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校正済みフォトダイオード


  • Si, Ge, and InGaAs Photodiodes Available
  • NIST Traceable
  • Photodiodes Shipped with Calibration Curves

FDS1010-CAL

FDG03-CAL

FGA21-CAL

Related Items


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Mounted and Unmounted Detectors
Unmounted Photodiodes (150 - 2600 nm)
Calibrated Photodiodes (350 - 1800 nm)
Mounted Photodiodes (150 - 1800 nm)
Thermopile Detectors (0.2 - 15 µm)
Photoconductors (1 - 4.8 µm)
Photovoltaic Detectors (2.0 - 10.6 µm)
Pigtailed Photodiodes (320 - 1000 nm)

当社ではNISTトレーサブルな校正済みフォトダイオード4種類を在庫で取り揃えています。これらには、インジウムガリウムヒ素 (InGaAs)1種類、シリコン(Si)2種類、ゲルマニウム(Ge)1種類のフォトダイオードがございます。

校正の特長:

  • フォトダイオードのスペクトル範囲にわたり10 nmごとに感度を測定
  • 測定不確定性:±5%
  • NIST トレーサブル

各フォトダイオードには、データ表と感度特性VS波長のグラフが付属します。

フォトダイオードの感度特性はロットごとに異なります。そのため、ご購入いただいたフォトダイオードの感度特性が下記に記載されている値と若干異なる場合があります。右のFDS1010のグラフは、104個のフォトダイオードから得られた感度特性のバラツキの度合いを示しています。各データポイントで最小値(Minimum)、平均値(Average)および最大値(Maximum)を計算し、グラフ化しています。

ディテクタの検出部の端における不均一性は、フォトダイオードの出力の時間ドメイン応答を歪ませる不要な電気容量や抵抗作用を生じさせることにご注意ください。当社では入射光をフォトダイオードの検出部の中心へ正確に照射することを推奨いたします。これは、ディテクタ素子の前面に集光レンズピンホールを設置することで可能となります。

こちらのフォトダイオードはゼロバイアスで校正されております。そのため、逆バイアスをかけてのご使用は推奨しておりません。逆バイアス電圧をかけると感度が上昇しますが、校正が無効になります。バイアス電圧やノイズフロアについての詳細は「実験データ」タブをご覧ください。

フォトダイオードのチュートリアル

動作原理

接合型フォトダイオードは、通常の信号ダイオードと似た動作をする部品ですが、接合半導体の空乏層が光を吸収すると、光電流を生成する性質があります。 フォトダイオードは、高速なリニアデバイスで、高量子効率を達成し、様々な異なる用途で利用することが可能です。

入射光の強度に応じた、出力電流レベルと受光感度を正確に把握することが必要とされます。 図1は、接合型フォトダイオードのモデル図で、基本的な部品が個別に図示されており、フォトダイオードの動作原理が説明されています。

 

Equation 1
Photodiode Circuit Diagram
図1: フォトダイオードの概略図

フォトダイオード関連用語

受光感度
フォトダイオードの受光感度は、規定の波長における、生成光電流 (IPD)と入射光パワー(P)の比であると定義できます:

Equation 2

動作モード(Photoconductive vs. Photovoltaic)
フォトダイオードは、Photoconductiveモード(逆バイアス) またはPhotovoltaicモード(ゼロバイアス)で動作できます。 モードの選択は、使用用途で求められる速度と、許容される暗電流(漏れ電流)の量で決まります。

Photoconductive
Photoconductiveモードでは、逆バイアスが印加されますが、これが当社のDETシリーズディテクタの基本です。 回路で測定できる電流量は、デバイスが曝される光の量に対応し、測定される出力電流は、入射される光パワーに対し直線的に比例します。 逆バイアスを印加すると、空乏層を広げて反応領域が広くなる一方で、接合静電容量が小さくなり、明瞭な線形応答が得られます。 このような動作条件下では、暗電流が大きくなりがちですが、フォトダイオードの種類によって、暗電流を低減することもできます。
(注: 当社のDETディテクタは逆バイアスで、順方向バイアスでは動作できません)

