アカウント作成  |   ログイン

View All »Matching Part Numbers


カートは空です
         

フォトダイオード(PD)


  • GaP, Si, InGaAs, Ge, and Dual Band (Si/InGaAs) Detectors Available
  • Available in TO Can, FC Connector, and Flat Wafer Body Styles
  • Available in Hermetically Sealed Packages

DSD2

FDS10X10

FDG05

FGAP71

FGA01

FGA01FC

FDG03

FGA21

Front

Back

Related Items


Please Wait
Mounted and Unmounted Detectors
Unmounted Photodiodes (150 - 2600 nm)
Calibrated Photodiodes (350 - 1800 nm)
Mounted Photodiodes (150 - 1800 nm)
Thermopile Detectors (0.2 - 15 µm)
Photoconductors (1 - 4.8 µm)
Photovoltaic Detectors (2.0 - 10.6 µm)
Pigtailed Photodiodes (320 - 1000 nm)

特長

  • GaP、Si、InGaAs、Ge、デュアルバンド(Si/InGaAs)のディテクタをご用意
  • 波長範囲:150~2600 nm

当社では、さまざまな受光面サイズやパッケージのPIN接合型フォトダイオード(PD)を標準品として取り揃えています。PIN接合型フォトダイオードのラインナップにはインジウムガリウムヒ素(InGaAs)ガリウムリン(GaP)シリコン(Si)が含まれます。また、N-on-P構造のゲルマニウム(Ge)もございます。

これらの中で最も高速なフォトダイオードはSiフォトダイオードのFDS015、FDS02、FDS025です。SiフォトダイオードFDS015は立ち上がり時間が35 ps、接合静電容量が0.65 pFで、下記でご紹介している中で最も高速かつ最も低い静電容量のフォトダイオードです。また、SiフォトダイオードFD11Aの暗電流は2 pAで、当社のフォトダイオードの中で最も小さいものになっております。GaPフォトダイオードFGAP71は、150 nm~550 nmのUV光の検出に有用です。FD10DならびにFD05Dは900~2600 nmで感度が高いInGaAsフォトダイオードで、一般的なInGaAsフォトダイオードの長波長側感度域が~1800 nmであるのに対し、より長波長側まで伸びています。DSD2はデュアルバンドフォトダイオードで、2つのフォトディテクタが重ねられており(InGaAS基板の上にSi基板)、波長範囲は2つの組み合わせにより400~1700 nmです。 

フォトダイオード製品のラインナップに加えて、マウント付きフォトダイオードと豊富な種類のフォトダイオード用ソケットもご用意しております。なお下記のフォトダイオードは校正されていませんのでご注意ください。そのため製造ロットによって感度が若干異なる場合があります。詳細は「感度の変動」のタブをご参照ください。当社では感度のばらつきを補正した、NISTトレーサブルな校正済みフォトダイオードもご用意しております。 当社の多くのフォトダイオードは、DCバイアスモジュールPBM42で逆バイアス電圧をかけることができ、光パワーのより高速かつより高感度での検出が可能です。

フォトダイオードの飽和限界、ノイズフロア、受光面の均一性(または感度のばらつき)、暗電流の温度依存特性などに関して、当社が実施した実験の結果を「実験データ」タブでご覧いただくことができます。また、そちらのタブでは当社のフォトダイオードの仕様を決める際に用いる理論や方法の概要についても述べています。例えば「ノイズ等価電力(NEP)の温度依存特性」では、NEPの値がショットノイズと熱ノイズによって定義される背景が書かれています。ゼロバイアス(光起電力モード)においては、NEPはフォトダイオードのシャント抵抗によって生じる熱ノイズのみで決定されます。一方、「フォトダイオードチュートリアル」タブでは、フォトダイオードの動作、関連用語そして理論など一般的な情報がご覧いただけます。

なお、受光面のエッジ部分の不均一性により不要な静電容量や抵抗が発生し、フォトダイオードの時間領域での応答を歪ませる場合があります。このような現象を防ぐために、光はフォトダイオードの受光面の中心に入射することをお勧めしています。これはディテクタの前に集光レンズピンホールを配置することで実現できます。

当社では、Siフォトダイオードの応答の一様性を向上させることができるスペクトル特性平坦化フィルタもご用意しております。詳細はこちらのページをご覧ください。

個別のフォトダイオードの感度特性はロットごとに異なります。 したがって、お届けしたフォトダイオードの感度特性は下記掲載の値とわずかに異なる場合がございます。 例えば右のグラフは、フォトダイオードFDS1010の感度特性が変動する範囲を示しています。 このデータは104個のフォトダイオードから収集したものです。 各データポイントにおいて感度特性の最大値、平均値、および最小値を計算し、プロットしています。

個別のフォトダイオードの、典型的な分光感度特性は、下記の製品仕様表内のInfo ボタンをクリックするとご覧いただけます。

フォトダイオードのチュートリアル

動作原理

接合型フォトダイオードは、通常の信号ダイオードと似た動作をする部品ですが、接合半導体の空乏層が光を吸収すると、光電流を生成する性質があります。 フォトダイオードは、高速なリニアデバイスで、高量子効率を達成し、様々な異なる用途で利用することが可能です。

入射光の強度に応じた、出力電流レベルと受光感度を正確に把握することが必要とされます。 図1は、接合型フォトダイオードのモデル図で、基本的な部品が個別に図示されており、フォトダイオードの動作原理が説明されています。

 

Equation 1
Photodiode Circuit Diagram
図1: フォトダイオードの概略図

フォトダイオード関連用語

受光感度
フォトダイオードの受光感度は、規定の波長における、生成光電流 (IPD)と入射光パワー(P)の比であると定義できます:

Equation 2

動作モード(Photoconductive vs. Photovoltaic)
フォトダイオードは、Photoconductiveモード(逆バイアス) またはPhotovoltaicモード(ゼロバイアス)で動作できます。 モードの選択は、使用用途で求められる速度と、許容される暗電流(漏れ電流)の量で決まります。

Photoconductive
Photoconductiveモードでは、逆バイアスが印加されますが、これが当社のDETシリーズディテクタの基本です。 回路で測定できる電流量は、デバイスが曝される光の量に対応し、測定される出力電流は、入射される光パワーに対し直線的に比例します。 逆バイアスを印加すると、空乏層を広げて反応領域が広くなる一方で、接合静電容量が小さくなり、明瞭な線形応答が得られます。 このような動作条件下では、暗電流が大きくなりがちですが、フォトダイオードの種類によって、暗電流を低減することもできます。
(注: 当社のDETディテクタは逆バイアスで、順方向バイアスでは動作できません)

Photovoltaic
Photovoltaicモードでは、フォトダイオードはゼロバイアス状態です。 デバイスからの電流が制限され、電位が蓄積されていきます。 このモードでは光電池効果が引き出されますが、これが太陽電池の基本です。 光電池モードでは、暗電流量は最小限に抑制されます。

暗電流
フォトダイオードにバイアス電圧が付加されている時に流れる漏れ電流のこと。 Photoconductiveモードで使用する場合に暗電流の値は高くなりがちで、温度の影響で変動します。 暗電流は、温度が10°C上昇するたびに約2倍となり、シャント抵抗は6°C の上昇に伴い倍になります。 高いバイアスを付加すれば、接合静電容量は減少しますが、暗電流の量は増大してしまいます。

