OCTシステム用スーパールミネッセントダイオード(SLD)光源

SLDs Optimized for Use in OCT Systems
Center Wavelengths from 770 nm to 1685 nm
Fiber-Coupled Power: ≥3 mW
SM or PM Fiber Pigtail with FC/APC Connector

SLD1325

1325 nm SLD, >100 nm Bandwidth
30 dB (Min) Optical Isolation

An Image of the Anterior of the Eye Taken with the SLD830S-A10 in a Modified Ganymede System

SLD830S-A10

830 nm SLD, Gain Ripple: ≤0.15 dB

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概要
仕様
SLDの比較
SD-OCTの分解能
ピン配列
Feedback
セレクションガイド

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TEC付きのコンパクト型半導体レーザードライバ CLD1015を取り付けたスーパールミネッセントダイオードSLD1325

Quick Links
770 nm (SM)
810 nm (SM)
830 nm (SM)
840 nm (SM or PM)
850 nm (SM)
880 nm (SM)
920 nm (SM or PM)
930 nm (SM or PM)
970 nm (SM or PM)
1050 nm (SM or PM)
1220 nm (SM or PM)
1310 nm (SM)
1315 nm (SM or PM)
1325 nm (SM or PM)
1400 nm (SM or PM)
1450 nm (SM or PM)
1610 nm (SM or PM)
1685 nm (SM or PM)

特長

スペクトルドメインOCTシステムで使用可能
中心波長770 nm～1685 nm(右表をご覧ください)
FC/APCコネクタ付きファイバーピグテールにより光学フィードバックを最小限に抑制
温度制御用にTECとサーミスタを内蔵
密閉された14ピンバタフライパッケージ
中心波長が1220 nm、1315 nm、1325 nm、1400 nm、1685 nmのスーパールミネッセントダイオード(SLD)は、光アイソレータ内蔵の製品を標準品としてご用意しております。

スーパールミネッセントダイオード(SLD)は、スペクトルドメイン光コヒーレンストモグラフィ(SD-OCT)によるイメージング用光源としてご選択いただけます。出力光のスペクトルが広く、コヒーレンス長が短いため、OCT画像の深さ分解能を向上させます。当社では、OCT用として中心波長770 nm～1685 nmのSLDをご用意しております(右表をご覧ください)。各SLDは、スペクトルおよび動作パラメータに関する情報を含む製品固有のデータシートとともに発送致します。各SLDの生の試験データもご提供可能です。ご希望の場合は当社までお問い合わせください。各SLDの詳細については「仕様」タブをご覧ください。

デバイスは、TEC素子およびサーミスタが内蔵された14ピンバタフライパッケージ内に組み込まれているため、安定した出力が可能です。出力は幅2.0 mmのナローキーFC/APCコネクタが付いたSMまたはPMファイバからです。なお、戻り光は出力パワーを減少させたり、SLDを損傷することがあります。当社ではこちらのSLDにFC/PCコネクタなど後方反射しやすい部品を使用することは推奨していません。スーパールミネッセントダイオードSLD1220x、SLD1310x、SLD1325、SLD1330x、SLD1410x、SLD1690xにはアイソレータが内蔵されています。アイソレータ内蔵で波長の異なるSLDをご検討の場合は当社までお問い合わせください。

ご希望の波長において低いリップルのSLDや、より高い出力のSLDをカスタムでご提供することも可能です。但し、費用にはカスタム設計費やウエハ製造のコストも含まれるため、少ロットでのご要望の場合は、割高となることをご承知おきください。SLDのお見積りは、お気軽に当社までお問い合わせください。

こちらのページでご紹介しているSLD光源のスペクトル形状には、ガウシアンに近いものと上部が平坦なものがございます。それらの2つの異なるスペクトル形状により、中心波長の求め方が異なります。計算方法については「仕様」タブをご覧ください。

そのほかの波長や、OCT用に最適化されていないデバイスについては、当社のスーパールミネッセントダイオードのフルラインナップをご覧ください。

操作ガイド
各パッケージに記載されている使用条件を必ずお守りください。推奨されている設定で使用すれば最適性能が得られますが、設定を少し変化させることでSLDのスペクトル特性を調整することもできます。例えば、使用条件より低い温度で動作させると、中心波長が短い波長にシフトします。しかし、温度が低くなると、パッケージに記載の推奨出力パワーを超えないようにするために注入電流も低くなってしまいます。

このSLDは、定電流、定温度モードで使用しなければなりません。適切なSLDマウントとドライバを使用すれば、この条件は比較的容易に実現できます。これらのSLDをマウントして駆動するときは、マウントLM14S2を取付けたITC4000シリーズ半導体レーザ用ドライバのご使用をお勧めしています。より低ノイズのドライバが必要な場合には、スタンドアローン型のレーザードライバ/温度コントローラとして、温度コントローラ付きコンパクト型半導体レーザードライバCLD1015をご利用いただけます。

放電によるデバイス損傷を防ぐために、一般的なアクティブ半導体デバイスと同様の標準的な静電気防止対策を順守してください。

OCT用途例

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光源としてSLD830S-A10(下記参照)を組み込んだGanymede™ SD-OCTシステムを使用して得られた目の(a)水晶体、(b)前房、(c) 網膜の画像。
それぞれの画像の組織内深度は6.2 mmで、36 kHzのA-スキャンレートで撮影されています。

超広帯域なスーパールミネッセントダイオードを製造するという性質上、下記のSLD光源の何種類かはガウシアンに近いスペクトルを有しますが、その他は上部が平坦なスペクトルになります。このように異なるスペクトル形状が存在するため、ダイオードの特性を的確に表現するためには、中心波長を2つの異なる方法で定義する必要があります。　

ガウシアンに近い場合の中心波長の定義　
スペクトル形状がガウシアンに近いデバイスの中心波長は相対振幅の加重平均によって定義しています。スペクトルの形状にばらつきがあることから、この値はピークパワーの波長やFWHMに基づく中心波長には一致しない場合があります。光スペクトラムアナライザ(OSA)のトレースデータから、中心波長は以下の式で求められます。

Weighted Average

ここで、

CWは仕様として示される中心波長　
X_iはトレースデータポイントの波長　
Y_iはトレースデータポイントの振幅

上部が平坦な場合の中心波長の定義
上部が平坦のスペクトル形状を持つデバイスの中心波長は、スペクトルのピークから3 dB下がった位置にある2つの波長の中間点と定義します。OSAのトレースデータから、中心波長は以下の式で求められます。

Weighted Average

ここで、

CWは仕様として示される中心波長
X_{R_3dB}は3 dB帯域幅の右端の波長
X_{L_3dB}は3 dB帯域幅の左端の波長

SLDの仕様

下記の仕様はガイドラインとして示しています。各SLDに添付される特性評価シートには、そのデバイス固有の動作パラメータに対する最小値、最大値、推奨値、および仕様が記載されています。ASEパワーの仕様はファイバーピグテールからの出力値を示しています。

770 nmスーパールミネッセントダイオード

Item #	SLD770S
Parameter^a	Min	Typ.	Max
Center Wavelength (CWL)^b	760 nm	770 nm	780 nm
Spectral Shape	Near Gaussian
Operating Current	-	-	170 mA
ASE Power^c	4.5 mW	5.5 mW	-
Optical 3 dB Bandwidth^c,d	15 nm	18 nm	-
RMS Gain Ripple^c	-	0.01 dB	0.3 dB
Forward Voltage^c	-	1.95 V	2.5 V
TEC Operation: Typ. / Max @ T_CASE = 25 °C / 70 °C
TEC Current	-	0.11 A	1.4 A
TEC Voltage	-	0.16 V	4.0 V
Thermistor Resistance	-	10 kΩ	-
Performance Graphs (Click Icons for Plots)
Output Spectrum
LIV Plot
Gain Ripple^c,e
Absolute Maximum Ratings^f
Absolute Max Current	170 mA
Operating Case Temperature	0 to 70 °C
Storage Temperature	-10 to 70 °C
Fiber Specifications
Fiber Type	780HP
Numerical Aperture	0.13
Core Diameter	4.4 µm
Mode Field Diameter (Nominal)	5.0 ± 0.5 µm @ 850 nm
Fiber Length	1.5 m
Connector	FC/APC, 2.0 mm Narrow Key