Photovoltaic
Photovoltaicモードでは、フォトダイオードはゼロバイアス状態です。 デバイスからの電流が制限され、電位が蓄積されていきます。 このモードでは光電池効果が引き出されますが、これが太陽電池の基本です。 光電池モードでは、暗電流量は最小限に抑制されます。

暗電流
フォトダイオードにバイアス電圧が付加されている時に流れる漏れ電流のこと。 Photoconductiveモードで使用する場合に暗電流の値は高くなりがちで、温度の影響で変動します。 暗電流は、温度が10°C上昇するたびに約2倍となり、シャント抵抗は6°C の上昇に伴い倍になります。 高いバイアスを付加すれば、接合静電容量は減少しますが、暗電流の量は増大してしまいます。

暗電流の量はフォトダイオードの材料や検出部の寸法によっても左右されます。ゲルマニウム製のデバイスでは暗電流は高くなり、それと比較するとシリコン製のデバイスは一般的には低い暗電流となります。下表では、いくつかのフォトダイオードに使用される材料の暗電流の量と共に、速度、感度とコストを比較しています。

MaterialDark CurrentSpeedSpectral RangeCost
Silicon (Si)LowHigh SpeedVisible to NIRLow
Germanium (Ge)HighLow SpeedNIRLow
Gallium Phosphide (GaP)LowHigh SpeedUV to VisibleModerate
Indium Gallium Arsenide (InGaAs)LowHigh SpeedNIRModerate
Indium Arsenide Antimonide (InAsSb)HighLow SpeedNIR to MIRHigh
Extended Range Indium Gallium Arsenide (InGaAs)HighHigh SpeedNIRHigh
Mercury Cadmium Telluride (MCT, HgCdTe)HighLow SpeedNIR to MIRHigh

接合静電容量
接合静電容量(Cj)は、フォトダイオードの帯域幅と応答特性に大きな影響を与えるので、フォトダイオードの重要な特性であると言えます。 ダイオード部分が大きいと、接合容量が大きくなり、電荷容量は大きくなります。 逆バイアスの用途では、接合部の空乏層が大きくなるので、接合静電容量が低減し、応答速度が速くなります。

帯域幅と応答性
負荷抵抗とフォトディテクタの接合静電容量により帯域幅が制限されます。 最善の周波数応答を得るには、50Ωの終端装置を50Ωの同軸ケーブルと併用します。 接合静電容量(Cj)と負荷抵抗値(RLOAD)を用いて、帯域幅(fBW)と立ち上がり時間応答(tr)の概算値が得られます:

Equation 3

 

ノイズ等価電力
ノイズ等価電力(NEP)とは、信号対雑音比が1であるときに生成されるRMS信号電圧の値です。NEPによって、ディテクタが低レベルの光を検知する能力を知ることができるので、この数値は便利です。一般には、NEPはディテクタの検出部の面積増加に伴って大きくなり、下記の数式で求めることができます:

Photoconductor NEP

この数式において、S/Nは信号対雑音比、Δf はノイズの帯域幅で、入射エネルギ単位はW/cm2となっています。詳細は、当社のホワイトペーパ「NEP – Noise Equivalent Power」をご参照ください。

終端抵抗
負荷抵抗は、オシロスコープでの測定を可能にするために、生成された光電流を電圧(VOUT)へ変換して用いられます:

Equation 4

フォトダイオードの種類によっては、負荷抵抗が応答速度に影響を与える場合があります。 最大帯域幅を得るには、50Ωの同軸ケーブルを使用して、ケーブルの反対側の終端部で50Ωの終端抵抗器の使用を推奨しています。 このようにすることで、ケーブルの特性インピーダンスとマッチングできて共鳴が最小化できます。 帯域幅が重要ではない特性の場合は、RLOADを増大させることで、所定の光レベルに対して電圧を増大させることができます。 終端部が不整合の場合、同軸ケーブルの長さが応答特性に対して大きな影響を与えます。したがってケーブルはできるだけ短くしておくことが推奨されます。