暗電流の量はフォトダイオードの材料や検出部の寸法によっても左右されます。ゲルマニウム製のデバイスでは暗電流は高くなり、それと比較するとシリコン製のデバイスは一般的には低い暗電流となります。下表では、いくつかのフォトダイオードに使用される材料の暗電流の量と共に、速度、感度とコストを比較しています。

MaterialDark CurrentSpeedSpectral RangeCost
Silicon (Si)LowHigh SpeedVisible to NIRLow
Germanium (Ge)HighLow SpeedNIRLow
Gallium Phosphide (GaP)LowHigh SpeedUV to VisibleModerate
Indium Gallium Arsenide (InGaAs)LowHigh SpeedNIRModerate
Indium Arsenide Antimonide (InAsSb)HighLow SpeedNIR to MIRHigh
Extended Range Indium Gallium Arsenide (InGaAs)HighHigh SpeedNIRHigh
Mercury Cadmium Telluride (MCT, HgCdTe)HighLow SpeedNIR to MIRHigh

接合静電容量
接合静電容量(Cj)は、フォトダイオードの帯域幅と応答特性に大きな影響を与えるので、フォトダイオードの重要な特性であると言えます。 ダイオード部分が大きいと、接合容量が大きくなり、電荷容量は大きくなります。 逆バイアスの用途では、接合部の空乏層が大きくなるので、接合静電容量が低減し、応答速度が速くなります。

帯域幅と応答性
負荷抵抗とフォトディテクタの接合静電容量により帯域幅が制限されます。 最善の周波数応答を得るには、50Ωの終端装置を50Ωの同軸ケーブルと併用します。 接合静電容量(Cj)と負荷抵抗値(RLOAD)を用いて、帯域幅(fBW)と立ち上がり時間応答(tr)の概算値が得られます:

Equation 3

 

ノイズ等価電力
ノイズ等価電力(NEP)とは、信号対雑音比が1であるときに生成されるRMS信号電圧の値です。NEPによって、ディテクタが低レベルの光を検知する能力を知ることができるので、この数値は便利です。一般には、NEPはディテクタの検出部の面積増加に伴って大きくなり、下記の数式で求めることができます:

Photoconductor NEP

この数式において、S/Nは信号対雑音比、Δf はノイズの帯域幅で、入射エネルギ単位はW/cm2となっています。詳細は、当社のホワイトペーパ「NEP – Noise Equivalent Power」をご参照ください。

終端抵抗
負荷抵抗は、オシロスコープでの測定を可能にするために、生成された光電流を電圧(VOUT)へ変換して用いられます:

Equation 4

フォトダイオードの種類によっては、負荷抵抗が応答速度に影響を与える場合があります。 最大帯域幅を得るには、50Ωの同軸ケーブルを使用して、ケーブルの反対側の終端部で50Ωの終端抵抗器の使用を推奨しています。 このようにすることで、ケーブルの特性インピーダンスとマッチングできて共鳴が最小化できます。 帯域幅が重要ではない特性の場合は、RLOADを増大させることで、所定の光レベルに対して電圧を増大させることができます。 終端部が不整合の場合、同軸ケーブルの長さが応答特性に対して大きな影響を与えます。したがってケーブルはできるだけ短くしておくことが推奨されます。

シャント抵抗
シャント抵抗は、ゼロバイアスフォトダイオード接合の抵抗を表します。 理想的なフォトダイオードでは、シャント抵抗は無限大となりますが、実際の数値はフォトダイオードの材料の種類によって、10Ωのレベルから数千MΩの範囲となる場合があります。 例えばInGaAsディテクタのシャント抵抗は、10MΩのレベルですが、GeディテクタはkΩのレベルです。 このことは、フォトダイオードの電流雑音に大きく影響を与える可能性があります。 しかしながらほとんどの用途では、このような高抵抗値の影響は小さく、無視できる程度です。

直列抵抗
直列抵抗は半導体材料の抵抗値で、この低い抵抗値は、通常は無視できる程度です。 直列抵抗は、フォトダイオードの接触端子とワイヤの接合部で発生し、主にゼロバイアスの条件下でのフォトダイオードの直線性の評価に用いられます。

一般的な動作回路

Reverse Biased DET Circuit
図2: 逆バイアス回路(DETシリーズディテクタ)

上図の回路はDETシリーズのディテクタをモデル化したものです。 ディテクタは、適用される入射光に対して線形の応答を生成するために逆バイアス状態になっています。 ここで生成された光電流の量は、入射光に依存し、負荷抵抗を出力端子に接続すると、波形をオシロスコープで確認することができます。 RCフィルタの機能は、出力に雑音を載せてしまう可能性のある供給電力からの高周波雑音のフィルタリングです。

Amplified Detector Circuit
図3: 増幅ディテクタ回路

高利得用途でアンプとともにフォトディテクタを使用できます。動作時には、PhotovoltaicまたはPhotoconductiveモードのいずれも選択可能です。この能動回路はいくつかの利点があります:

  • Photovoltaicモード:オペアンプで、点Aと点Bの電位が同じに維持されているので、フォトダイオードでは回路全体ではゼロボルトに保たれています。このことで暗電流は発生しなくなります。
  • Photoconductiveモード: フォトダイオードは逆バイアス状態であるので、接合静電容量を低下させながら帯域幅の状態を改善します。 ディテクタの利得は、フィードバック素子(Rf)に依存します。 ディテクタの帯域幅は、下記の数式で計算することができます:

Equation 5

GBPは利得帯域幅積であり、接合静電容量CDは増幅器静電容量と利得静電容量との和です。

チョッパ入力周波数の影響

光導電体は時定数以内では一定の応答となりますが、PbS、 PbSe、HgCdTe (MCT)、InAsSbなどのディテクタにおいては、1/fゆらぎ(チョッパ入力周波数が大きいほどゆらぎは小さくなる)を持つため、低い周波数の入力の場合は影響が大きくなります。

低いチョッパ入力周波数の場合は、ディテクタの受光感度は小さくなります。周波数応答や検出性能は下記の条件の場合において最大となります。

Photoconductor Chopper Equation

概要
こちらのタブでは当社が提供するフォトダイオードの性能に関して実施した実験をまとめています。それぞれのセクションは独立した実験について記載しており、下の各ボックスをクリックするとご覧いただけます。「フォトダイオードの飽和限界とノイズフロア」では、温度、抵抗率、逆バイアス電圧、応答特性、システムの帯域幅などがフォトダイオードの出力ノイズに与える影響を調べています。「感度均一性」では、小さなビーム径の光でフォトダイオードの受光面を走査し、それによって感度がどのように変化するかを調べています。異なる材料のフォトダイオードに対する試験のほか、8台のSiベースの同一モデルに対する試験を行ってユニットごとのバラツキも調べています。「暗電流の温度特性」および「雑音等価電力(NEP)の温度特性」では、それぞれ暗電流またはNEPが温度によってどのように変化するか、そしてそれが測定結果にどのような影響を与えるかを記述しています。「ビームサイズとフォトダイオードの飽和」では、フォトダイオードの飽和点が入射光のビームサイズによってどのように変化するかを示し、それらの結果を説明するために複数の理論モデルについて調べています。「入射光パワーに対する有効逆バイアス電圧特性 」では、入射光パワーに対するフォトダイオードの電子回路の有効逆バイアス電圧の変化を調べ、変化を予想するために信頼できるモデルを検証しました。

About Our Lab Facts
Our application engineers live the experience of our customers by conducting experiments in Alex’s personal lab. Here, they gain a greater understanding of our products’ performance across a range of application spaces. Their results can be found throughout our website on associated product pages in Lab Facts tabs. Experiments are used to compare performance with theory and look at the benefits and drawbacks of using similar products in unique setups, in an attempt to understand the intricacies and practical limitations of our products. In all cases, the theory, procedure, and results are provided to assist with your buying decisions.

