。パルスエネルギ (E)は、パルス曲線の下側の黄色の領域の面積に対応します。このパルスエネルギは斜線で表された領域の面積とも一致します。

パラメータシンボル単位説明
パルスエネルギEジュール[J]レーザの1周期中に放射される1パルスの全放射エネルギ。
パルスエネルギはグラフの黄色の領域の面積に等しく、
これは斜線部分の面積とも一致します。
周期Δt 秒 [s] 1つのパルスの開始から次のパルスの開始までの時間
平均パワーPavgワット[W]パルスとして放射されたエネルギが、1周期にわたって
均一に広がっていたと仮定したときの、
光パワーの大きさ(光パワー軸上の高さ)
瞬時パワーPワット[W]特定の時点における光パワー
ピークパワーPpeakワット [W]レーザから出力される最大の瞬時パワー
パルス幅秒 [s]パルスの開始から終了までの時間。一般的にはパルス形状の
半値全幅(FWHM)を基準にしています。
パルス持続時間とも呼ばれます。
繰り返し周波数 frepヘルツ [Hz]パルス光が放射される頻度を周波数で表示した量。
周期とは逆数の関係です。

計算例

下記のパルスレーザ光を測定するのに、最大入力ピークパワーが75 mW 
のディテクタを使用するのは安全かどうかを計算してみます。

  • 平均パワー: 1 mW
  • 繰り返し周波数: 85 MHz
  • パルス幅: 10 fs

1パルスあたりのエネルギは、

と低いようですが、ピークパワーは、

となります。このピークパワーはディテクタの
最大入力ピークパワーよりも5桁ほど大きく、
従って、上記のパルスレーザ光を測定するのに
このディテクタを使用するのは安全ではありません。


Posted Comments:
Thomas Le Deun  (posted 2024-08-22 06:50:22.48)
Hello, I just bought 2 PDAPC2, it is very convenient and useful. However I think it would be even better if the 4 holes were 4mm or 6mm in diameter, so the entire product could slide on rods so we could easily adjust the position on cage systems. Let me know if this is something you could provide, we would be very interested! Best regards, Thomas Le Deun
ksosnowski  (posted 2024-08-27 04:06:04.0)
Hello Thomas, thank you for reaching out to us with this feedback. This is an interesting idea and I have reached out directly to discuss this potential customization further.
Ingo Schilling  (posted 2024-01-16 16:06:45.123)
Hello I can't find any information about the maximum optical input power. There is the peak responsivity but then I still need the max current. Can you help?
ksosnowski  (posted 2024-01-17 10:43:05.0)
Hello Ingo, thanks for reaching out to Thorlabs. PDAPC1 uses our FDS100 photodiode which has a max photocurrent limit of 5mA. For considering the max power on the amplified PDA series you will also want to ensure that the output voltage is less than the maximum rating for the device as this is the point of amplifier saturation.
Vita Ivanova  (posted 2023-03-02 09:16:53.407)
We need PDAPC2 - Si Switchable Gain Detector on PCB, 320 - 1100 nm, 11 MHz BW, 100 mm² for use in the laboratory of Igor Sikorskyi Kyiv Polytechnical Institute, Ukraine. Are discounts possible for 1 detector?
ksosnowski  (posted 2023-03-02 10:06:28.0)
Hello Vita, thanks for reaching out to Thorlabs. There is not any standard discount we have for a single unit like this, however you can read our full discount policy here: https://www.thorlabs.com/discountpolicy.cfm
Howard Yoon  (posted 2022-10-18 17:08:05.043)
Can these devices be powered by +- 9 V instead of +- 12 V?
ksosnowski  (posted 2022-10-19 09:59:22.0)
Thanks for reaching out to Thorlabs. The PDAPCx OEM boards are only designed to operate at 12V. We recommend using our LDS12B as a proper dual rail power supply. Using 9V supply the amplifier performance would change as well as the photodiode bias. Using higher voltages can damage the amplifier or photodiode.
Tobias Meyer  (posted 2022-09-27 12:29:31.95)
Hi, is there anything comparable to PDCAP1/PDCAP2 and capable of handling larger temperatures up to 80°C?
ksosnowski  (posted 2022-09-28 05:04:52.0)
Thanks for reaching out to Thorlabs. At higher temperatures the photodiode and amplifier performances can shift, and some components like connectors/cabling are not rated for this high of temperature. Unfortunately we do not currently have similar detectors with a higher operating temperature range. If the high temperature is due to thermal radiation from the light source, you may be able to consider using our Hot Mirrors like M254H45 to reflect this from the sensor.
Marco Menchetti  (posted 2022-09-05 13:15:15.437)
Hi, Is it possible to modify the board so that two PD can operate in differential mode? Regards Marco
cdolbashian  (posted 2022-09-07 03:56:25.0)
Thank you for reaching out to us with this inquiry. With the appropriate background in electronics, it is possible to do such a modification, though this is not something we can directly support. For differential measurements in an OEM style package, we recommend looking at the offerings we have here: https://www.thorlabs.com/navigation.cfm?guide_id=2120
Sayyed Kamal  (posted 2022-04-27 17:11:05.58)
Question about the gain setting inputs. I am trying to control the gain via an MCU. Is the logic high threshold >3.5V?
cdolbashian  (posted 2022-05-04 04:50:03.0)
Thank you for reaching out to us with this inquiry. Regarding the gain inputs on the J2 header for PDAPC1, the High-level input voltage is 3.85V minimum, rather than 3.5V.