表中の動作条件に関する仕様は、仕様特性を得るために必要な数値です。ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
ガウシアンに近いスペクトル形状を有するSLDの中心波長は相対振幅の加重平均によって定義され、ピークパワーの波長やFWHMに基づく中心波長には一致しない場合があります。詳細については上記をご覧ください。
動作電流(Operating Current)における値
最小のASEパワーの際に、最小の3 dB帯域幅が保証されています。
測定分解能= 0.02 nm
表に記載されている絶対最大定格を超えると、デバイスに損傷をもたらすことがありますのでご注意ください。

810 nmスーパールミネッセントダイオード

Item #	SLD810S
Parameter^a	Min	Typical	Max
Center Wavelength (CWL)^b	795 nm	810 nm	825 nm
Spectral Shape	Near Gaussian
Operating Current	-	-	270 mA
ASE Power^c	13 mW	15 mW	-
Optical 3 dB Bandwidth^c,d	25 nm	30 nm	-
RMS Gain Ripple^c,e	-	0.03 dB	0.15 dB
Forward Voltage	-	2.1 V	2.5 V
TEC Operation: Typ. / Max @ T_CASE = 25 °C / 70 °C
TEC Current	-	0.2 A	1.4 A
TEC Voltage	-	0.3 V	6.0 V
Thermistor Resistance	-	10 kΩ	-
Performance Graphs (Click Icons for Plots)
Output Spectrum
LIV Plot
Gain Ripple^c,e
Absolute Maximum Ratings^f
Absolute Max Current	290 mA
Operating Case Temperature	0 to 70 °C
Storage Temperature	-10 to 70 °C
Fiber Specifications
Fiber Type	780HP
Numerical Aperture	0.13
Core Diameter	4.4 µm
Mode Field Diameter (Nominal)	5.0 ± 0.5 µm @ 850 nm
Fiber Length	1.5 m
Connector	FC/APC, 2.0 mm Narrow Key

表中の動作条件に関する仕様は、仕様特性を得るために必要な数値です。ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
ガウシアンに近いスペクトル形状を有するSLDの中心波長は相対振幅の加重平均によって定義され、ピークパワーの波長やFWHMに基づく中心波長には一致しない場合があります。詳細については上記をご覧ください。
動作電流(Operating Current)における値
最小のASEパワーの際に、最小の3 dB帯域幅が保証されています。
測定分解能= 0.02 nm
表に記載されている絶対最大定格を超えると、デバイスに損傷をもたらすことがありますのでご注意ください。

830 nmスーパールミネッセントダイオード

Item #^a	SLD830S-A10W^b			SLD830S-A20W^b			SLD830S-A10^c			SLD830S-A20^d
Parameter	Min	Typical	Max	Min	Typical	Max	Min	Typical	Max	Min	Typical	Max
Center Wavelength (CWL)^e	815 nm	830 nm	845 nm	815 nm	830 nm	845 nm	820 nm	830 nm	840 nm	820 nm	830 nm	840 nm
Spectral Shape	Flat Top			Flat Top			Near Gaussian			Near Gaussian
Operating Current	-	-	240 mA	-	-	330 mA	-	-	150 mA	-	-	240 mA
ASE Power^f,g	10 mW	-	-	20 mW	-	-	10 mW	13 mW	-	20 mW	22 mW	-
Optical 3 dB Bandwidth^f,h	50 nm	60 nm	-	40 nm	55 nm	-	17 nm	20 nm	-	17 nm	20 nm	-
Optical 20 dB Bandwidth^f	-	-	-	-	-	-	-	50 nm	-	-	50 nm	-
RMS Gain Ripple^f,i	-	0.06 dB	0.3 dB	-	0.03 dB	0.3 dB	-	0.03 dB	0.15 dB	-	0.03 dB	0.15 dB
Forward Voltage^f	-	2.0 V	2.5 V	-	2.0 V	2.5 V	-	2.0 V	2.5 V	-	2.0 V	2.5 V
TEC Operation: Typ. / Max @ T_CASE = 25 °C / 70 °C
TEC Current	-	0.14 A	1.4 A	-	0.14 A	1.4 A	-	0.1 A	1.5 A	-	0.1 A	1.5 A
TEC Voltage	-	0.18 V	6.0 V	-	0.18 V	6.0 V	-	0.13 V	4.0 V	-	0.13 V	4.0 V
Thermistor Resistance	-	10 kΩ	-	-	10 kΩ	-	-	10 kΩ	-	-	10 kΩ	-
Performance Graphs (Click Icons for Plots)
Output Spectrum
LIV Plot
Gain Rippleⁱ
Absolute Maximum Ratings^j
Absolute Max Current	240 mA			330 mA			150 mA			240 mA
Operating Case Temperature	0 to 70 °C
Storage Temperature	-10 to 70 °C
Fiber Specifications
Fiber Type	780HP
Numerical Aperture	0.13
Core Diameter	4.4 µm
Mode Field Diameter (Nominal)	5.0 ± 0.5 µm @ 850 nm
Fiber Length	1.5 m
Connector	FC/APC, 2.0 mm Narrow Key

表中の動作条件に関する仕様は、仕様特性を得るために必要な数値です。
ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
ここに示す値は、T_CHIP = 25 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
ここに示す値は、T_CHIP = 15～25 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
平坦なスペクトル形状を有するSLDの中心波長は、3 dB帯域幅の中間点と定義されます。ガウシアンに近いスペクトル形状を有するSLDの中心波長は相対振幅の加重平均によって定義され、ピークパワーの波長やFWHMに基づく中心波長には一致しない場合があります。詳細については上記をご覧ください。
動作電流(Operating Current)における値
ファイバーピグテールからの出力値
SLD830S-A10WとSLD830S-A20W:最小のASEパワーの際に、最小の3 dB帯域幅が保証されています。
測定分解能= 0.02 nm
表に記載されている絶対最大定格を超えると、デバイスに損傷をもたらすことがありますのでご注意ください。

840 nmスーパールミネッセントダイオード

Item #	SLD840			SLD840P
Parameter^a	Min	Typical	Max	Min	Typical	Max
Center Wavelength (CWL)^b	820 nm	840 nm	860 nm	820 nm	840 nm	860 nm
Spectral Shape	Flat Top			Flat Top
Operating Current	-	140 mA	180 mA	-	140 mA	180 mA
ASE Power^c,d	3 mW	4 mW	-	3 mW	4 mW	-
Optical 3 dB Bandwidth^c,d,e	60 nm	70 nm	-	60 nm	70 nm	-
RMS Gain Ripple^c,f	-	0.01 dB	0.1 dB	-	0.01 dB	0.1 dB
Forward Voltage^c	-	2.0 V	2.5 V	-	2.0 V	2.5 V
Polarization Extinction Ratio (PER)	-	-	-	-	16 dB	-
TEC Operation: Typ. / Max @ T_CASE = 25 °C / 70 °C
TEC Current	-	0.1 A	1.5 A	-	0.1 A	1.5 A
TEC Voltage	-	0.15 V	4.0 V	-	0.15 V	4.0 V
Thermistor Resistance	-	10 kΩ	-	-	10 kΩ	-
Steinhart-Hart Coefficients	C₁ = 1.1291x10^-3, C₂ = 2.3413x10^-4, and C₃ = 0.8767x10^-7
Performance Graphs (Click Icons for Plots)
Output Spectrum
LIV Plot
Gain Ripple^f
Absolute Maximum Ratings^g
Absolute Max Current	180 mA			180 mA
Operating Case Temperature	0 to 70 °C			0 to 70 °C
Storage Temperature	-10 to 70 °C			-10 to 70 °C
Fiber Specifications
Fiber Type	780HP			PM780-HP^h
Numerical Aperture	0.13			0.12
Core Diameter	4.4 µm			4.5 µm
Mode Field Diameter (Nominal)	5.0 ± 0.5 µm @ 850 nm			5.3 ± 1.0 µm @ 850 nm
Fiber Length	1.5 m			1.5 m
Connector	FC/APC, 2.0 mm Narrow Key			FC/APC, 2.0 mm Narrow Key