パルスレーザ:パワーとエネルギーの計算

パルスレーザからの放射光が、使用するデバイスや用途に適合するかどうかを判断する上で、レーザの製造元から提供されていないパラメータを参照しなければならない場合があります。このような場合、一般には入手可能な情報から必要なパラメータを算出することが可能です。次のような場合を含めて、必要な結果を得るには、ピークパルスパワー、平均パワー、パルスエネルギ、その他の関連するパラメータを必要とすることがあります。

  • 生物試料を損傷させないように保護する
  • フォトディテクタなどのセンサにダメージを与えることなくパルスレーザ光を測定する
  • 物質内で蛍光や非線形効果を得るために励起を行う

パルスレーザ光のパラメータは下の図1および表に示します。参照用として、計算式の一覧を以下に示します。資料を ダウンロードしていただくと、これらの計算式のほかに、パルスレーザ光の概要、異なるパラメータ間の関係性、および計算式の適用例がご覧いただけます。

 

計算式

周期と繰り返し周波数は逆数の関係:   and 
平均パワーから算出するパルスエネルギ:      
パルスエネルギーから算出する平均パワー:       
パルスエネルギーから概算するピークパルスパワー:           

平均パワーから算出するピークパワー、ピークパワーから算出する平均パワー :
 and
平均パワーおよびデューティーサイクルから算出するピークパワー*:
*デューティーサイクル() はレーザのパルス光が放射されている時間の割合です。
Pulsed Laser Emission Parameters
Click to Enlarge

図1: パルスレーザ光の特性を記述するためのパラメータを、上のグラフと下の表に示します。パルスエネルギ (E)は、パルス曲線の下側の黄色の領域の面積に対応します。このパルスエネルギは斜線で表された領域の面積とも一致します。

パラメータシンボル単位説明
パルスエネルギEジュール[J]レーザの1周期中に放射される1パルスの全放射エネルギ。
パルスエネルギはグラフの黄色の領域の面積に等しく、
これは斜線部分の面積とも一致します。
周期Δt 秒 [s] 1つのパルスの開始から次のパルスの開始までの時間
平均パワーPavgワット[W]パルスとして放射されたエネルギが、1周期にわたって
均一に広がっていたと仮定したときの、
光パワーの大きさ(光パワー軸上の高さ)
瞬時パワーPワット[W]特定の時点における光パワー
ピークパワーPpeakワット [W]レーザから出力される最大の瞬時パワー
パルス幅秒 [s]パルスの開始から終了までの時間。一般的にはパルス形状の
半値全幅(FWHM)を基準にしています。
パルス持続時間とも呼ばれます。
繰り返し周波数 frepヘルツ [Hz]パルス光が放射される頻度を周波数で表示した量。
周期とは逆数の関係です。

計算例

下記のパルスレーザ光を測定するのに、最大入力ピークパワーが75 mW 
のディテクタを使用するのは安全かどうかを計算してみます。

  • 平均パワー: 1 mW
  • 繰り返し周波数: 85 MHz
  • パルス幅: 10 fs

1パルスあたりのエネルギは、

と低いようですが、ピークパワーは、

となります。このピークパワーはディテクタの
最大入力ピークパワーよりも5桁ほど大きく、
従って、上記のパルスレーザ光を測定するのに
このディテクタを使用するのは安全ではありません