下表は、当社のフォトダイオードタイプのディテクタ、フォトコンダクティブ型ディテクタ、焦電ディテクタの一覧です。同一の列に記載されている型番の検出素子は同じです。

Photodetector Cross Reference
WavelengthMaterialUnmounted
Photodiode		Mounted
Photodiode		Biased
Detector		Amplified
Detector		Amplified Detector,
OEM Package
200 - 1100 nmSiFDS010SM05PD2A
SM05PD2B		DET10A2PDA10A2PDAPC5
Si-SM1PD2A---
240 - 1170 nmB-Si--DET20X2--
320 - 1000 nmSi---PDA8A2-
320 - 1100 nmSiFD11ASM05PD3A-PDF10A2-
Si- a-DET100A2 aPDA100A2 aPDAPC2 a
340 - 1100 nmSiFDS10X10----
350 - 1100 nmSiFDS100
FDS100-CAL b		SM05PD1A
SM05PD1B		DET36A2PDA36A2PDAPC1
SiFDS1010
FDS1010-CAL b		SM1PD1A
SM1PD1B		---
400 - 1000 nmSi---PDA015A2
FPD310-FS-VIS
FPD310-FC-VIS
FPD510-FC-VIS
FPD510-FS-VIS
FPD610-FC-VIS
FPD610-FS-VIS		-
400 - 1100 nmSiFDS015 c----
SiFDS025 c
FDS02 d		-DET02AFC(/M)
DET025AFC(/M)
DET025A(/M)
DET025AL(/M)		--
400 - 1700 nmSi & InGaAsDSD2----
500 - 1700 nmInGaAs--DET10N2--
0.6 - 16 µmLiTaO3---PDA13L2e-
750 - 1650 nmInGaAs---PDA8GS-
800 - 1700 nmInGaAsFGA015--PDA015C2-
InGaAsFGA21
FGA21-CAL b		SM05PD5ADET20C2PDA20C2
PDA20CS2		-
InGaAsFGA01 c
FGA01FC d		-DET01CFC(/M)--
InGaAsFDGA05 c--PDA05CF2PDAPC6
InGaAs--DET08CFC(/M)
DET08C(/M)
DET08CL(/M)		--
InGaAs---PDF10C2-
800 - 1800 nmGeFDG03
FDG03-CAL b		SM05PD6ADET30B2PDA30B2-
GeFDG50-DET50B2PDA50B2PDAPC8
GeFDG05----
900 - 1700 nmInGaAsFGA10SM05PD4ADET10C2PDA10CS2-
900 - 2600 nmInGaAsFD05D-DET05D2--
FD10D-DET10D2PDA10D2PDAPC7
950 - 1650 nmInGaAs---FPD310-FC-NIR
FPD310-FS-NIR
FPD510-FC-NIR
FPD510-FS-NIR
FPD610-FC-NIR
FPD610-FS-NIR		-
1.0 - 5.8 µmInAsSb---PDA10PT(-EC)-
2.0 - 8.0 µmHgCdTe (MCT)VML8T0
VML8T4 f		--PDAVJ8-
2.0 - 10.6 µmHgCdTe (MCT)VML10T0
VML10T4 f		--PDAVJ10-
2.7 - 5.0 µmHgCdTe (MCT)VL5T0--PDAVJ5-
2.7 - 5.3 µmInAsSb---PDA07P2PDAPC9
  • こちらのディテクタに内蔵されているフォトダイオード(PD)のみを電子回路基板なしでの購入をご検討の場合は、当社までお問い合わせください。
  • 校正済みマウント無しフォトダイオード　
  • マウント無しTO-46 Can型フォトダイオード
  • マウント無しTO-46 Can型フォトダイオード、 FC/PCバルクヘッド付き
  • 焦電ディテクタ
  • TEC付き光起電力型ディテクタ
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シリコン(Si)増幅フォトディテクタ、固定利得、自由空間光用、組み込み用パッケージ

Item #aPackage
Featuresb		Wavelength
Range		Bandwidth
Rangec		GainNoise Equivalent Power (NEP)dTypical
Performance
Graphs		Active Area
(Click Link for Image)		Operating
Temperature
Range
Hi-Z Load50 Ω Load
PDAPC5e200 - 1100 nmDC - 150 MHz10 kV/A5 kV/A29.2 pW/Hz1/2info0.8 mm2 (Ø1.0 mm)10 to 40 °C
  • 型番のリンクをクリックすると製品の写真がご覧いただけます。
  • 詳細は図をクリックしてください。
  • 650 nmの波長で測定。近赤外(NIR)域の波長ではフォトダイオード素子の立ち上がり時間が遅くなるため、増幅ディテクタの有効帯域幅が制限される可能性があります。
  • NEPはピーク感度波長で規定されています。
  • コネクタ付きの筐体に収納されたパッケージとしてもご用意しています。「フォトディテクタ一覧」タブをご参照ください。
+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
PDAPC5 Support Documentation
PDAPC5Siディテクタ、固定利得、組み込み用回路基板タイプ、200～1100 nm、150 MHz BW、0.8 mm²
￥14,385
3 weeks
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Si(シリコン)増幅フォトディテクタ、利得切替可、自由空間光用、組み込み用パッケージ