表中の動作条件に関する仕様は、仕様特性を得るために必要な数値です。ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
3 dB帯域幅の中間点の波長で定義されています。詳細は上記の定義に関する説明をご覧ください。
動作電流(Operating Current)における値
ファイバーピグテールからの出力値
最小のASEパワーの際に、最小の3 dB帯域幅が保証されています。
測定分解能= 0.02 nm
表に記載されている絶対最大定格を超えると、デバイスが故障する可能性がありますのでご注意ください。
コネクタのキーは偏波保持ファイバのスロー軸にアライメントされています。

850 nmスーパールミネッセントダイオード

Item #	SLD850S-A10W			SLD850S-A20W
Parameter^a	Min	Typical	Max	Min	Typical	Max
Center Wavelength (CWL)^b	835 nm	850 nm	865 nm	835 nm	850 nm	865 nm
Spectral Shape	Flat Top			Flat Top
Operating Current	-	-	180 mA	-	-	340 mA
ASE Power^c,d	10 mW	-	-	20 mW	-	-
Optical 3 dB Bandwidth^c,d	40 nm	60 nm	-	40 nm	55 nm	-
RMS Gain Ripple^c,e	-	0.03 dB	0.3 dB	-	0.03 dB	0.3 dB
Forward Voltage^c	-	2.0 V	2.5 V	-	2.0 V	2.5 V
TEC Operation: Typ. / Max @ T_CASE = 25 °C / 70 °C
TEC Current	-	0.11 A	1.4 A	-	0.18 A	1.4 A
TEC Voltage	-	0.17 V	6.0 V	-	0.27 V	6.0 V
Thermistor Resistance	-	10 kΩ	-	-	10 kΩ	-
Performance Graphs (Click Icons for Plots)
Output Spectrum
LIV Plot
Gain Ripple^e
Absolute Maximum Ratings^f
Absolute Max Current	180 mA			340 mA
Operating Case Temperature	0 to 70 °C
Storage Temperature	-10 to 70 °C
Fiber Specifications
Fiber Type	780HP
Numerical Aperture	0.13
Core Diameter	4.4 µm
Mode Field Diameter (Nominal)	5.0 ± 0.5 µm @ 850 nm
Fiber Length	1.5 m
Connector	FC/APC, 2.0 mm Narrow Key

表中の動作条件に関する仕様は、仕様特性を得るために必要な数値です。ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
3 dB帯域幅の中間点と定義されます。詳細については上記をご覧ください。
動作電流(Operating Current)における仕様値。最小のASEパワーの際に、最小の3 dB帯域幅が保証されています。
ファイバーピグテールからの出力値
測定分解能= 0.02 nm
表に記載されている絶対最大定格を超えると、デバイスに損傷をもたらすことがありますのでご注意ください。

880 nmスーパールミネッセントダイオード

Item #	SLD880S-A7			SLD880S-A25
Parameter^a	Min	Typical	Max	Min	Typical	Max
Center Wavelength (CWL)^b	860 nm	880 nm	900 nm	860 nm	880 nm	900 nm
Spectral Shape	Flat Top			Flat Top
Operating Current	-	-	225 mA	-	-	410 mA
ASE Power^c,d	6 mW	7 mW	-	23 mW	25 mW	-
Optical 3 dB Bandwidth^c	35 nm	40 nm	-	35 nm	40 nm	-
Optical 20 dB Bandwidth^c	-	80 nm	-	-	80 nm	-
RMS Gain Ripple^c,e	-	0.06 dB	0.3 dB	-	0.06 dB	0.3 dB
Forward Voltage^c	-	2.0 V	2.5 V	-	2.0 V	2.5 V
TEC Operation: Typ. / Max @ T_CASE = 25 °C / 70 °C
TEC Current	-	0.2 A	1.4 A	-	0.2 A	1.4 A
TEC Voltage	-	0.8 V	6.0 V	-	0.8 V	6.0 V
Thermistor Resistance	-	10 kΩ	-	-	10 kΩ	-
Performance Graphs (Click Icons for Plots)
Output Spectrum
LIV Plot
Gain Ripple^e
Absolute Maximum Ratings^f
Absolute Max Current	225 mA			410 mA
Operating Case Temperature	0 to 70 °C
Storage Temperature	-10 to 70 °C
Fiber Specifications
Fiber Type	780HP
Numerical Aperture	0.13
Core Diameter	4.4 µm
Mode Field Diameter (Nominal)	5.0 ± 0.5 µm @ 850 nm
Fiber Length	1.0 ± 0.05 m			1.5 ± 0.05 m
Connector	FC/APC, 2.0 mm Narrow Key

表中の動作条件に関する仕様は、仕様特性を得るために必要な数値です。ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
3 dB帯域幅の中間点と定義されます。詳細については上記をご覧ください。
動作電流(Operating Current)における仕様値。最小のASEパワーの際に、最小の3 dB帯域幅が保証されています。
ファイバーピグテールからの出力値
測定分解能= 0.02 nm
表に記載されている絶対最大定格を超えると、デバイスに損傷をもたらすことがありますのでご注意ください。

920 nmスーパールミネッセントダイオード

Item #	SLD920S			SLD920P
Parameter^a	Min	Typical	Max	Min	Typical	Max
Operating Current	-	-	420 mA	-	-	420 mA
Center Wavelength (CWL)^b	895 nm	920 nm	945 nm	895 nm	920 nm	945 nm
Spectral Shape	Flat Top			Flat Top
ASE Power^c,d	10 mW	15 mW	-	10 mW	15 mW	-
Optical 3 dB Bandwidth^c,d	50 nm	65 nm	-	50 nm	65 nm	-
RMS Gain Ripple^c,e	-	0.02 dB	0.3 dB	-	0.02 dB	0.3 dB
Forward Voltage^c	-	2.0 V	2.5 V	-	2.0 V	2.5 V
TEC Operation: Typ. / Max @ T_CASE = 25 °C / 70 °C
TEC Current	-	0.3 A	1.4 A	-	0.3 A	1.4 A
TEC Voltage	-	0.4 V	6.0 V	-	0.4 V	6.0 V
Thermistor Resistance	-	10 kΩ	-	-	10 kΩ	-
Performance Graphs (Click Icons for Plots)
Output Spectrum
LIV Plot
Gain Ripple^e
Absolute Maximum Ratings^f
Absolute Max Current	420 mA			420 mA
Operating Case Temperature	0 °C to 70 °C			0 °C to 70 °C
Storage Temperature	-10 °C to 70 °C			-10 °C to 70 °C
Fiber Specifications
Fiber Type	780HP			PM780-HP^g
Numerical Aperture	0.13			0.12
Core Diameter	4.4 µm			4.5 µm
Mode Field Diameter (Nominal)	5.0 ± 0.5 µm @ 850 nm			5.3 ± 1.0 µm @ 850 nm
Fiber Length	1.5 m			1.5 m
Connector	FC/APC, 2.0 mm Narrow Key			FC/APC, 2.0 mm Narrow Key

表中の動作条件に関する仕様は、仕様特性を得るために必要な数値です。ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
3 dB帯域幅の中間点と定義されます。詳細については上記をご覧ください。
動作電流(Operating Current)における仕様値。最小のASEパワーの際に、最小の3 dB帯域幅が保証されています。
ファイバーピグテールからの出力値
測定分解能= 0.02 nm
表に記載されている絶対最大定格を超えると、デバイスに損傷をもたらすことがありますのでご注意ください。
コネクタのキーはファイバのスロー軸にアライメントされています。