Posted Comments:
Scott Hunter  (posted 2019-11-12 13:07:10.057)
Hello, I am considering this product in my design. Can you please let me know where I can get more detailed information on this product such as performance specifications with 0V bias? Thank you!
YLohia  (posted 2019-11-12 02:34:33.0)
Hello, thank you for contacting Thorlabs. The Dark Current and Capacitance values are given at various bias levels, and can be accessed by clicking on the blue "info" icon in the specs table.
dayana A  (posted 2019-10-24 19:25:00.727)
Please share the Maximum Forward Current of FGA01FC
YLohia  (posted 2019-10-24 10:44:04.0)
The maximum forward current of the FGA01FC is 5 mA.
Tariq Shamim Khwaja  (posted 2019-10-08 13:55:26.557)
What is the maximum input power density (damage threshold) for Ge-photodiodes? FDG10X10
asundararaj  (posted 2019-10-09 10:43:06.0)
Thank you for contacting Thorlabs. We do not have estimate on the damage threshold for the photodiodes. We typically recommend keeping the output current to be <10mA to avoid the internal wire in the FDG10x10 from failing. You can estimate the output current for your input power and wavelength from the responsivity graph on the 2nd page of the spec sheet at https://www.thorlabs.com/_sd.cfm?fileName=TTN126580-S01.pdf&partNumber=FDG10X10
user  (posted 2019-08-02 09:08:10.89)
What is the series resistance of the photodidoe FDS015 and FDS025? The reason behind this is the impedance matching between the output impedance of the photodiode and the input impedance of a transimpedance amplifier.
YLohia  (posted 2019-08-16 02:34:12.0)
Hello, thank you for contacting Thorlabs. The series resistance for both of these is on the order of 50 - 100 Ohm typically.
Andrey Kuznetsov  (posted 2019-07-13 17:22:48.15)
Some of these photodiodes look like a Hamamatsu product, Hamamatsu distinguishes some products as Si Photodiode and others as Si PIN Photodiode. Hamamatsu's offerings for InGaAs is exclusively for InGaAs PIN Photodiodes. Thorlabs does not distinguish photodiodes as whether they are PN or PIN. Can you explain what the effect on the specifications will be if a PIN photodiode is used in a zero bias photovoltaic mode? None of Thorlab's InGaAs are listed as PIN, and I was unable to find any vendor that sells a non-PINed InGaAs photodiode, so Thorlabs must be selling PINed photodiodes. Shouldn't PINed photodiodes be biased for they to work as specified, or will they still work fine like a regular photodiode, just slower rise/fall time and lower dark current than listed? What about saturation limit?
asundararaj  (posted 2019-07-19 04:57:52.0)
Without a bias voltage, the photodiode will have a much larger capacitance which leads to slower rise/fall time. Dark current spec however will not be listed under a Photovoltaic mode, because by definition of dark current, it requires a bias voltage (hence, this is sometimes specified under a very small voltage, e.g.10mV). The NEP in the photovoltaic mode would normally only accounts the noise from the shunt resistance. So it will be different as well. Our NEP spec accounts both of the Johnson noise from the shunt resistance and the shot noise from the dark current. As for the saturation power, it would decrease at 0 V Bias. (https://www.thorlabs.com/newgrouppage9.cfm?objectgroup_id=10741) Other parameters that we do not specify can also change with and without a Bias Voltage. For instance, adding a Bias Voltage would theoritically improve linearity. Another parameter that would change is the responsivity at various wavelengths. The amount of variance would vary from diode to diode. The InGaAs detectors that we carry are all PIN diodes. Some of our Si diodes are also PIN diodes. At higher wavelengths, the penetration depth is much larger so adding the intrinsic layer to the diode improves the diodes performance. However, in that case these photocurrents would be from diffusion and hence, its speed is much slower.
user  (posted 2019-05-21 09:07:54.173)
Hi, I would like to use FDS100 Photo diode for Data communication application. I would like to know the Pixel Size and format of FDS 100. Please share the same at the earliest possible. Regards
YLohia  (posted 2019-05-21 08:44:32.0)
Hello, the FDS100 is a silicon photodiode (not a CCD/CMOS camera), and thus, does not have a pixel size or format. That being said, it has an active area of 3.6 mm x 3.6 mm. If you are interested in cameras, please see our selection here : https://www.thorlabs.com/navigation.cfm?guide_id=2025.
user  (posted 2018-10-28 13:49:13.483)
Sorry,the last question I asked was sensitivity map, not responsivity plots, I still cannot find out what is the sensitivity range(in dBm).
YLohia  (posted 2018-12-27 03:59:01.0)
Hello, thank you for the clarification. This information can be found in our "Lab Facts" tab above, under "Photodiode Spatial Uniformity".
user  (posted 2018-10-25 22:01:07.26)
Hello! I want to know what is the sensitivity map of this photodiode?or what factor can take place of sensitivity?
YLohia  (posted 2018-10-26 08:57:44.0)
The responsivity plots can be found on the spec sheet or by clicking the blue "info" icon on the table.
dylan  (posted 2018-09-05 14:10:05.543)
Hi, is the pinout diagram for FGA01 viewed from the bottom? The pinout for FGA01FC explicitly states the view is from the bottom, and I believe the photodiodes are identical, but I need confirmation that this is the case. Kindest regards,
nbayconich  (posted 2018-09-06 03:12:42.0)
Thank you for contacting Thorlabs. Yes that is correct, both of these photodiodes have identical pin configurations. Our pin configurations will typically show a bottom view of the photodiode housing.
donyakhaledyan  (posted 2018-07-16 03:49:37.237)
hello I have a question and the answer of my question is so necessary so thank you so much if you help me. for these detectorsfds10x10&fds1010)What is the proper interface?
YLohia  (posted 2018-07-23 04:44:41.0)
Hello, thank you for contacting Thorlabs. I'm not sure I understand what you mean by "what is the proper interface?". Are you asking if these detectors are fiber coupled? If you're asking about the packaging type (e.g., TO-5, etc.), unfortunately, the FDS10X10 and FDS1010 don't have a standard. I have reached out to you directly to discuss this further.
lebouquj  (posted 2018-04-19 16:33:12.957)
Hi, Do you sell the fiber bulkhead of FGA01FC alone (without the diode). I cannot find it in your website. Thanks, Jean-Baptiste
YLohia  (posted 2018-04-20 10:56:39.0)
Hello Jean-Baptiste, thank you for contacting Thorlabs. I will reach out to you directly to discuss the possibility of offering this.
user  (posted 2017-07-17 15:09:46.207)
I am seeing ~10x increase in responsivity for FDS010 with a reverse biased circuit like you have in your tutorial in Fig. 2. I am using 12VDC, with 1k resistor in filter, and 10k load resistor. Is this expected, or am I doing something wrong.
tfrisch  (posted 2017-08-09 05:35:48.0)
Hello, thank you for contacting Thorlabs. While I would not expect the responsivity to change with bias voltage, increasing the bias will increase the range over which the diode will have linear response between input power and output current before saturating. If you would like to discuss this application further, please reach out to us at TechSupport@Thorlabs.com.
marty.lawson  (posted 2017-02-01 12:49:31.84)
How large of a fiber optic core can the the FDS02 photo-diode be used with before coupling efficiency drops?
tfrisch  (posted 2017-02-16 02:14:08.0)
Hello, thank you for contacting Thorlabs. While the active area is 250um in diameter, the largest fiber we have that is smaller than that would be a 200um core. The FDS02 does not include a ball lens between the fiber and the detector. I will reach out to you with more details.
faryads  (posted 2016-03-22 21:36:37.053)
Hi, is the FGA01FC a multi-quantum-well structure photodiode?
besembeson  (posted 2016-03-25 12:26:10.0)
Response from Bweh at Thorlabs USA: The FGA01FC is not a multi-quantum-well structure. This is simply a doped InGaAs material to create a P-N junction for charge transfer when illuminated by light of suitable wavelength. Quantum wells on the other hand are heterostructure made by joining materials, in layers at the atomic level, which typically leads to an emission.
akpabioubongabasi  (posted 2016-02-29 14:16:38.723)
Please I need a Photodector with wide sensing area, a wavelength of 650nm and which comes with an SMA Connector
besembeson  (posted 2016-03-09 12:16:53.0)
Response from Bweh at Thorlabs USA: The SM05PD1A (Large Area Mounted Silicon Photodiode, 350-1100 nm, Cathode Grounded) could be a suitable recommendation. Others can be found at the following link on our website: https://www.thorlabs.com/newgrouppage9.cfm?objectgroup_id=1285
user  (posted 2015-10-16 14:16:32.147)
What is the series and shunt resistance of FDS100?
besembeson  (posted 2015-10-27 04:54:33.0)
Response from Bweh at Thorlabs USA: We don't have the exact values from the manufacturer of the photodiode but the shunt resistance should be in the Giga Ohm range while the series resistance should be extremely low that it can be negligible.
ehrler  (posted 2015-09-24 03:41:03.583)
Do you offer calibration for the DSD2 photodiode? Thanks!
besembeson  (posted 2015-10-08 12:06:35.0)
Response from Bweh at Thorlabs USA: This is not possible for the DSD2. There is a limitation to the minimum detector size for us to do such calibration, which is 2mm minimum. The InGaAs sensor is only about 1.5mm.
jarkko.piirto  (posted 2015-03-24 10:27:03.187)
I would need a photodiode set up with specific mount (3pcs) for picosecond laser alignment. Focused spot size (1/e2) is <100µm. Succesfull guidance will mean purchase..
jlow  (posted 2015-03-24 04:42:43.0)
Response from Jeremy at Thorlabs: We will need more information on your application first. We will contact you directly about this.
aklossek  (posted 2014-05-09 07:48:19.477)