Item #aPackage
Featuresb		Wavelength
Range		Bandwidth
Rangec		GainNoise Equivalent Power (NEP)dTypical
Performance
Graphs		Active Area
(Click Link for Image)		Operating
Temperature
Range
Hi-Z Load50 Ω Load
PDAPC2e320 - 1100 nmDC - 11 MHzf1.51 kV/A - 4.75 MV/A0.75 kV/A - 2.38 MV/A2.67 - 71.7 pW/Hz1/2info100 mm2
(10 mm x 10 mm)		10 to 40 °C
PDAPC1e350 - 1100 nmDC - 12 MHzf1.51 kV/A - 4.75 MV/A0.75 kV/A - 2.38 MV/A3.25 - 75.7 pW/Hz1/2info13 mm2
(3.6 mm x 3.6 mm)		10 to 40 °C
  • 型番のリンクをクリックすると製品の写真がご覧いただけます。
  • 詳細は図をクリックしてください。
  • 650 nmの波長で測定。近赤外(NIR)域の波長ではフォトダイオード素子の立ち上がり時間が遅くなるため、増幅ディテクタの有効帯域幅が制限される可能性があります。
  • NEPはピーク感度波長で規定されています。利得切り替え型では利得設定によりNEPが変動するため、NEP仕様が範囲で示されています。
  • コネクタ付きの筐体に収納されたパッケージとしてもご用意しています。「フォトディテクタ一覧」タブをご参照ください。
  • 8段階の利得を10 dBごとに切り替え可能です。帯域幅は利得に反比例します。
+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
PDAPC2 Support Documentation
PDAPC2Siディテクタ、利得切替可、組み込み用回路基板タイプ、320～1100 nm、11 MHz、100 mm²
￥25,379
Today
PDAPC1 Support Documentation
PDAPC1Siディテクタ、利得切替可、組み込み用回路基板タイプ、350～1100 nm、12 MHz BW、13 mm²
￥15,415
Today
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電源とケーブルのセット、PDAPCシリーズフォトディテクタ用

LD3000R SmartPack Packaging
Click to Enlarge
付属ケーブルのピン配列
Pin #Assignment
1+12 V
2GND
3-12 V
  • PDAPCシリーズフォトディテクタ用の電源(型番LDS12B)とケーブルのセット
  • 付属の3ピンケーブルはディテクタボード上のJ2ジャンパとの接続用
  • 出力：±12 VDC
  • AC入力電圧は切り替え可能(100/120/230 V)

LD1255用電源セットには、電源LDS12Bと、PDAPCシリーズフォトディテクタ(上記参照)に接続するためのケーブルが含まれています。電源筐体のスイッチによりAC入力電圧を100 V、120 V、230 Vから選択できます。付属のケーブルを用いて電源からフォトディテクタに±12 VDCを供給することができます。このケーブルは単体でのご注文も可能ですので、その際は当社までご連絡ください。

+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
LD1255-SUPPLY Support Documentation
LD1255-SUPPLY電源LDS12Bとケーブルのセット、ドライバLD1255RとPDAPCシリーズフォトディテクタ用
￥18,640
3 weeks
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同軸ケーブル、MMCXコネクタ付き

  • PDAPCシリーズフォトディテクタの出力用ケーブル(オプション)
  • MMCXオスとBNCまたはSMAオスコネクタ付き
  • 周波数範囲:DC～6 GHz
  • インピーダンス：50 Ω
  • 最大動作電圧：170 V

こちらのケーブルは、上記のフォトディテクタのMMCX出力をBNCまたはSMAオスコネクタに変換します。ケーブルCA3339(長さ1 m)およびCA3272(長さ1.8 m)にはBNCオスコネクタ、CA3439(長さ1 m)にはSMAオスコネクタが付いています。

+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
CA3339 Support Documentation
CA3339Customer Inspired! RG-174同軸ケーブル、MMCXオス-BNCオス、1 m
￥3,685
Today
CA3272 Support Documentation
CA3272RG-174同軸ケーブル、MMCXオス-BNCオス、1.8 m
￥4,362
Today
CA3439 Support Documentation
CA3439Customer Inspired! RG-174同軸ケーブル、MMCXオス-SMAオス、1 m
￥4,211
Today
Additional Si増幅ディテクター
  • Si増幅フォトディテクタ
    自由空間型

  • Si増幅フォトディテクタ自由空間型、組込み用途向け

  • Si増幅フォトディテクタ
    ファイバ結合型

  • Siアバランシェフォトディテクタ、自由空間型

  • Siアバランシェフォトディテクタ、ファイバ結合型

  • スペクトル特性平坦化フィルタ、Siディテクタ用