930 nmスーパールミネッセントダイオード

Item #	SLD930S-A40W			SLD930P-A40W
Parameter^a	Min	Typical	Max	Min	Typical	Max
Operating Current	-	-	800 mA	-	-	800 mA
Center Wavelength (CWL)^b	915 nm	930 nm	945 nm	915 nm	930 nm	945 nm
Spectral Shape	Flat Top			Flat Top
ASE Power^c,d	36 mW	40 mW	-	36 mW	40 mW	-
Optical 3 dB Bandwidth^c,d	40 nm	45 nm	-	40 nm	45 nm	-
RMS Gain Ripple^c,e	-	0.06 dB	0.3 dB	-	0.06 dB	0.3 dB
Forward Voltage^c	-	2.0 V	2.5 V	-	2.0 V	2.5 V
TEC Operation: Typ. / Max @ T_CASE = 25 °C / 70 °C
TEC Current	-	0.54 A	1.4 A	-	0.54 A	1.4 A
TEC Voltage	-	0.78 V	6.0 V	-	0.78 V	6.0 V
Thermistor Resistance	-	10 kΩ	-	-	10 kΩ	-
Performance Graphs (Click Icons for Plots)
Output Spectrum
LIV Plot
Gain Ripple^e
Absolute Maximum Ratings^f
Absolute Max Current	800 mA			800 mA
Operating Case Temperature	0 °C to 70 °C			0 °C to 70 °C
Storage Temperature	-10 °C to 70 °C			-10 °C to 70 °C
Fiber Specifications
Fiber Type	780HP			PM780-HP^g
Numerical Aperture	0.13			0.12
Core Diameter	4.4 µm			4.5 µm
Mode Field Diameter (Nominal)	5.0 ± 0.5 µm @ 850 nm			5.3 ± 1.0 µm @ 850 nm
Fiber Length	1.5 m			1.5 m
Connector	FC/APC, 2.0 mm Narrow Key			FC/APC, 2.0 mm Narrow Key

表中の動作条件に関する仕様は、仕様特性を得るために必要な数値です。ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
3 dB帯域幅の中間点と定義されます。詳細については上記をご覧ください。
動作電流(Operating Current)における仕様値。最小のASEパワーの際に、最小の3 dB帯域幅が保証されています。
ファイバーピグテールからの出力値
測定分解能= 0.02 nm
表に記載されている絶対最大定格を超えると、デバイスに損傷をもたらすことがありますのでご注意ください。
コネクタのキーはファイバのスロー軸にアライメントされています。

970 nmスーパールミネッセントダイオード

Item #	SLD970S-A40W			SLD970P-A40W
Parameter^a	Min	Typical	Max	Min	Typical	Max
Operating Current	-	1000 mA	1010 mA	-	1000 mA	1010 mA
Center Wavelength (CWL)^b	945 nm	970 nm	995 nm	945 nm	970 nm	995 nm
Spectral Shape	Flat Top			Flat Top
ASE Power^c,d	35 mW	40 mW	-	35 mW	40 mW	-
Optical 3 dB Bandwidth^c,d	40 nm	50 nm	-	40 nm	50 nm	-
RMS Gain Ripple^c,e	-	0.03 dB	0.2 dB	-	0.03 dB	0.2 dB
Forward Voltage^c	-	2.0 V	2.5 V	-	2.0 V	2.5 V
TEC Operation: Typ. / Max @ T_CASE = 25 °C / 70 °C
TEC Current	-	0.83 A	1.4 A	-	0.83 A	1.4 A
TEC Voltage	-	1.2 V	6.0 V	-	1.2 V	6.0 V
Thermistor Resistance	-	10 kΩ	-	-	10 kΩ	-
Performance Graphs (Click Icons for Plots)
Output Spectrum
LIV Plot
Gain Ripple^e
Absolute Maximum Ratings^f
Absolute Max Current	1010 mA			1010 mA
Operating Case Temperature	0 °C to 70 °C			0 °C to 70 °C
Storage Temperature	-10 °C to 70 °C			-10 °C to 70 °C
Fiber Specifications
Fiber Type	HI1060			PM980-XP^g
Numerical Aperture	0.14			0.12
Core Diameter	5.8 µm			5.5 µm
Mode Field Diameter (Nominal)	5.9 ± 0.3 µm @ 980 nm			6.6 ± 0.5 µm @ 980 nm
Fiber Length	1.5 m			1.5 m
Connector	FC/APC, 2.0 mm Narrow Key			FC/APC, 2.0 mm Narrow Key

表中の動作条件に関する仕様は、仕様特性を得るために必要な数値です。ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
3 dB帯域幅の中間点と定義されます。詳細については上記をご覧ください。
動作電流(Operating Current)における仕様値。最小のASEパワーの際に、最小の3 dB帯域幅が保証されています。
ファイバーピグテールからの出力値
測定分解能= 0.02 nm
表に記載されている絶対最大定格を超えると、デバイスに損傷をもたらすことがありますのでご注意ください。
コネクタのキーはファイバのスロー軸にアライメントされています。

1050 nmスーパールミネッセントダイオード

Item #	SLD1050S-A60			SLD1050P-A60
Parameter^a	Min	Typical	Max	Min	Typical	Max
Center Wavelength (CWL)^b	1025 nm	1050 nm	1075 nm	1025 nm	1050 nm	1075 nm
Spectral Shape	Flat Top			Flat Top
Operating Current	-	-	1010 mA	-	-	1010 mA
ASE Power^c,d	55 mW	60 mW	-	55 mW	60 mW	-
Optical 3 dB Bandwidth^c	60 nm	70 nm	-	60 nm	70 nm	-
Optical 20 dB Bandwidth^c	-	100 nm	-	-	-	-
RMS Gain Ripple^c,e	-	0.03 dB	0.2 dB	-	0.06 dB	0.3 dB
Forward Voltage^c	-	2.0 V	2.5 V	-	1.9 V	2.5 V
TEC Operation: Typ. / Max @ T_CASE = 25 °C / 65 °C
TEC Current	-	0.7 A	2.5 A	-	0.7 A	2.5 A
TEC Voltage	-	0.9 V	3.2 V	-	1.0 V	3.2 V
Thermistor Resistance	-	10 kΩ	-	-	10 kΩ	-
Performance Graphs (Click Icons for Plots)
Output Spectrum
LIV Plot
Gain Ripple^e
Absolute Maximum Ratings^f
Absolute Max Current	1010 mA			1010 mA
Operating Case Temperature	0 to 70 °C			0 to 70 °C
Storage Temperature	-10 to 70 °C			-10 to 70 °C
Fiber Specifications
Fiber Type	HI1060			PM980-XP^g
Numerical Aperture	0.14			0.12
Core Diameter	6.2 µm			5.5 µm
Mode Field Diameter (Nominal)	6.2 ± 0.3 µm @ 1060 nm			6.6 ± 0.5 µm @ 980 nm
Fiber Length	1.5 m			1.5 m
Connector	FC/APC, 2.0 mm Narrow Key			FC/APC, 2.0 mm Narrow Key

表中の動作条件に関する仕様は、仕様特性を得るために必要な数値です。ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
3 dB帯域幅の中間点と定義されます。詳細については上記をご覧ください。
動作電流(Operating Current)における仕様値。最小のASEパワーの際に、最小の3 dB帯域幅が保証されています。
ファイバーピグテールからの出力値
測定分解能= 0.02 nm
表に記載されている絶対最大定格を超えると、デバイスに損傷をもたらすことがありますのでご注意ください。
コネクタのキーはファイバのスロー軸にアライメントされています。