シャント抵抗
シャント抵抗は、ゼロバイアスフォトダイオード接合の抵抗を表します。 理想的なフォトダイオードでは、シャント抵抗は無限大となりますが、実際の数値はフォトダイオードの材料の種類によって、10Ωのレベルから数千MΩの範囲となる場合があります。 例えばInGaAsディテクタのシャント抵抗は、10MΩのレベルですが、GeディテクタはkΩのレベルです。 このことは、フォトダイオードの電流雑音に大きく影響を与える可能性があります。 しかしながらほとんどの用途では、このような高抵抗値の影響は小さく、無視できる程度です。

直列抵抗
直列抵抗は半導体材料の抵抗値で、この低い抵抗値は、通常は無視できる程度です。 直列抵抗は、フォトダイオードの接触端子とワイヤの接合部で発生し、主にゼロバイアスの条件下でのフォトダイオードの直線性の評価に用いられます。

一般的な動作回路

Reverse Biased DET Circuit
図2: 逆バイアス回路(DETシリーズディテクタ)

上図の回路はDETシリーズのディテクタをモデル化したものです。 ディテクタは、適用される入射光に対して線形の応答を生成するために逆バイアス状態になっています。 ここで生成された光電流の量は、入射光に依存し、負荷抵抗を出力端子に接続すると、波形をオシロスコープで確認することができます。 RCフィルタの機能は、出力に雑音を載せてしまう可能性のある供給電力からの高周波雑音のフィルタリングです。

Amplified Detector Circuit
図3: 増幅ディテクタ回路

高利得用途でアンプとともにフォトディテクタを使用できます。動作時には、PhotovoltaicまたはPhotoconductiveモードのいずれも選択可能です。この能動回路はいくつかの利点があります:

  • Photovoltaicモード:オペアンプで、点Aと点Bの電位が同じに維持されているので、フォトダイオードでは回路全体ではゼロボルトに保たれています。このことで暗電流は発生しなくなります。
  • Photoconductiveモード: フォトダイオードは逆バイアス状態であるので、接合静電容量を低下させながら帯域幅の状態を改善します。 ディテクタの利得は、フィードバック素子(Rf)に依存します。 ディテクタの帯域幅は、下記の数式で計算することができます:

Equation 5

GBPは利得帯域幅積であり、接合静電容量CDは増幅器静電容量と利得静電容量との和です。

チョッパ入力周波数の影響

光導電体は時定数以内では一定の応答となりますが、PbS、 PbSe、HgCdTe (MCT)、InAsSbなどのディテクタにおいては、1/fゆらぎ(チョッパ入力周波数が大きいほどゆらぎは小さくなる)を持つため、低い周波数の入力の場合は影響が大きくなります。

低いチョッパ入力周波数の場合は、ディテクタの受光感度は小さくなります。周波数応答や検出性能は下記の条件の場合において最大となります。

Photoconductor Chopper Equation

概要
こちらのタブでは当社が提供するフォトダイオードの性能に関して実施した実験をまとめています。それぞれのセクションは独立した実験について記載しており、下の各ボックスをクリックするとご覧いただけます。「フォトダイオードの飽和限界とノイズフロア」では、温度、抵抗率、逆バイアス電圧、応答特性、システムの帯域幅などがフォトダイオードの出力ノイズに与える影響を調べています。「感度均一性」では、小さなビーム径の光でフォトダイオードの受光面を走査し、それによって感度がどのように変化するかを調べています。異なる材料のフォトダイオードに対する試験のほか、8台のSiベースの同一モデルに対する試験を行ってユニットごとのバラツキも調べています。「暗電流の温度特性」および「雑音等価電力(NEP)の温度特性」では、それぞれ暗電流またはNEPが温度によってどのように変化するか、そしてそれが測定結果にどのような影響を与えるかを記述しています。「ビームサイズとフォトダイオードの飽和」では、フォトダイオードの飽和点が入射光のビームサイズによってどのように変化するかを示し、それらの結果を説明するために複数の理論モデルについて調べています。「入射光パワーに対する有効逆バイアス電圧特性 」では、入射光パワーに対するフォトダイオードの電子回路の有効逆バイアス電圧の変化を調べ、変化を予想するために信頼できるモデルを検証しました。