Dear ladies and gentlemen, I am looking for a Si photodiode for a stimulated raman microscope, where the modulation of a ps-laser beam must be detected. The diode has to work in MHz range, quite large active area and must be sensitive between 800 and 1000nm. Up to now I thought about the DET100A. But now I have doubts that it will saturate to fast. Can you suggest another diode, which saturates at high powers to detect the laser beam. Best regards André Klossek
jlow  (posted 2014-05-13 08:43:47.0)
Response from Jeremy at Thorlabs: I will contact you directly to get more information on your application and make a recommendation.
tanzwei  (posted 2013-05-05 06:39:49.27)
Could you like to tell me the damage threshold of FGA10 ?
jlow  (posted 2013-05-09 11:19:00.0)
Response from Jeremy at Thorlabs: I would recommend keeping the output current to be <10mA to avoid the internal wire in the FGA10 from failing. You can estimate the output current for your input power and wavelength from the responsivity graph on the 2nd page of the spec sheet at http://www.thorlabs.com/Thorcat/2200/FGA10-SpecSheet.pdf.
jlow  (posted 2012-10-24 16:14:00.0)
Response from Jeremy at Thorlabs: There's a ball lens covering the chip and it is not AR coated.
t.schmoll  (posted 2012-10-18 13:30:14.92)
Is there a window or a ball lens covering the chip? Is the window or ball lens AR coated? If so, for which wavelength is it optimized? Thank you! Tilman
jlow  (posted 2012-09-05 09:15:00.0)
Response from Jeremy at Thorlabs: I will get in contact with you directly to discuss about your application.
kkkdane  (posted 2012-09-03 10:17:41.0)
Hi, I’m a researcher in South of Korea Recently, I am developed infrared moisture detector. And I used LED and PD that is your product. I have a question. What is the question PD, LD(laser diode) and LED that use infrared moisture detector or infrared moisture analyzer? Recently, What other companies use the LED, PD that used the water detector of Commercial products? And what is commercial product? And, If you will give a detailed information about the LED, PD. I appreciate your help.
jlow  (posted 2012-08-23 16:31:00.0)
Response from Jeremy at Thorlabs: The junction capacitance between 4V and 5V is pretty much flat. Unfortunately we do not have any data on the capacitance and fall time specs beyond 5V.
Mathias.Helsen  (posted 2012-08-22 06:14:07.0)
I would like to use this diode as a detector for microwave modulated light, but the fall time at 5V is too high. How much doe the capacitance and fall time change when the bias voltage is increased?
jlow  (posted 2012-08-17 11:16:00.0)
Response from Jeremy at Thorlabs: We are not able to disclose the thicknesses for the PIN layers.
cardoza.david  (posted 2012-08-17 09:50:00.0)
Is there a way to get find out the thickness of the p, i and n regions of the FDS010 diodes? Thank you.
jlow  (posted 2012-08-16 13:42:00.0)
Response from Jeremy at Thorlabs: I will get in contact with you directly for the Excel spreadsheet. Please note that the spectral responsivity of your photodiode can be quite different than what is shown online. One alternative to using the FDS100 is the FDS100-CAL (http://www.thorlabs.com/NewGroupPage9.cfm?ObjectGroup_ID=2822&pn=FDS100-CAL) which is the NIST calibrated version of the FDS100.
brian.cox  (posted 2012-08-16 12:13:51.0)
Is the raw spectral responsivity data for the FDS100 available in an Excel spreadsheet? I'd like to get a more exact A/W value for my specific wavelengths of interest. Thanks!
tcohen  (posted 2012-03-22 14:27:00.0)
Response from Tim at Thorlabs: Thank you for your feedback. If the window is removed the diode can be easily damaged and absorb water from the atmosphere. This will be detrimental to the performance of the FGA10. If the window is removed we recommend storing it in an N2 dry box.
frank  (posted 2012-03-22 13:31:41.0)
Can you tell me if the performance of the FGA10 will degrade if its window is removed?
bdada  (posted 2012-03-16 12:33:00.0)
Response from Buki at Thorlabs: Thank you for your suggestion. We will work on adding dark current vs bias voltage charts to our website.
user  (posted 2012-03-15 19:02:40.0)
Please consider adding a plot that shows the dark current as a function of bias voltage.
bdada  (posted 2012-01-31 23:43:00.0)
Response from Buki at Thorlabs: The temperature does have a slight effect on the responsivity, but mostly in near the bandgap region. We have sent you some typical curves to review.
ale.cere  (posted 2012-01-30 12:27:49.0)
I am currently working with a FDG05 and I notice that the efficiency changes with temperature, as indicated also in the datasheet. Is it available any data regarding the expected change in responsivity as funcion of temperature?
jjurado  (posted 2011-07-07 09:57:00.0)
Response from Javier at Thorlabs to jasiel.mora: Thank you very much for contacting us! We actually show a recommended circuit diagram for our photodiodes on their spec sheets. Take a look at the spec sheet for the FDG03 here: http://www.thorlabs.com/Thorcat/13800/13846-S01.pdf I will contact you directly in case you have any further questions.
jasiel.mora  (posted 2011-07-06 16:42:48.0)
Could you please sugest any connection diagram for the sensor FDG03? Thanks.
jjurado  (posted 2011-04-20 12:09:00.0)
Response from Javier at Thorlabs to last poster: Thank you very much for contacting us. The shunt resistance of the FDS1010 photodiode is in the range of 50-200 MOhm (@ 10 mV reverse bias). Also, we have added a graph of the maximum, average, and minimum responsivity values for the FDS1010 (See Responsivity Graphs tab). Please contact us at techsupport@thorlabs.com if you have any further questions or comments.
user  (posted 2011-04-20 13:08:43.0)
What is the shunt resistance of FDS1010? Its not in the specs. A typ. and min. responsivity value would be useful as well.
julien  (posted 2011-01-18 16:08:51.0)
A response from Julien at Thorlabs: The FGA04 can only be calibrated at a predefined fixed wavelength by using a fiber coupled laser source. A calibration over the whole wavelength range of this photodiode is unfortunately not possible due to its small active area. Such a calibration would be made in free space using a monochromator, whose output beam diameter is about 1.5mm. Such a beam would largely overfill the active sensor area, and thus make the calibration highly inaccurate. You can contact our tech support (techsupport@thorlabs.com) to further discuss which solutions could be adapted to your need
user  (posted 2011-01-18 17:46:35.0)
why a NIST-traceable calibration is not possible for FGA04? Im looking for a fiber-coupled detector that is provided with calibration.
kleap  (posted 2010-10-28 13:45:47.0)
Our FDG05 are failing roughly 3 months of use. What is the expected life of these detectors? We are exposing indirect UV light around 5W/cm2 of intensity to the LADs. Could this be of a concern?
Thorlabs  (posted 2010-10-28 15:01:31.0)
Response from Javier at Thorlabs to kleap: at 5 W/cm^2, the detector will most likely be saturated; however, we specify a damage threshold of 10 W/cm^2 for the FDG05, so I do not expect excessive power to be the reason for failure. Also, we do not have a lifetime spec, since there are too many factors involved. I will contact you directly to troubleshoot your application.
Thorlabs  (posted 2010-07-23 14:06:31.0)
Response from Javier at Thorlabs to ranutyagi: Thank you for your feedback. With an input of 10 mW, you will most likely end up damaging your photodiodes. As a guideline, we specify a maximum input power density of 100 mW/cm^2. So, for example, if we assume that you have a 10 mW, 2 mm diameter beam at the input, the resulting power density is ~333mW/cm^2, which clearly exceeds the damage threshold. For linear operation of the photodiode, we recommend limiting the input to ~ 1 mW. Above this value, the diode undergoes saturation and, eventually, damage.
ranutyagi  (posted 2010-07-23 07:03:58.0)
I am using FDS100 and FDS010 with CW 10mW peak power laser diode. will it be damaging my photodiode? How much is the maximum input power these diodes can sustain.
Adam  (posted 2010-04-29 16:58:35.0)
A response from Adam at Thorlabs to marcoc: Saturation occurs for these diodes at approximately 10mW. We would suggest using these diodes with peak and average powers that are less than 10mW if you want to avoid saturation.
marcoc  (posted 2010-04-29 16:51:34.0)
Any idea about the saturation for pulsed (50fs) laser beam at 800 nm ? thanks marco
apalmentieri  (posted 2010-01-14 15:34:33.0)
A response from Adam at Thorlabs to Curtis: The operating and storage temperature ranges for the FDS100 are the following: -25 to +85 deg C operating, -40 to +100 deg C storage.
curtis.m.ihlefeld  (posted 2010-01-14 15:12:09.0)
Dear Sirs, I have several FDS100 photodiodes and would like to know the allowable temperature ranges for operation and storage. Regards, Curtis Ihlefeld
danhickstein  (posted 2009-08-07 14:16:56.0)
Dear Thorlabs, It would be nice to have the wavelength response for the FDS02 plotted on the Graphs page. I found the graph on the spec sheet, but it would be nice to see it plotted on the same graph as the rest of the FDS series. Regards, Dan
Tyler  (posted 2009-02-02 09:25:34.0)
A response from Tyler at Thorlabs to ocarlsson: The FGA04 spec sheet available under the Drawings and Documents tab lists the max forward current as 10 mA and the damage threshold at 70 mW. The damage threshold is the point at which the photodiode sensor will fail, however, internal wires in the FGA04 package will fail when the forward current exceeds 10 mA. Use the responsivity curve in the spec sheet to approximate the forward current for a given wavelength or contact our technical support department for assistance. An optical fiber attenuator like the FA05T, FA10T, FA15T, or FA25T can be used in to reduce the power in the optical fiber to a level that is safe to use with the FGA04. Thank you for your question, I will be adding a note to the bottom of the table on the Specs tab to help future customers with this issue.
ocarlsson  (posted 2009-01-16 02:31:20.0)
The FGA04 max current is 10mA and damage threshold is 100mW. Responsivity 0.8. How is the damage threshold calculated? Best regards Olle