1220 nmスーパールミネッセントダイオード

Item #	SLD1220			SLD1220P
Parameter^a	Min	Typical	Max	Min	Typical	Max
Center Wavelength (CWL)^b	1205 nm	1220 nm	1235 nm	1205 nm	1220 nm	1235 nm
Spectral Shape	Flat Top			Flat Top
Operating Current	-	400 mA	450 mA	-	400 mA	450 mA
ASE Power^c,d	4 mW	5 mW	-	4 mW	5 mW	-
Optical 3 dB Bandwidth^c,e	85 nm	90 nm	-	85 nm	90 nm	-
RMS Gain Ripple^c,f	-	0.05 dB	0.35 dB	-	0.05 dB	0.35 dB
Forward Voltage^c	-	1.7 V	2.0 V	-	1.7 V	2.0 V
TEC Operation: Typ. / Max @ T_CASE = 25 °C / 70 °C
TEC Current	-	0.28 A	1.5 A	-	0.28 A	1.5 A
TEC Voltage	-	0.39 V	3.5 V	-	0.39 V	3.5 V
Thermistor Resistance	-	10 kΩ	-	-	10 kΩ	-
Integrated Isolator
Isolation	-	50 dB	-	-	50 dB	-
Performance Graphs (Click Icons for Plots)
Output Spectrum
LIV Plot
Absolute Maximum Ratings^g
Absolute Max Current	1.5 A			1.5 A
Operating Case Temperature	0 to 70 °C			0 to 70 °C
Storage Temperature	-10 to 70 °C			-10 to 70 °C
Fiber Specifications
Fiber Type	HI1060			Corning^® PM13-U40A
Numerical Aperture	0.14			0.12
Mode Field Diameter (Nominal)	5.9 ± 0.3 µm @ 980 nm 6.2 ± 0.3 µm @ 1030 nm			9.3 ± 0.5 µm @ 1550 nm
Fiber Length	1.50 m			1.50 m
Connector	FC/APC, 2.0 mm Narrow Key			FC/APC, 2.0 mm Narrow Key^h

表中の動作条件に関する仕様は、仕様特性を得るために必要な数値です。ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
3 dB帯域幅の中間点と定義されます。詳細については上記をご覧ください。
動作電流(Operating Current)における仕様値
ファイバーピグテールからの出力値
最小のASEパワーの際に、最小の3 dB帯域幅が保証されています。
測定分解能= 0.02 nm
表に記載されている絶対最大定格を超えると、デバイスが故障する可能性がありますのでご注意ください。
コネクタのキーは偏波保持ファイバのスロー軸にアライメントされています。

1310 nmおよび1315 nmスーパールミネッセントダイオード

Item #	SLD1021S			SLD1310			SLD1310P
Parameter^a	Min	Typical	Max	Min	Typical	Max	Min	Typical	Max
Operating Current	-	700 mA	900 mA	-	900 mA	1000 mA	-	900 mA	1000 mA
Center Wavelength (CWL)^b	1290 nm	-	1330 nm	1300 nm	1315 nm	1330 nm	1300 nm	1315 nm	1330 nm
Spectral Shape	Near Gaussian			Flat Top			Flat Top
ASE Power^c,d	10 mW	12.5 mW	-	22 mW	30 mW	-	22 mW	30 mW	-
Optical 3 dB Bandwidth^c,d,e	80 nm	85 nm	-	75 nm	90 nm	-	75 nm	90 nm	-
RMS Gain Ripple^c,f	-	-	0.35 dB	-	0.12 dB	0.3 dB	-	0.12 dB	0.3 dB
Forward Voltage	-	1.55 V	2.0 V	-	2.0 V	2.3 V	-	2.0 V	2.3 V
Polarization Extinction Ratio (PER)	-	-	-	-	-	-	-	23 dB	-
Operating Temperature Range	0 to 40 °C			0 °C to 70 °C			0 °C to 70 °C
TEC Operation^g
TEC Current	-	0.4 A	1.5 A	-	0.7 A	1.5 A	-	0.7 A	1.5 A
TEC Voltage	-	0.5 V	4 V	-	1.0 V	4.0 V	-	1.0 V	4.0 V
Thermistor Resistance	-	10 kΩ	-	-	10 kΩ	-	-	10 kΩ	-
Integrated Isolator
Isolation	N/A^h			-	50 dB	-	-	50 dB	-
Performance Graphs (Click Icons for Plots)
Output Spectrum
LIV Plot
Gain Ripple^f	-
Absolute Maximum Ratingsⁱ
Absolute Max Current	-			-			1000 mA
Operating Case Temperature	-			-			0 °C to 70 °C
Storage Temperature	-			-			-10 °C to 70 °C
Fiber Specifications
Fiber Type	SMF-28+			SMF-28e			Corning PM13-U40A^j
Numerical Aperture	0.14			0.14			0.12
Core Diameter	8.2 µm			8.2 µm			-
Mode Field Diameter	9.2 ± 0.4 µm @ 1310 nm 10.2 ± 0.5 µm @ 1550 nm			9.2 ± 0.4 µm @ 1310 nm 10.2 ± 0.5 µm @ 1550 nm			9.3 ± 0.5 µm @ 1300 nm
Fiber Length	1.5 m			1.5 m ± 0.05 m			1.5 m ± 0.05 m
Connector	FC/APC, 2.0 mm Narrow Key			FC/APC, 2.0 mm Narrow Key			FC/APC, 2.0 mm Narrow Key

表中の動作条件に関する仕様は、仕様特性を得るために必要な数値です。ここに示す値は、SLD1021SについてはT_CHIP = 25 °C / T_CASE = 0～65 °C、SLD1310xについては T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °C の状態で、何れもCW動作させたときのものです。
ガウシアンに近いスペクトル形状を有するSLDの中心波長は相対振幅の加重平均によって定義しているため、ピークパワーの波長やFWHMに基づく中心波長には一致しない場合があります。平坦なスペクトル形状を有するSLDの中心波長は、3 dB帯域幅の中間点の波長で定義されています。詳細は上記の定義に関する説明をご覧ください。
動作電流(Operating Current)における値
ファイバーピグテールからの出力値
最小のASEパワーの際に、最小の3 dB帯域幅が保証されています。
測定分解能= 0.02 nm
SLD1021Sについては、T_CASE = 25 °C / 65 °Cにおける典型値/最大値を示しています。SLD1310xについては、T_CASE = 25 °C / 70 °Cにおける典型値/最大値を示しています。
これらのSLDには光アイソレータは組み込まれていません。
表に記載されている絶対最大定格を超えると、デバイスが故障する可能性がありますのでご注意ください。
コネクタのキーは偏波保持ファイバのスロー軸にアライメントされています。

1325 nmスーパールミネッセントダイオード

Item #	SLD1325			SLD1330			SLD1330P
Parameter^a	Min	Typical	Max	Min	Typical	Max	Min	Typical	Max
Operating Current	-	-	780 mA	-	1250 mA	1300 mA	-	1250 mA	1300 mA
Center Wavelength (CWL)^b	-	1325 nm	-	1310 nm	1325 nm	1340 nm	1310 nm	1325 nm	1340 nm
Spectral Shape	Flat Top			Flat Top			Flat Top
ASE Power^c,d	10 mW	-	-	35 mW	40 mW	-	35 mW	40 mW	-
Optical 3 dB Bandwidth^c,d,e	100 nm	-	-	80 nm	90 nm	-	80 nm	90 nm	-
RMS Gain Ripple^c,f	-	-	-	-	0.1 dB	0.3 dB	-	0.1 dB	0.3 dB
Forward Voltage	-	-	4 V	-	2.3 V	2.5 V	-	2.3 V	2.5 V
Polarization Extinction Ratio (PER)	-	-	-	-	-	-	-	23 dB	-
Operating Temperature Range	0 to 40 °C			0 to 70 °C			0 to 70 °C
TEC Operation^g
TEC Current	-	-	4 A	-	1.2 A	1.5 A	-	1.2 A	1.5 A
TEC Voltage	-	-	4 V	-	1.6 V	4.0 V	-	1.6 V	4.0 V
Thermistor Resistance	-	-	10 kΩ	-	10 kΩ	-	-	10 kΩ	-
Steinhart-Hart Coefficients	C₁ = 1.1291x10^-3, C₂ = 2.3413x10^-4, and C₃ = 0.8767x10^-7
Integrated Isolator
Isolation	30 dB	-	-	-	50 dB	-	-	50 dB	-
Performance Graphs (Click Icons for Plots)
Output Spectrum
LIV Plot
Gain Ripple^f	-
Absolute Maximum Ratings^h
Absolute Max Current	-			1300 mA			1300 mA
Operating Case Temperature	-			0 °C to 70 °C			0 °C to 70 °C
Storage Temperature	-			-10 °C to 70 °C			-10 °C to 70 °C
Fiber Specifications
Fiber Type	SMF-28e			SMF-28e			Corning PM13-U40Aⁱ
Numerical Aperture	0.14			0.14			0.12
Core Diameter	8.2 µm			8.2 µm			-
Mode Field Diameter	9.2 ± 0.4 µm @ 1310 nm 10.2 ± 0.5 µm @ 1550 nm			9.2 ± 0.4 µm @ 1310 nm 10.2 ± 0.5 µm @ 1550 nm			9.3 ± 0.5 µm @ 1300 nm
Fiber Length	1.5 m			1.5 m ± 0.05 m			1.5 m ± 0.05 m
Connector	FC/APC, 2.0 mm Narrow Key			FC/APC, 2.0 mm Narrow Key			FC/APC, 2.0 mm Narrow Key