About Our Lab Facts
Our application engineers live the experience of our customers by conducting experiments in Alex’s personal lab. Here, they gain a greater understanding of our products’ performance across a range of application spaces. Their results can be found throughout our website on associated product pages in Lab Facts tabs. Experiments are used to compare performance with theory and look at the benefits and drawbacks of using similar products in unique setups, in an attempt to understand the intricacies and practical limitations of our products. In all cases, the theory, procedure, and results are provided to assist with your buying decisions.

パルスレーザ:パワーとエネルギーの計算

パルスレーザからの放射光が、使用するデバイスや用途に適合するかどうかを判断する上で、レーザの製造元から提供されていないパラメータを参照しなければならない場合があります。このような場合、一般には入手可能な情報から必要なパラメータを算出することが可能です。次のような場合を含めて、必要な結果を得るには、ピークパルスパワー、平均パワー、パルスエネルギ、その他の関連するパラメータを必要とすることがあります。

  • 生物試料を損傷させないように保護する
  • フォトディテクタなどのセンサにダメージを与えることなくパルスレーザ光を測定する
  • 物質内で蛍光や非線形効果を得るために励起を行う

パルスレーザ光のパラメータは下の図1および表に示します。参照用として、計算式の一覧を以下に示します。資料を ダウンロードしていただくと、これらの計算式のほかに、パルスレーザ光の概要、異なるパラメータ間の関係性、および計算式の適用例がご覧いただけます。

 

計算式

周期と繰り返し周波数は逆数の関係:   and 
平均パワーから算出するパルスエネルギ:      
パルスエネルギーから算出する平均パワー:       
パルスエネルギーから概算するピークパルスパワー:           

平均パワーから算出するピークパワー、ピークパワーから算出する平均パワー :
 and
平均パワーおよびデューティーサイクルから算出するピークパワー*:
*デューティーサイクル() はレーザのパルス光が放射されている時間の割合です。
Pulsed Laser Emission Parameters
Click to Enlarge

図1: パルスレーザ光の特性を記述するためのパラメータを、上のグラフと下の表に示します。パルスエネルギ (E)は、パルス曲線の下側の黄色の領域の面積に対応します。このパルスエネルギは斜線で表された領域の面積とも一致します。

パラメータシンボル単位説明
パルスエネルギEジュール[J]レーザの1周期中に放射される1パルスの全放射エネルギ。
パルスエネルギはグラフの黄色の領域の面積に等しく、
これは斜線部分の面積とも一致します。
周期Δt 秒 [s] 1つのパルスの開始から次のパルスの開始までの時間
平均パワーPavgワット[W]パルスとして放射されたエネルギが、1周期にわたって
均一に広がっていたと仮定したときの、
光パワーの大きさ(光パワー軸上の高さ)
瞬時パワーPワット[W]特定の時点における光パワー
ピークパワーPpeakワット [W]レーザから出力される最大の瞬時パワー
パルス幅秒 [s]パルスの開始から終了までの時間。一般的にはパルス形状の
半値全幅(FWHM)を基準にしています。
パルス持続時間とも呼ばれます。
繰り返し周波数 frepヘルツ [Hz]パルス光が放射される頻度を周波数で表示した量。
周期とは逆数の関係です。

