LiTaO₃焦電ディテクタデバイス

Wavelength Range from 0.6 µm to 16 µm
Flat Response Over Wavelength Range
Available in TO-39 Package

EPD13

LiTaO₃ Pyroelectric Detector, 0.6 - 16.0 μm, TO-39 Package

Application Idea

EPD13 Detector Shown in an S1LEDM LED Mount Attached to a Post with an LMR1 SM1-Threaded Optic Mount

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フォトディテクタ一覧

Mounted and Unmounted Detectors
Photodiodes
Mounted Photodiodes (200 - 1800 nm)
Unmounted Photodiodes (200 - 2600 nm)
Pigtailed Photodiodes (320 - 1000 nm)
Calibrated Photodiodes (350 - 1800 nm)
Photovoltaic Detectors (2000 - 10 600 nm)
Thermopile Detectors (200 - 15 000 nm)
Pyroelectric Detector (600 - 16 000 nm)

特長

波長範囲：0.6 µm～16 µm
パルス光または断続光用
ディテクタデバイスの検出部： 1.3 mm² (Ø1.3 mm)
波長範囲全体でフラットな応答性

LiTaO₃焦電検出器(パイロエレクトリックセンサ)EPD13は、0.6 µm～16 µmにおけるパルス光信号でお使いいただけるディテクタデバイスです。セレン化亜鉛(ZnSe)ウィンドウ付きのTO-39 CANパッケージに収められています。

焦電材料は、温度の変化に応じて電圧差を生成します。焦電ディテクタEPD13は、黒金属吸収体でコーティングされたLiTaO₃ (タンタル酸リチウム)センサを使用しています。金属吸収体とLiTaO3センサが入射光を吸収すると、温度が変化し、電圧差が生じます。信号を生成するうえで温度の変化が必要なため、ディテクタには光変調またはパルス光源を必要とします。連続(CW)光ではディテクタが熱平衡に到達してしまい、信号は生成されなくなります。

タンタル酸リチウムは、一般的に動作波長範囲全体においてフラットな応答曲線を示します。そのため、ディテクタEPD13は、広帯域信号または可視(VIS)～中赤外(MIR)域波長の光の使用に有用です。セレン化亜鉛(ZnSe)ウィンドウの透過率、黒金属コーティングやLiTaO₃基板の吸収率については「仕様」タブの性能グラフをご覧ください。ディテクタデバイスEPD13に対応する電子回路については「回路例」タブをご覧ください。こちらのディテクタデバイスは、増幅回路を搭載したタイプもご用意しています。

Specification	Value
Detector	Pyroelectric Lithium Tantalate (LiTaO₃)
Wavelength Range	0.6 to 16 µm
Typical Absorption^a
Responsivity (500 K, 100 Hz, 25 °C)^b	120 V/W
Detector Active Area	1.3 mm² (Ø1.3 mm)
Detectivity (500 K, 100 Hz, 25 °C)^b	3.0x10⁸ (cm·Hz^1/2)/W
Noise Density (rms)	65 nV/(Hz^1/2)
Thermal Time Constant	50 ms
Package	TO-39
Window Material	ZnSe (0.8 mm Thick)
Typical Window Transmission^a
Acceptance Angle	130° (Typical)
Weight	1.5 g
Detector Surface Depth (Approximate)	1.6 mm (0.06")
Max Drain / Source Voltage	18 V
Operating Temperature	-25 to 60 °C
Storage Temperature	-25 to 60 °C

型番をクリックするとグラフをご覧いただけます。
この値はセレン化亜鉛(ZnSe)ウィンドウ無しで測定されました。よって所望の波長における値を算出する際には、ウィンドウの透過率も考慮する必要があります。

Figure 3.1では、焦電ディテクタEPD13の回路の一例をご紹介しています。青く色付けされたボックスはディテクタを示し、Drain(ドレイン)、Source(ソース)、Ground/Case(グランド/ケース)とそれぞれラベリングされた3つのピンが付いています。

Figure 3.1 ディテクタEPD13の回路例

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下表は、当社のフォトダイオードタイプのディテクタ、フォトコンダクティブ型ディテクタ、焦電ディテクタの一覧です。同一の列に記載されている型番の検出素子は同じです。