表中の動作条件に関する仕様は、仕様特性を得るために必要な数値です。SLD1330xについて、ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
3 dB帯域幅の中間点の波長で定義されています。詳細は上記の定義に関する説明をご覧ください。
動作電流(Operating Current)における値
動作電流(Operating Current)におけるファイバーピグテールからの出力値
最小のASEパワーの際に、最小の3 dB帯域幅が保証されています。
測定分解能= 0.02 nm
SLD1330xについては、T_CASE = 25 °C / 70 °Cにおける典型値/最大値を示しています。
表に記載されている絶対最大定格を超えると、デバイスが故障する可能性がありますのでご注意ください。
コネクタのキーは偏波保持ファイバのスロー軸にアライメントされています。

1400 nmスーパールミネッセントダイオード

Item #	SLD1410			SLD1410P
Parameter^a	Min	Typical	Max	Min	Typical	Max
Center Wavelength (CWL)^b	1385 nm	1400 nm	1415 nm	1385 nm	1400 nm	1415 nm
Spectral Shape	Near Gaussian			Near Gaussian
Operating Current	-	600 mA	700 mA	-	600 mA	700 mA
ASE Power^c,d	4 mW	5 mW	-	4 mW	5 mW	-
Optical 3 dB Bandwidth^c,e	90 nm	98 nm	-	90 nm	98 nm	-
RMS Gain Ripple^c,f	-	0.2 dB	0.6 dB	-	0.2 dB	0.6 dB
Forward Voltage^c	-	1.7 V	2.0 V	-	1.7 V	2.0 V
TEC Operation: Typ. / Max @ T_CASE = 25 °C / 70 °C
TEC Current	-	0.38 A	1.5 A	-	0.38 A	1.5 A
TEC Voltage	-	0.55 V	3.5 V	-	0.55 V	3.5 V
Thermistor Resistance	-	10 kΩ	-	-	10 kΩ	-
Integrated Isolator
Isolation	-	30 dB	-	-	30 dB	-
Performance Graphs (Click Icons for Plots)
Output Spectrum
LIV Plot
Gain Ripple^c,f
Absolute Maximum Ratings^g
Absolute Max Current	700 mA			700 mA
Operating Case Temperature	0 to 70 °C			0 to 70 °C
Storage Temperature	-10 to 70 °C			-10 to 70 °C
Fiber Specifications
Fiber Type	SMF-28e (SM)			Corning PM13-U40A (PM)^h
Numerical Aperture	0.14			0.12
Mode Field Diameter (Nominal)	10.4 ± 0.5 µm @ 1550 nm			9.3 ± 0.5 µm @ 1550 nm
Fiber Length	1.5 m			1.5 m
Connector	FC/APC, 2.0 mm Narrow Key			FC/APC, 2.0 mm Narrow Key

表中の動作条件に関する仕様は、仕様特性を得るために必要な数値です。ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
中心波長は相対振幅の加重平均によって定義され、ピークパワーの波長やFWHMに基づく中心波長には一致しない場合があります。詳細については上記をご覧ください。
動作電流(Operating Current)における値
ファイバーピグテールからの出力値
最小のASEパワーの際に、最小の3 dB帯域幅が保証されています。
測定分解能 = 0.1 nm
表に記載されている絶対最大定格を超えると、デバイスが故障する可能性がありますのでご注意ください。
コネクタのキーは偏波保持ファイバのスロー軸にアライメントされています。

1450 nmスーパールミネッセントダイオード

Item #	SLD1450S			SLD1450P
Parameter^a	Min	Typical	Max	Min	Typical	Max
Center Wavelength (CWL)^b	1435 nm	1450 nm	1465 nm	1435 nm	1450 nm	1465 nm
Spectral Shape	Near Gaussian			Near Gaussian
Operating Current	-	500 mA	600 mA	-	500 mA	600 mA
ASE Power^c,d	23 mW	25 mW	-	23 mW	25 mW	-
Optical 3 dB Bandwidth^c,e	50 nm	54 nm	-	50 nm	54 nm	-
RMS Gain Ripple^c,f	-	0.06 dB	0.35 dB	-	0.06 dB	0.35 dB
Forward Voltage^c	-	1.7 V	2.0 V	-	1.7 V	2.0 V
TEC Operation: Typ. / Max @ T_CASE = 25 °C / 65 °C
TEC Current	-	0.3 A	1.5 A	-	0.3 A	1.5 A
TEC Voltage	-	0.4 V	4.0 V	-	0.4 V	4.0 V
Thermistor Resistance	-	10 kΩ	-	-	10 kΩ	-
Performance Graphs (Click Icons for Plots)
Output Spectrum
LIV Plot
Gain Ripple^c,f
Absolute Maximum Ratings^g
Absolute Max Current	600 mA			600 mA
Operating Case Temperature	0 to 70 °C			0 to 70 °C
Storage Temperature	-10 to 70 °C			-10 to 70 °C
Fiber Specifications
Fiber Type	SMF-28e (SM)			Corning PM15-U40A (PM)^h
Numerical Aperture	0.14			0.125
Mode Field Diameter (Nominal)	9.2 ± 0.4 µm @ 1310 nm 10.4 ± 0.5 µm @ 1550 nm			10.5 ± 0.5 µm @ 1550 nm
Fiber Length	1.5 m			1.5 m
Connector	FC/APC, 2.0 mm Narrow Key			FC/APC, 2.0 mm Narrow Key

表中の動作条件に関する仕様は、仕様特性を得るために必要な数値です。ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
中心波長は相対振幅の加重平均によって定義され、ピークパワーの波長やFWHMに基づく中心波長には一致しない場合があります。詳細については上記をご覧ください。
動作電流(Operating Current)における値
ファイバーピグテールからの出力値
最小のASEパワーの際に、最小の3 dB帯域幅が保証されています。
測定分解能= 0.1 nm
表に記載されている絶対最大定格を超えると、デバイスに損傷をもたらすことがありますのでご注意ください。
コネクタのキーは偏波保持ファイバのスロー軸にアライメントされています。

1610 nmスーパールミネッセントダイオード

Item #	SLD1610			SLD1610P
Parameter^a	Min	Typical	Max	Min	Typical	Max
Center Wavelength (CWL)^b	1590 nm	1610 nm	1630 nm	1590 nm	1610 nm	1630 nm
Spectral Shape	Near Gaussian			Near Gaussian
Operating Current	-	800 mA	900 mA	-	800 mA	900 mA
ASE Power^c,d	22 mW	27 mW	-	22 mW	27 mW	-
Optical 3 dB Bandwidth^c,e	50 nm	57 nm	-	50 nm	57 nm	-
RMS Gain Ripple^c,f	-	0.2 dB	0.5 dB	-	0.2 dB	0.5 dB
Forward Voltage^c	-	1.8 V	2.2 V	-	1.8 V	2.2 V
Polarization Extinction Ratio	-	-	-	15 dB	24 dB	-
TEC Operation: Typ. / Max @ T_CASE = 25 °C / 70 °C
TEC Current	-	0.5 A	1.5 A	-	0.5 A	1.5 A
TEC Voltage	-	0.8 V	4.0 V	-	0.8 V	4.0 V
Thermistor Resistance	-	10 kΩ	-	-	10 kΩ	-
Performance Graphs (Click Icons for Plots)
Output Spectrum
LIV Plot
Gain Ripple^c,f
Absolute Maximum Ratings^g
Absolute Max Current	900 mA			900 mA
Operating Case Temperature	0 to 70 °C			0 to 70 °C
Storage Temperature	-10 to 70 °C			-10 to 70 °C
Fiber Specifications
Fiber Type	SMF-28e (SM)			Corning PM15-U40A (PM)^h
Numerical Aperture	0.14			0.125
Mode Field Diameter (Nominal)	10.4 ± 0.5 µm @ 1550 nm			10.5 ± 0.5 µm @ 1550 nm
Fiber Length	1.5 m ± 0.05 m			1.5 m ± 0.05 m
Connector	FC/APC, 2.0 mm Narrow Key			FC/APC, 2.0 mm Narrow Key