計算例

下記のパルスレーザ光を測定するのに、最大入力ピークパワーが75 mW 
のディテクタを使用するのは安全かどうかを計算してみます。

  • 平均パワー: 1 mW
  • 繰り返し周波数: 85 MHz
  • パルス幅: 10 fs

1パルスあたりのエネルギは、

と低いようですが、ピークパワーは、

となります。このピークパワーはディテクタの
最大入力ピークパワーよりも5桁ほど大きく、
従って、上記のパルスレーザ光を測定するのに
このディテクタを使用するのは安全ではありません


Posted Comments:
user  (posted 2019-08-15 15:21:33.38)
My product has just arrived. The serial number is: 190716305. The security code I continuously type in correctly. Currently, it says: md4xci. However, I cannot download any of my FDS1010-CAL data. Please assist. Thank You! A.J. Matthews Toledo Solar
MKiess  (posted 2019-08-20 04:15:40.0)
This is a response from Wolfgang at Thorlabs. Thank you very much for your feedback! I have contacted you directly to send you the data.
user  (posted 2019-05-12 00:54:46.333)
N0 cal. data - 190122212 - 190122210
lmorgus  (posted 2019-05-13 09:07:57.0)
A response from Laurie at Thorlabs: Thank you for noting that there is an issue with the ability to download serialized information. I will reach out to you directly with the requested files while we work to ensure these are available for download from our website.
user  (posted 2019-05-12 00:47:50.46)
I couldnot download the calibration data of sn 190205318 (FDS100-cal)
lmorgus  (posted 2019-05-13 09:01:35.0)
A response from Laurie at Thorlabs: Thank you for noting that there is an issue with the ability to download serialized information. I will reach out to you directly with the requested files while we work to ensure these are available for download from our website.
claudios  (posted 2019-01-14 16:36:57.417)
Hello, can you give me a quote for a calibrated and mounted FDS100 Si photodiode, type SM05PD1A? Is the calibration done focusing the light only at the center of the device or illuminating the whole active area? In the former case, does a uniform complete illumination of the device affect the responsivity obtained with the calibration?
wskopalik  (posted 2019-01-16 07:22:32.0)
This is a response from Wolfgang at Thorlabs. Thank you very much for your feedback! Yes, we can offer a calibrated version of the SM05PD1A as well. In the calibration setup a beam with about 2mm in diameter is used. So a large part of the active area of the SM05PD1A is illuminated. In general, the responsivity of photodiodes is also quite uniform over the photodiode surface. You can find more information about the spatial uniformity of photodiodes in the “Lab Facts” section of our website (https://www.thorlabs.com/newgrouppage9.cfm?objectgroup_id=10741&tabname=Spatial%20Uniformity). I will contact you directly to provide further information and also a quote.
s.krause  (posted 2017-07-31 09:45:28.43)
We bought a FDS1010-CAL to measure light intensities without applying bias voltage, just connecting the diode to an Pico-Amperemeter. I wonder how linear the response is to incident light level? Do you have any numbers, until which current output it is linear (within 1%)? Best, Sascha
tfrisch  (posted 2017-07-31 03:36:54.0)
Hello, thank you for contacting Thorlabs. We have some information on the theory of saturation in the below lab facts. It will depend on a number of factors including the bias voltage, built-in voltage, responsivity, load resistance and series resistance, but likely the detector would be completely saturated at a few mW with no bias voltage, and non-linear performance would begin before that. For the built in voltage of a silicon diode, 0.6V is a fair estimate, but you can get a more accurate measurement by finding the output voltage at saturation with a large load resistor. https://www.thorlabs.us/images/TabImages/Photodetector_Lab.pdf
hakan.pettersson  (posted 2017-03-21 19:34:14.967)
I wonder at which bias the provided responsivity data for the FDS100-CAL is recorded at. Also, can the responsivity simply be scaled with bias according to a simply relation? All the best HåkanP