下表は、当社のフォトダイオードおよびフォトコンダクタなどフォトディテクタの一覧です。 同一の列に記載されている型番の検出素子は同じです。

Photodetector Cross Reference
WavelengthMaterialUnmounted
Photodiode
Unmounted
Photoconductor
Mounted
Photodiode
Biased
Detector
Amplified
Detector
150 - 550 nmGaPFGAP71-SM05PD7ADET25K2PDA25K2
200 - 1100 nmSiFDS010-SM05PD2A
SM05PD2B
DET10A2PDA10A2
Si--SM1PD2A--
320 - 1100 nmSi----PDA8A2
SiFD11ASM05PD3APDF10A(/M)
Si---DET100A2PDA100A2
340 - 1100 nmSiFDS10X10----
350 - 1100 nmSiFDS100
FDS100-CAL a
-SM05PD1A
SM05PD1B
DET36A2PDA36A2
SiFDS1010
FDS1010-CAL a
-SM1PD1A
SM1PD1B
--
400 - 1000 nmSi----PDA015A(/M)
FPD310-FS-VIS
FPD310-FC-VIS
FPD510-FC-VIS
FPD510-FS-VIS
FPD610-FC-VIS
FPD610-FS-VIS
400 - 1100 nmSiFDS015 b----
SiFDS025 b
FDS02 c
--DET02AFC(/M)
DET025AFC(/M)
DET025A(/M)
DET025AL(/M)
-
400 - 1700 nmSi & InGaAsDSD2----
500 - 1700 nmInGaAs---DET10N2-
750 - 1650 nmInGaAs----PDA8GS
800 - 1700 nmInGaAsFGA015---PDA015C(/M)
InGaAsFGA21
FGA21-CAL a
-SM05PD5ADET20C2PDA20C2
PDA20CS2
InGaAsFGA01 b
FGA01FC c
--DET01CFC(/M)-
InGaAsFDGA05 b---PDA05CF2
InGaAs---DET08CFC(/M)
DET08C(/M)
DET08CL(/M)
PDF10C(/M)
800 - 1800 nmGeFDG03
FDG03-CAL a
-SM05PD6ADET30B2PDA30B2
GeFDG50--DET50B2PDA50B2
GeFDG05----
900 - 1700 nmInGaAsFGA10-SM05PD4ADET10C2PDA10CS2
900 - 2600 nmInGaAsFD05D--DET05D2-
FD10D--DET10D2PDA10D2
950 - 1650 nmInGaAs----FPD310-FC-NIR
FPD310-FS-NIR
FPD510-FC-NIR
FPD510-FS-NIR
FPD610-FC-NIR
FPD610-FS-NIR
1.0 - 2.9 µmPbS-FDPS3X3--PDA30G(-EC)
1.0 - 5.8 µmInAsSb----PDA10PT(-EC)
1.5 - 4.8 µmPbSe-FDPSE2X2--PDA20H(-EC)
2.0 - 5.4 µmHgCdTe (MCT)----PDA10JT(-EC)
2.0 - 8.0 µmHgCdTe (MCT)VML8T0
VML8T4 d
---PDAVJ8
2.0 - 10.6 µmHgCdTe (MCT)VML10T0
VML10T4 d
---PDAVJ10
2.7 - 5.0 µmHgCdTe (MCT)VL5T0---PDAVJ5
2.7 - 5.3 µmInAsSb----PDA07P2
  • 校正済み、マウント無しフォトダイオード 
  • マウント無しTO-46 Can型フォトダイオード
  • マウント無しTO-46 Can型フォトダイオード、 FC/PCバルクヘッド付き
  • TEC付き光起電力型ディテクタ

GaPフォトダイオード、UV波長

  • 超短波長用(150~550 nm)
  • サファイアウィンドウで密閉されたパッケージ
Item #InfoWavelength
Range
Active
Area
PackageRise/Fall
Timea
NEP
(W/Hz1/2)
Dark
Current
Junction
Capacitance
Compatible
Sockets
FGAP71info150 - 550 nm4.8 mm2
(2.2 mm x 2.2 mm)
TO-3955 ns / 55 ns
@ 405 nm, 5 V
1.3 x 10-14
@ 440 nm, 5 V
15 pA (Typ.)
40 pA (Max)
@ 5 V
1000 pF (Typ.) @ 0 VSTO5S
STO5P
  • 典型値 RL = 50 Ω
+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
FGAP71 Support Documentation
FGAP71GaP Photodiode, 55 ns Rise Time, 150-550 nm, 2.2 mm × 2.2 mm Active Area
¥12,731
Today