表中の動作条件に関する仕様は、仕様特性を得るために必要な数値です。ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
中心波長は相対振幅の加重平均によって定義され、ピークパワーの波長やFWHMに基づく中心波長には一致しない場合があります。詳細については上記をご覧ください。
動作電流(Operating Current)における値
ファイバーピグテールからの出力値
最小のASEパワーの際に、最小の3 dB帯域幅が保証されています。
測定分解能= 0.1 nm
表に記載されている絶対最大定格を超えると、デバイスに損傷をもたらすことがありますのでご注意ください。
コネクタのキーは偏波保持ファイバのスロー軸にアライメントされています。

1685 nmスーパールミネッセントダイオード

Item #	SLD1690			SLD1690P
Parameter^a	Min	Typical	Max	Min	Typical	Max
Center Wavelength (CWL)^b	1670 nm	1685 nm	1700 nm	1670 nm	1685 nm	1700 nm
Spectral Shape	Near Gaussian			Near Gaussian
Operating Current	-	700 mA	800 mA	-	700 mA	800 mA
ASE Power^c,d	3 mW	4 mW	-	3 mW	4 mW	-
Optical 3 dB Bandwidth^c,e	80 nm	85 nm	-	80 nm	85 nm	-
RMS Gain Ripple^c,f	-	0.01 dB	0.05 dB	-	0.01 dB	0.05 dB
Forward Voltage^c	-	1.5 V	1.9 V	-	1.5 V	1.9 V
TEC Operation: Typ. / Max @ T_CASE = 25 °C / 70 °C
TEC Current	-	0.4 A	1.5 A	-	0.4 A	1.5 A
TEC Voltage	-	0.6 V	3.5 V	-	0.6 V	3.5 V
Thermistor Resistance	-	10 kΩ	-	-	10 kΩ	-
Integrated Optical Isolator
Isolation	-	30 dB	-	-	30 dB	-
Performance Graphs (Click Icons for Plots)
Output Spectrum
LIV Plot
Gain Ripple^f
Absolute Maximum Ratings^g
Absolute Max Current	800 mA			800 mA
Operating Case Temperature	0 to 70 °C			0 to 70 °C
Storage Temperature	-10 to 70 °C			-10 to 70 °C
Fiber Specifications
Fiber Type	SMF-28e (SM)			Corning PM13-U40A (PM)^h
Numerical Aperture	0.14			0.12
Mode Field Diameter (Nominal)	10.4 ± 0.5 µm @ 1550 nm			9.3 ± 0.5 µm @ 1550 nm
Fiber Length	1.50 ± 0.05 m			1.50 ± 0.05 m
Connector	FC/APC, 2.0 mm Narrow Key			FC/APC, 2.0 mm Narrow Key

表中の動作条件に関する仕様は、仕様特性を得るために必要な数値です。ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
中心波長は相対振幅の加重平均によって定義され、ピークパワーの波長やFWHMに基づく中心波長には一致しない場合があります。詳細については上記をご覧ください。
動作電流(Operating Current)における値
ファイバーピグテールからの出力値
最小のASEパワーの際に、最小の3 dB帯域幅が保証されています。
測定分解能= 0.1 nm
表に記載されている絶対最大定格を超えると、デバイスに損傷をもたらすことがありますのでご注意ください。
コネクタのキーは偏波保持ファイバのスロー軸にアライメントされています。

OCT用SLDのスペクトルの比較

こちらのグラフをご覧いただくと、当社のすべてのOCT用SLDのスペクトルを比較することができます。下のグラフで、シングルモードファイバ結合型と偏波保持ファイバ結合型の両方のタイプがあるSLDのスペクトルは、1つのスペクトルで表されています。そのスペクトルデータは両方のタイプに適用され、またSLDの型番には「x」が記載されています。生データはこちらからダウンロードいただけます。

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スペクトルの比較：すべてのOCT用SLD

Optical spectra for 770 to 850 nm OCT SLDs.

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スペクトルの比較：中心波長770～850 nmのOCT用SLD

Optical spectra for 880 to 1050 nm OCT SLDs.

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スペクトルの比較：中心波長880～1050 nmのOCT用SLD

Optical spectra for 1220 to 1690 nm OCT SLDs.

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スペクトルの比較：中心波長1220～1685 nmのOCT用SLD

Theoretical Limit of Axial Resolution for a 1325 nm SD OCT system

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スペクトルドメインOCTシステムがガウシアン分布を有し、中心波長1325 nmの光源を使用した場合の理論上の軸方向分解能

スペクトルドメインOCTイメージングシステムの軸方向分解能は下記のとおりです。

Δzは軸方向分解能(自己相関関数のFWHM)で、ΔλはSLD光源の出力スペクトルのFWHMです。空気の屈折率(n)は～1なので、中心波長(λ)が1325 nmでスペクトル帯域幅が100 nmである場合の軸方向分解能は約7.7 μmとなります(グラフをご参照ください)。この数式は、ガウス型スペクトル分布の典型的な光源を使用した場合です。非ガウス型光源の使用により生成されるサイドローブなどを減らすには、検出されたインターフェログラムにスペクトルフィルタを適用することを推奨いたします。フィルタの適用により、実際の分解能は低下する場合があります。

バタフライパッケージ、タイプ 1

Pin	Description	Pin	Description
1	+ TEC	14	- TEC
2	Thermistor	13	Case Ground
3	Not Connected	12	Not Connected
4	Not Connected	11	SLD Cathode
5	Thermistor	10	SLD Anode
6	Not Connected	9	Not Connected
7	Not Connected	8	Not Connected

Posted Comments:

Jang Jin (posted 2020-07-21 22:29:26.41)

I am writing to inquire about SLD1050S-A60 life time. I look forward to hearing from you in my inquiry soon. Thank you.

YLohia (posted 2020-07-23 04:58:31.0)

Thank you for contacting Thorlabs. We expect the lifetime of the SLD1050S-A60 to be >100,000 hours at 60 mW/950 mA/25 C operating parameters.

Murat Yessenov (posted 2020-05-27 20:07:04.087)

Hi! I wonder if you can make a custom-made SLD at a slightly different wavelength. We are interested in an SLD similar to SLD830S-A20, but centered at or closer to 800 nm? Thanks!

YLohia (posted 2020-05-28 09:37:32.0)

Hello, thank you for contacting Thorlabs. Is there any specific reason that the SLD830S-A20W does not work for your application? This is a broadband SLED and will cover a wide region of wavelengths around 800 nm. I have reached out to you directly to discuss this further.

robert (posted 2017-08-22 09:01:35.56)

Dear, I have one question regarding SLD unit in OCT instruments for example Topcon OCT-2000. Has a SLD unit lifitime and how we can count this lifetime ? Is this is depending only from how many OCT images has been done or also how many years are old SLD unit. IS life time is also depending of working hours of SLD for example we have switch on OCT 8 hours every day and we done maybe 20 OCT images. Thanks a lot for your help. Regards, Robert Rimc

tfrisch (posted 2017-09-13 11:22:29.0)

Hello, thank you for contacting Thorlabs. Lifetime can be estimated, but it will vary for different operating conditions. I will reach out to you directly to discuss your application.

jjurado (posted 2011-07-12 10:31:00.0)

Response from Javier at Thorlabs to last poster: Thank you very much for your feedback. You are correct in asserting that the theoretical resolution is based on the assumption of a Gaussian profile. There are analytical filtering techniques which can be performed to reshape the spectrum of the SLD1325 to provide a Gaussian shape. The actual resolution will sacrifice a bit, but in practice it is nominal. We will add information to the resolution tab shortly to clarify this. Please do not hesitate to contact us at techsupport@thorlabs.com if you have any further questions or comments.

user (posted 2011-07-11 10:41:04.0)

The theoretical resolution is based on a gaussian shape. The equation is not valid for this light source, but you suggest it would.