swick  (posted 2017-03-22 06:15:53.0)
This is a response from Sebastian at Thorlabs. Thank you for the inquiry. The calibration is performed without bias voltage. Unfortunately, there is no simple relation between responsivity and bias. The calibration data is only valid without bias.
Jeff.Wheeldon  (posted 2016-06-08 16:01:31.357)
Could you tell me the highest measurable power using FDG05-CAL. We regularly measure total powers of 45 mW is this within the specification for this product?
besembeson  (posted 2016-06-09 09:18:53.0)
Response from Bweh at Thorlabs USA: That may be too high. At peak responsivity (1550nm) for example with 45mW, you will be around 38mA of output generated current, and you will be saturating the detector. Depending on your wavelength, you want to keep optical power level such that output current is under 1mA to stay in the linear regime for the detector.
dojin78  (posted 2014-03-18 10:49:01.103)
Could you tell me the difference FGA21-CAL and FGA21?
alexandru.serb05  (posted 2013-09-03 11:01:18.603)
Do we know what the optical damage threshold for this product is (and for that matter for all of them)? In other words beyond what sort of irradiance will I start frying the device? I suspect this will be wavelength dependent so ideally there will be some sort of plot showing damage threshold in W/M^2 vs wavelength, but if not, some rough figure would also be very helpful. Thanks
jlow  (posted 2013-09-04 09:36:00.0)
Response from Jeremy at Thorlabs: The photodiode will start to saturate well before damage would occur. In general, I would recommend keeping the current output from the photodiode to be <1mA to avoid saturating the photodiode. I will get in contact with you to discuss about your application further.
bdada  (posted 2011-11-17 15:29:00.0)
Response from Buki at Thorlabs: Thank you for your feedback. We can provide the calibrated version of the SM05PD1A. We will contact you regarding a quote.
gert  (posted 2011-11-17 15:09:23.0)
Can you give us a price for a calibrated and mounted FDS100 Si photodiode, type SM05PD1A ? Thank you, Gert Raskin
jjurado  (posted 2011-02-24 14:33:00.0)
Response from Javier at Thorlabs to rjaculbia: Thank you for contacting us with your request. We currently do not offer mounts or adapters for easily mounting the calibrated photodiodes. However, we can offer these already mounted in SM05 and SM1 compatible tubes with SMA or BNC output connectors as special items. Please visit the link below: http://www.thorlabs.com/NewGroupPage9.cfm?ObjectGroup_ID=1285 I will contact you directly to get information about your selection.
rbjaculbia  (posted 2011-02-24 01:04:07.0)
hi, how do we mount these diodes in a setup? can this be mounted using the s1lm9? Thanks
apalmentieri  (posted 2010-01-20 15:33:04.0)
A response from Adam at Thorlabs: The calibration data is in the form of an excel data table with a wavelength resolution of 10nm. When calibrating these diodes, we do not use fiber coupling methods. We use a monochromator with an output beam diameter of 1.7mm so not to overfill the aperture. The accuracy of +/-5% is a tolerance that includes any measurement errors, for instance shot noise and johnson noise from the detector, that must be taken into account while calibrating the diode to NIST traceable standards.
markus.blaser  (posted 2010-01-20 11:05:25.0)
Few questions with respect to FGA21-CAL: In which form is the calibration data availabe: Data Table ? Wavelength resolution ? What is the optical coupling method used for the calibration procedure: Butt Fiber / Angled Fiber or other coupling technique ? Why is the accuracy only +/- 5%, when the detector is calibrated against a NIST traceable reference detector ?