Siフォトダイオード、可視域波長

Click Image
for Details
FDS010FDS010FDS10X10FDS100FDS1010FDS1010FDS02FDS025
Item #FDS010FD11AFDS10X10FDS100FDS1010FDS015FDS02FDS025
Key FeatureHigh Speed, UV Grade Fused Silica Window to Provide Sensitivity Down to 200 nmLowest Dark Current in TO-18 Can with a WindowLow Dark Current in 10 mm x 10 mm Cematic PackageHigh Speed, Largest Sensor in a TO-5 CanHigh Speed, Large Active Area and Mounted on an Insulating Ceramic SubstrateHighest Speed and Lowest Capacitance in a TO-46 Can with an AR-Coated WindowHigh Speed and Low Capacitance in a Direct Fiber-Coupled FC/PC PackageHigh Speed and Low Capacitance in a TO-46 Can with a Ball Lens
Infoinfoinfoinfoinfoinfoinfoinfoinfo
Wavelength Range200 - 1100 nma320 - 1100 nm340 - 1100 nm350 - 1100 nm350 - 1100 nm400 - 1100 nm400 - 1100 nm400 - 1100 nm
Active Area0.8 mm2
(Ø1.0 mm)
1.21 mm2
(1.1 mm x 1.1 mm)
100 mm2
(10 mm x 10 mm)
13 mm2
(3.6 mm x 3.6 mm)
100 mm2
(10 mm x 10 mm)
0.018 mm2
(Ø150 µm)
0.049 mm2
(Ø0.25 mm)
0.049 mm2
(Ø0.25 mm)
Rise/Fall Timeb1 ns / 1 ns
@ 830 nm, 10 V
400 nscc,d
@ 650 nm, 0 V
150 ns / 150 nsd
@ 5 V
10 ns / 10 nsd
@ 632 nm, 20 V
65 ns / 65 nsd
@ 632 nm, 5 V
35 ps / 200 ps
@ 850 nm, 5 V
47 ps / 246 ps
@ 850 nm, 5 V
47 ps / 246 ps
@ 850 nm, 5 V 
NEP (W/Hz1/2)5.0 x 10-14
@ 830 nm, 10 V
6.8 x 10-16
@ 960 nm, 0 V
1.50 x 10-14
@ 960 nm
1.2 x 10-14
@ 900 nm, 20 V
2.07 x 10-13
@ 970 nm, 5 V
8.60 x 10-15
@ 850 nm, 5 V
9.29 x 10-15
@ 850 nm, 5 V
9.29 x 10-15
@ 850 nm, 5 V
Dark Current0.3 nA (Typ.)
@ 10 V
2.0 pA (Max)
@ 10 mV
200 pA @ 5 V1.0 nA (Typ.)
@ 20 V
600 nA (Max)
@ 5 V
0.03 nA (Typ.)
@ 5 V
35 pA (Typ.)
@ 5 V
35 pA (Typ.)
@ 5 V
Junction
Capacitance
6 pF (Typ.) @ 10 V140 pF (Typ.)
@ 0 V
380 pF @ 5 V24 pF (Typ.)
@ 20 V
375 pF (Typ.)
@ 5 V
0.65 pF (Typ.)
@ 5 V
0.94 pF (Typ.)
@ 5 V
0.94 pF (Typ.)
@ 5 V
PackageTO-5TO-18CeramicTO-5CeramicTO-46TO-46, FC/PC BulkheadTO-46
Compatible
Sockets
STO5S
STO5P
STO46S
STO46P
Not AvailableSTO5S
STO5P
Not AvailableSTO46S
STO46P
STO46S
STO46P
STO46S
STO46P
  • UV光を長時間照射する場合、製品の仕様は低下します。例えば、この製品のUV感度が低下し、暗電流が増加する可能性があります。仕様の低下を引き起こす照射時間の程度については、照射レベル、強度、使用時間などの要因によって異なります。
  • 特に記載がない限り、典型値 RL = 50 Ω
  • 1 kΩの抵抗器で測定
  • このフォトダイオードの場合、近赤外域(NIR)の波長では立ち上がり/立ち下り時間(Rise/Fall Time)は遅くなります。
+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
FDS010 Support Documentation
FDS010Si Photodiode, 1 ns Rise Time, 200 - 1100 nm, Ø1 mm Active Area
¥6,260
Today
FD11A Support Documentation
FD11ASi Photodiode, 400 ns Rise Time, 320 - 1100 nm, 1.1 mm x 1.1 mm Active Area
¥1,895
Today
FDS10X10 Support Documentation
FDS10X10Si Photodiode, 150 ns Rise Time, 340 - 1100 nm, 10 mm x 10 mm Active Area
¥14,911
Today
FDS100 Support Documentation
FDS100Si Photodiode, 10 ns Rise Time, 350 - 1100 nm, 3.6 mm x 3.6 mm Active Area
¥1,942
Today
FDS1010 Support Documentation
FDS1010Si Photodiode, 65 ns Rise Time, 350 - 1100 nm, 10 mm x 10 mm Active Area
¥7,245
Today
FDS015 Support Documentation
FDS015Si Photodiode, 35 ps Rise Time, 400 - 1100 nm, Ø150 µm Active Area
¥6,897
Today
FDS02 Support Documentation
FDS02Si Photodiode, 47 ps Rise Time, 400 - 1100 nm, Ø0.25 mm Active Area, FC/PC Bulkhead
¥10,867
Today
FDS025 Support Documentation
FDS025Si Photodiode, 47 ps Rise Time, 400 - 1100 nm, Ø0.25 mm Active Area
¥4,467
Today