Photodetector Cross Reference
Wavelength	Material	Unmounted Detectors	Mounted Photodiode	Biased Detector	Amplified Detector	Amplified Detector, OEM Package
200 - 1100 nm	Si	FDS010	SM05PD2A SM05PD2B	DET10A2	PDA10A2	PDAPC5
200 - 1100 nm	Si	-	SM1PD2A	-	-	-
240 - 1170 nm	Black Si	FDBS11	SM05PD9A	-	-	-
	Black Si	FDBS22	SM05PD8A	DET20X2	PDA20X2	PDAPC10
	Black Si	FDBS25	-	-	-	-
320 - 1000 nm	Si	-	-	-	PDA8A2	-
320 - 1100 nm	Si	FD11A	SM05PD3A	-	PDF10A2	-
320 - 1100 nm	Si	-^a	-	DET100A2	PDA100A2	PDAPC2^a
340 - 1100 nm	Si	FDS10X10	-	-	-	-
350 - 1100 nm	Si	FDS100 FDS100-CAL^b	SM05PD1A SM05PD1B	DET36A2	PDA36A2	PDAPC1
350 - 1100 nm	Si	FDS1010 FDS1010-CAL^b	SM1PD1A SM1PD1B	-	-	-
400 - 1000 nm	Si	-	-	-	PDA015A2 FPD310-FS-VIS FPD310-FC-VIS FPD510-FC-VIS FPD510-FS-VIS FPD610-FC-VIS FPD610-FS-VIS	-
400 - 1100 nm	Si	FDS015^c	-	-	-	-
400 - 1100 nm	Si	FDS025^c FDS02^d	-	DET02AFC(/M) DET025AFC(/M) DET025A(/M) DET025AL(/M)	-	-
400 - 1700 nm	Si & InGaAs	DSD2	-	-	-	-
500 - 1700 nm	InGaAs	-	-	DET10N2	-	-
0.6 - 16 µm	LiTaO₃	EPD13^e	-	-	PDA13L2^e	-
750 - 1650 nm	InGaAs	-	-	-	PDA8GS	-
800 - 1700 nm	InGaAs	FGA015	-	-	PDA015C2	-
	InGaAs	FGA21 FGA21-CAL^b	SM05PD5A	DET20C2	PDA20C2 PDA20CS2	-
	InGaAs	FGA01^c FGA01FC^d	-	DET01CFC(/M)	-	-
	InGaAs	FDGA05^c	-	-	PDA05CF2	PDAPC6
	InGaAs	-	-	DET08CFC(/M) DET08C(/M) DET08CL(/M)	-	-
	InGaAs	-	-	-	PDF10C2	-
800 - 1800 nm	Ge	FDG03 FDG03-CAL^b	SM05PD6A	DET30B2	PDA30B2	-
	Ge	FDG50	-	DET50B2	PDA50B2	PDAPC8
	Ge	FDG05	-	-	-	-
900 - 1700 nm	InGaAs	FGA10	SM05PD4A	DET10C2	PDA10CS2	-
900 - 2600 nm	InGaAs	FD05D	-	DET05D2	-	-
900 - 2600 nm	InGaAs	FD10D	-	DET10D2	PDA10D2	PDAPC7
950 - 1650 nm	InGaAs	-	-	-	FPD310-FC-NIR FPD310-FS-NIR FPD510-FC-NIR FPD510-FS-NIR FPD610-FC-NIR FPD610-FS-NIR	-
1.0 - 5.8 µm	InAsSb	-	-	-	PDA10PT(-EC)	-
2.0 - 8.0 µm	HgCdTe (MCT)	VML8T0^f VML8T4^f,g	-	-	PDAVJ8^f	-
2.0 - 10.6 µm	HgCdTe (MCT)	VML10T0^f VML10T4^f,g	-	-	PDAVJ10^f	-
2.7 - 5.0 µm	HgCdTe (MCT)	VL5T0^f	-	-	PDAVJ5^f	-
2.7 - 5.3 µm	InAsSb	-	-	-	PDA07P2	PDAPC9

こちらのディテクタに内蔵されているフォトダイオード(PD)のみを電子回路基板なしでの購入をご検討の場合は、当社までお問い合わせください。
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