下表は、当社のフォトダイオードおよびフォトコンダクタなどフォトディテクタの一覧です。 同一の列に記載されている型番の検出素子は同じです。

Photodetector Cross Reference
WavelengthMaterialUnmounted
Photodiode
Unmounted
Photoconductor
Mounted
Photodiode
Biased
Detector
Amplified
Detector
150 - 550 nmGaPFGAP71-SM05PD7ADET25K2PDA25K2
200 - 1100 nmSiFDS010-SM05PD2A
SM05PD2B
DET10A2PDA10A2
Si--SM1PD2A--
320 - 1100 nmSi----PDA8A2
SiFD11ASM05PD3APDF10A(/M)
Si---DET100A2PDA100A2
340 - 1100 nmSiFDS10X10----
350 - 1100 nmSiFDS100
FDS100-CAL a
-SM05PD1A
SM05PD1B
DET36A2PDA36A2
SiFDS1010
FDS1010-CAL a
-SM1PD1A
SM1PD1B
--
400 - 1000 nmSi----PDA015A(/M)
FPD310-FS-VIS
FPD310-FC-VIS
FPD510-FC-VIS
FPD510-FS-VIS
FPD610-FC-VIS
FPD610-FS-VIS
400 - 1100 nmSiFDS015 b----
SiFDS025 b
FDS02 c
--DET02AFC(/M)
DET025AFC(/M)
DET025A(/M)
DET025AL(/M)
-
400 - 1700 nmSi & InGaAsDSD2----
500 - 1700 nmInGaAs---DET10N2-
750 - 1650 nmInGaAs----PDA8GS
800 - 1700 nmInGaAsFGA015---PDA015C(/M)
InGaAsFGA21
FGA21-CAL a
-SM05PD5ADET20C2PDA20C2
PDA20CS2
InGaAsFGA01 b
FGA01FC c
--DET01CFC(/M)-
InGaAsFDGA05 b---PDA05CF2
InGaAs---DET08CFC(/M)
DET08C(/M)
DET08CL(/M)
PDF10C(/M)
800 - 1800 nmGeFDG03
FDG03-CAL a
-SM05PD6ADET30B2PDA30B2
GeFDG50--DET50B2PDA50B2
GeFDG05----
900 - 1700 nmInGaAsFGA10-SM05PD4ADET10C2PDA10CS2
900 - 2600 nmInGaAsFD05D--DET05D2-
FD10D--DET10D2PDA10D2
950 - 1650 nmInGaAs----FPD310-FC-NIR
FPD310-FS-NIR
FPD510-FC-NIR
FPD510-FS-NIR
FPD610-FC-NIR
FPD610-FS-NIR
1.0 - 2.9 µmPbS-FDPS3X3--PDA30G(-EC)
1.0 - 5.8 µmInAsSb----PDA10PT(-EC)
1.5 - 4.8 µmPbSe-FDPSE2X2--PDA20H(-EC)
2.0 - 5.4 µmHgCdTe (MCT)----PDA10JT(-EC)
2.0 - 8.0 µmHgCdTe (MCT)VML8T0
VML8T4 d
---PDAVJ8
2.0 - 10.6 µmHgCdTe (MCT)VML10T0
VML10T4 d
---PDAVJ10
2.7 - 5.0 µmHgCdTe (MCT)VL5T0---PDAVJ5
2.7 - 5.3 µmInAsSb----PDA07P2
  • 校正済み、マウント無しフォトダイオード 
  • マウント無しTO-46 Can型フォトダイオード
  • マウント無しTO-46 Can型フォトダイオード、 FC/PCバルクヘッド付き
  • TEC付き光起電力型ディテクタ

Siフォトダイオード 、校正済み(NISTトレーサブル)

当社ではNISTトレーサブルな校正済みSiフォトダイオード2種類を在庫で取り揃えています。Siフォトディテクタは可視域から近赤外域で感度があります。FDS100-CALとFDS1010-CALは受光部の広いSiフォトディテクタで、それぞれカンと正方形のセラミック基板にパッケージされています。これらの製品の仕様の詳細や、感度特性、暗電流、静電容量のグラフをご覧いただくには下表のインフォアイコンをクリックしてください。