InGaAsフォトダイオード、近赤外波長

Click Image
for Details
FDGA05FGA21FGA01FGA01FCFGA01FCFD10DFGA10FD05D
Item #FGA01FGA01FCFGA015FDGA05FGA21FGA10FD05DFD10D
Key FeatureHigh Speed and Low Capacitance in a TO-46 Can with a Ball LensHigh Speed and Low Capacitance in a Direct Fiber-Coupled FC/PC PackageHigh Speed and Low CapacitanceHigh Speed, High Responsivity, and Low CapacitanceLarge Active Area and High SpeedHigh Speed and Low Dark CurrentLong Wavelength RangeLong Wavelength Range and Large Active Area
Infoinfoinfoinfoinfoinfoinfoinfoinfo
Wavelength Range800 - 1700 nm800 - 1700 nm800 - 1700 nm800 - 1700 nm800 - 1700 nm900 - 1700 nm900 - 2600 nm900 - 2600 nm
Active Area0.01 mm2
(Ø120 µm)
0.01 mm2
(Ø120 µm)
0.018 mm2
(Ø150 µm)
0.196 mm2
(Ø0.5 mm)
3.1 mm2 (Ø2 mm)0.79 mm2 (Ø1 mm)0.20 mm2
(Ø0.5 mm)
0.79 mm2
(Ø1.0 mm)
Rise/Fall Timea300 ps / 300 ps
@ 5 V
300 ps / 300 ps
@ 5 V
300 ps / 300 ps
@ 1550 nm, 5 V
2.5 ns / 2.5 ns
@ 5 V
25 ns / 25 ns
@ 3 V
10 ns / 10 ns
@ 5 V
17 ns / 17 ns
@ 0 V
25 ns / 25 ns
@ 0 V
NEP
(W/Hz1/2)
4.5 x 10-15
@ 1500 nm
4.5 x 10-15
@ 1500 nm
1.3 x 10-14
@ 1550 nm
2.0 x 10-14
@ 1550 nm
6.0 x 10-14
@ 1550 nm
2.5 x 10-14
@ 1550 nm, 5 V
5.0 x 10-13
@ 2300 nm
1.0 x 10-12
@ 2300 nm
Dark Current0.05 nA (Typ.)
@ 5 V
0.05 nA (Typ.)
@ 5 V
0.5 nA (Typ.)
@ 5 V
6 nA (Typ.)
@ 5 V
50 nA (Typ.)
@ 1 V
1.1 nA (Typ.)
@ 5 V
1 µA (Typ.)
@ 0.5 V
3 µA (Typ.)
@ 0.5 V
Junction
Capacitance
2.0 pF (Typ.) @ 5 V2.0 pF (Typ.) @ 5 V1.5 pF (Typ.) @ 5 V10 pF (Typ.) @ 5 V100 pF (Typ.) @ 3 V80 pF (Typ.) @ 5 V140 pF (Typ.) @ 0 V500 pF (Typ.) @ 0 V
PackageTO-46TO-46, FC/PC BulkheadTO-18TO-46TO-5TO-5TO-18TO-18
Compatible
Sockets
STO46S
STO46P
STO46S
STO46P
STO46S
STO46P
STO46S
STO46P
STO5S
STO5P
STO5S
STO5P
STO46S
STO46P
STO46S
STO46P
  • 特に記載がない限り、典型値 RL = 50 Ω
+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
FGA01 Support Documentation
FGA01InGaAs Photodiode, 300 ps Rise Time, 800-1700 nm, Ø0.12 mm Active Area
¥8,159
Today
FGA01FC Support Documentation
FGA01FCInGaAs Photodiode, 300 ps Rise Time, 800-1700 nm, Ø0.12 mm Active Area, FC/PC Bulkhead
¥20,679
Today
FGA015 Support Documentation
FGA015InGaAs Photodiode, 300 ps Rise Time, 800-1700 nm, Ø150 µm Active Area
¥7,586
Today
FDGA05 Support Documentation
FDGA05InGaAs Photodiode, 2.5 ns Rise Time, 800-1700 nm, Ø0.5 mm Active Area
¥19,273
Today
FGA21 Support Documentation
FGA21InGaAs Photodiode, 25 ns Rise Time, 800-1700 nm, Ø2 mm Active Area
¥31,370
Today
FGA10 Support Documentation
FGA10InGaAs Photodiode, 10 ns Rise Time, 900-1700 nm, Ø1 mm Active Area
¥23,492
Today
FD05D Support Documentation
FD05DInGaAs Photodiode, 17 ns Rise Time, 900-2600 nm, Ø0.5 mm Active Area
¥16,600
3-5 Days
FD10D Support Documentation
FD10DInGaAs Photodiode, 25 ns Rise Time, 900-2600 nm, Ø1.0 mm Active Area
¥29,402
3-5 Days

デュアルバンドSi/InGaAsディテクタ

  • SiとInGaAsの2つのディテクターチップ設計による広い検出範囲
  • 4ピン TO-5パッケージ
  • 大きな受光部
Item #InfoWavelength
Range
Active
Area
PackageRise/Fall
Timea
NEP
(W/Hz1/2)
Dark
Current
Junction
Capacitance
Compatible
Sockets
DSD2info400 - 1100 nm
(Si)
1000 - 1800 nm
(InGaAs)
5.07 mm2
(Ø2.54 mm, Si)
1.77 mm2
(Ø1.50 mm, InGaAs)
TO-54.0 µs
(Both Layers)
@ 0 V
1.9 x 10-14
(Si)
2.1 x 10-13
(InGaAs)
1 nA @ 1 V
(Si)
0.5 nA @ 1 V
(InGaAs)
450 pF @ 0 V
(Si)
300 pF @ 0 V
(InGaAs)
Not Available
  • 特に記載がない限り、典型値 RL = 50 Ω。
+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
DSD2 Support Documentation
DSD2Dual Band Si/InGaAs Detector, 4 µs Rise Time, 400 - 1700 nm, Ø2.54/Ø1.5 mm
¥78,638
3-5 Days

Geフォトダイオード、近赤外波長

Click Image
for Details
FDG03FDG50FDG05FDG05
Item #FDG03FDG05aFDG50FDG10X10
Key FeatureLarge Active Area in a TO-5 CanHigh Speed on a Ceramic SubstrateLarge Active Area in a TO-8 CanLargest Active Area
Infoinfoinfoinfoinfo
Wavelength Range800 - 1800 nm800 - 1800 nm800 - 1800 nm800 - 1800 nm
Active Area7.1 mm2 (Ø3 mm)19.6 mm2 (Ø5 mm)19.6 mm2 (Ø5 mm)100 mm2
(10 mm x 10 mm)
Rise/Fall Timeb600 ns / 600 ns @ 3 V220 ns / 220 ns @ 3 V220 ns / 220 ns (Typ.) @ 10 V10 μs (Typ.) @ 1 V
NEP2.6 x 10-12 W/Hz1/2 @ 1550 nm4.0 x 10-12 W/Hz1/2 @ 1550 nm4.0 x 10-12 W/Hz1/2 @ 1550 nm4.0 x 10-12 W/Hz1/2 @ 1550 nmc
Dark Current4.0 µA (Max) @ 1 V40 µA (Max) @ 3 V60 µA (Max) @ 5 V50 µA (Max) @ 0.3 V
Junction Capacitance 6 nF (Typ.) @ 1 V
4.5 nF (Typ.) @ 3 V
3000 pF (Typ.) @ 3 V1800 pF (Max) @ 5 V
16000 pF (Max) @ 0 V
80 nF (Typ.) @ 1 V
135 nF (Typ.) @ 0 V
Shunt Resistance25 kΩ (Min)-4 kΩ (Typ.)2 kΩ (Min)
PackageTO-5CeramicTO-8Ceramic
Compatible
Sockets
STO5S
STO5P
Not AvailableSTO8S
STO8P
Not Available
  • FDG05およびFDG10X10のリード線は、はんだ付けによってセンサが損傷する恐れがあるため、伝導製のエポキシ接着剤を使ってセンサに装着されています。但し、この接着はもろいため、リード線が外れないよう、取扱いには十分ご注意ください。
  • 特に記載がない限り、典型値 RL = 50 Ω。
  • ノイズ等価電力(NEP)は光起電力モードの場合。
+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
FDG03 Support Documentation
FDG03Ge Photodiode, 600 ns Rise Time, 800 - 1800 nm, Ø3 mm Active Area
¥18,006
Today
FDG05 Support Documentation
FDG05Ge Photodiode, 220 ns Rise Time, 800 - 1800 nm, Ø5 mm Active Area
¥34,325
Today
FDG50 Support Documentation
FDG50Ge Photodiode, 220 ns Rise Time, 800 - 1800 nm, Ø5 mm Active Area
¥38,123
Today
FDG10X10 Support Documentation
FDG10X10Ge Photodiode, 10 μs Rise Time, 800 - 1800 nm, 10 mm x 10 mm Active Area
¥64,821
Today
ログイン  |   マイアカウント  |   Contacts  |   Careers  |   個人情報保護方針  |   ホーム  |   FAQ  |   Site Index
Regional Websites:East Coast US | West Coast US | Europe | Asia | China
Copyright 1999-2019 Thorlabs, Inc.
Sales: +81-3-6915-7701
Tech Supports: +81-3-6915-7701


High Quality Thorlabs Logo 1000px:Save this Image