当社では、こちらのSiフォトディテクタの応答の一様性を向上させるように設計されたスペクトル特性平坦化フィルタもご用意しています。詳細は、こちらをご参照ください。

Item #InfoWavelengthActive
Area
Rise/Fall
Timea
NEP
(W/Hz1/2)
Dark
Current
CapacitancePackageVbias,maxCompatible
Sockets
FDS100-CALinfo350 - 1100 nm13 mm210 ns
@ 632 nm, 20 V
1.2x10-14
@ 900 nm, 20 V
1.0 nA
@ 20 V
(Typ.)
24 pF
@ 20 V (Typ.)
TO-5 Can
(Ø0.36")
25 VSTO5S
STO5P
FDS1010-CALinfo350 - 1100 nm100 mm265 ns
@ 632 nm, 5 V
2.07x10-13
@ 970 nm, 5 V
600 nA
@ 5 V
(Max)
375 pF
@ 5 V (Typ.)
0.45" x 0.52"
Ceramic
Wafer
25 VNot Available
  • 典型値RL = 50 Ω。このフォトダイオードの場合、近赤外域(NIR)の波長ではRise/Fall Timeは遅くなります。
+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
FDS100-CAL Support Documentation
FDS100-CAL校正済みSiフォトダイオード、350~1100 nm、検出部3.6 x 3.6mm
¥21,805
Today
FDS1010-CAL Support Documentation
FDS1010-CAL校正済みSiフォトダイオード、350~1100 nm、検出部10 x 10 mm
¥26,165
3-5 Days

Geフォトダイオード、校正済み(NISTトレーサブル)

当社ではNISTトレーサブルな校正済みGeフォトダイオードをご用意しております。Geフォトディテクタは800~1800 nmの近赤外域で感度があります。FDG03-CALは1300~1550 nm域のARコーティングが施されていて、カンにパッケージされています。この製品の仕様の詳細や、感度特性、暗電流、静電容量のグラフをご覧いただくには下表のインフォアイコンをクリックしてください。

Item #InfoWavelengthActive
Area
Rise/Fall
Timea
NEP
(W/Hz1/2)
Dark
Current
CapacitancePackageVbias,maxCompatible
Sockets
FDG03-CALinfo800 - 1800 nm7.1 mm2600 ns
@ 3 V
2.6x10-12
@ 1500 nm, 1 V
4.0 µA
@ 1 V
(Max)
6 nF @ 1 V (Typ.)
4.5 nF @ 3 V (Typ.)
TO-5 Can
(Ø0.36")
3 VSTO5S
STO5P
  • 典型値 RL = 50 Ω
+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
FDG03-CAL Support Documentation
FDG03-CAL校正済みGeフォトダイオード、800~1800 nm、検出部Ø3.0 mm
¥40,092
3-5 Days

InGaAsフォトダイオード、校正済み(NISTトレーサブル)

当社ではNISTトレーサブルな校正済みInGaAsフォトダイオードを在庫で取り揃えています。InGaAsフォトディテクタは800~1700 nmの近赤外域で感度があります。FGA21-CAL のPIN構造により、ゼロバイアスで高速の立ち上がり/立ち下がり時間を示します。この製品の仕様の詳細や、感度特性、暗電流、静電容量のグラフをご覧いただくには下表のインフォアイコンをクリックしてください。

Item #InfoWavelengthActive AreaRise/Fall
Timea
NEP
(W/Hz1/2)
Dark CurrentCapacitancePackageVbias,maxCompatible
Sockets
FGA21-CALinfo800 - 1700 nm3.1 mm214 ns
@ 3 V
6.0x10-14
@ 1550 nm
50 nA @ 1 V
(Typ.)
100 pF @ 3 V
(Typ.)
TO-5 Can
(Ø0.36")
3 VSTO5S
STO5P
  • 典型値 RL = 50 Ω
+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
FGA21-CAL Support Documentation
FGA21-CAL校正済みInGaAsフォトダイオード、800~1700 nm、検出部Ø2.0 mm
¥52,754
3-5 Days
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