Tyler (posted 2009-02-13 08:11:21.0)

A response from Tyler at Thorlabs to xzhao: Thank you for pointing out the units mistake. It has been fixed.

xzhao (posted 2009-02-13 00:30:17.0)

Dear Webmaster, The Spec for SLD1325 should be Bandwidth* >100 nm but not Bandwidth* >100 mW Thanks, Xuefeng Zhao Thorlabs Japan

スーパールミネッセントダイオードの性能

緑色の欄はOCTシステムに適した製品です。

製品番号(Item #)をクリックして「Documents」タブを選択すると、資料や図面をダウンロードいただけます。

Item #	Center Wavelength	Package	Output Power^a	Bandwidth (3 dB)	Integrated Isolator	Equivalent Benchtop Source
SLD405B	405 nm	Butterfly, SM Pigtail	5 mW	3 nm	No	No
SLD450B	450 nm	Butterfly, SM Pigtail	5 mW	6 nm	No	No
SLD450T	450 nm	TO-56	10 mW	5 nm	No	No
SLD510B	510 nm	Butterfly, SM Pigtail	1.5 mW	8 nm	No	No
SLD635B	635 nm	Butterfly, SM Pigtail	3 mW	6 nm	No	No
SLD635T	635 nm	TO-56	10 mW	5 nm	No	No
SLD650B	650 nm	Butterfly, SM Pigtail	3 mW	6 nm	No	No
SLD650T	650 nm	TO-56	10 mW	5 nm	No	No
SLD770S	770 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	5.5 mW	18 nm	No	No
SLD810S	810 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	15 mW	30 nm	No	No
SLD830S-A10W	830 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	10 mW (Min)	60 nm	No	No
SLD830S-A20W	830 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	20 mW (Min)	55 nm	No	No
SLD830S-A10	830 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	13 mW	20 nm	No	No
SLD830S-A20	830 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	22 mW	20 nm	No	No
SLD840	840 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	4 mW	70 nm	No	No
SLD840P	840 nm^c	Butterfly, PM Pigtail	4 mW	70 nm	No	No
SLD850S-A10W	850 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	10 mW (Min)	60 nm	No	No
SLD850S-A20W	850 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	20 mW (Min)	55 nm	No	No
SLD880S-A7	880 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	7 mW	40 nm	No	No
SLD880S-A25	880 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	25 mW	40 nm	No	No
SLD920S	920 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	15 mW	65 nm	No	No
SLD920P	920 nm^c	Butterfly, PM Pigtail	15 mW	65 nm	No	No
SLD930S-A40W	930 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	40 mW	45 nm	No	No
SLD930P-A40W	930 nm^c	Butterfly, PM Pigtail	40 mW	45 nm	No	No
SLD970S-A40W	970 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	40 mW	50 nm	No	No
SLD970P-A40W	970 nm^c	Butterfly, PM Pigtail	40 mW	50 nm	No	No
SLD1050S	1050 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	8 mW	50 nm	No	No
SLD1050P	1050 nm^c	Butterfly, PM Pigtail	8 mW	50 nm	No	No
SLD1050S-A60	1050 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	60 mW	70 nm	No	No
SLD1050P-A60	1050 nm^c	Butterfly, PM Pigtail	60 mW	70 nm	No	No
SLD1220	1220 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	5 mW	90 nm	Yes: 50 dB Isolation	No
SLD1220P	1220 nm^c	Butterfly, PM Pigtail	5 mW	90 nm	Yes: 50 dB Isolation	No
SLD1021S	1310 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	12.5 mW	85 nm	No	S5FC1021S
SLD1018S	1310 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	30 mW	45 nm	No	S5FC1018S S5FC1018P
SLD1018P	1310 nm^c	Butterfly, PM Pigtail	30 mW	45 nm	No	S5FC1018S S5FC1018P
SLD1310	1315 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	30 mW	90 nm	Yes: 50 dB Isolation	No
SLD1310P	1315 nm^c	Butterfly, PM Pigtail	30 mW	90 nm	Yes: 50 dB Isolation	No
SLD1325	1325 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	10 mW (Min)	100 nm (Min)	Yes: 30 dB (Min) Isolation	No
SLD1330	1325 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	40 mW	90 nm	Yes: 50 dB Isolation	No
SLD1330P	1325 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	40 mW	90 nm	Yes: 50 dB Isolation	No
SLD1410	1400 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	5 mW	98 nm	Yes: 30 dB Isolation	No
SLD1410P	1400 nm^c	Butterfly, PM Pigtail	5 mW	98 nm	Yes: 30 dB Isolation	No
SLD1450S	1450 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	25 mW	54 nm	No	No
SLD1450P	1450 nm^c	Butterfly, PM Pigtail	25 mW	54 nm	No	No
SLD1550S-A1	1550 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	1.0 mW	110 nm	No	No
SLD1550P-A1	1550 nm^c	Butterfly, PM Pigtail	1.0 mW	110 nm	No	No
SLD1550S-A2	1550 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	2.5 mW	90 nm	No	S5FC1550S-A2 S5FC1550P-A2
SLD1550P-A2	1550 nm^c	Butterfly, PM Pigtail	2.5 mW	90 nm	No	S5FC1550S-A2 S5FC1550P-A2
SLD1005S	1550 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	22 mW	50 nm	No	S5FC1005S
SLD1550S-A40	1550 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	40 mW	33 nm	No	No
SLD1550P-A40	1550 nm^c	Butterfly, PM Pigtail	40 mW	33 nm	No	No
SLD1610	1610 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	27 mW	57 nm	No	No
SLD1610P	1610 nm^c	Butterfly, PM Pigtail	27 mW	57 nm	No	No
SLD1690	1685 nm^c	Butterfly, SM Pigtail	4 mW	85 nm	Yes: 30 dB Isolation	No
SLD1690P	1685 nm^c	Butterfly, PM Pigtail	4 mW	85 nm	Yes: 30 dB Isolation	No

特に記載がない限り、全ての値は典型値です。
スーパールミネッセントダイオードの基本的な特性は、電流(I)を増加させながらデバイスの電圧(V)と光出力(L)を測定することで得られます。そのようにして得られたデータは一般的にLIV曲線と呼ばれます。
近赤外域(NIR)用SLDの中心波長の定義については製品ページの「仕様」タブをご覧ください。

770 nm OCTシステム用スーパールミネッセントダイオード

ズーム

Item #^a	SLD770S
Parameter	Min	Typ.	Max
Operating Current	-	-	170 mA
Center Wavelength (CWL)^b	760 nm	770 nm	780 nm
Spectral Shape	Near Gaussian
ASE Power^c	4.5 mW	5.5 mW	-
Optical 3 dB Bandwidth^c,d	15 nm	18 nm	-
RMS Gain Ripple^c,e	-	0.01 dB	0.3 dB
Fiber Type	780HP
Performance Graphs (Click Icons for Plots)
Output Spectrum
LIV Plot
Gain Ripple^e

仕様の詳細は、「仕様」タブでご覧いただけます。ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
ガウシアンに近いスペクトル形状を有するSLDの中心波長は相対振幅の加重平均によって定義され、ピークパワーの波長やFWHMに基づく中心波長には一致しない場合があります。詳細については「仕様」タブをご参照ください。
動作電流(Operating Current)における値
最小のASEパワーの際に、最小の3 dB帯域幅が保証されています。
測定分解能= 0.02 nm

3 dBの帯域幅が18 nm(典型値)の770 nmスーパールミネッセントダイオード
ファイバ結合出力パワー:5.5 mW(典型値)
非常に低い利得リップル

こちらのスーパールミネッセントダイオードはOCTシステム用に設計されており、0.01 dB(RMS)の非常に低い利得リップル(典型値)と、18 nmの3 dB帯域幅にわたって比較的平坦なスペクトル特性を有します。ファイバ結合出力パワー(最小値)として、4.5 mWのタイプをご用意しております。

右の表に記載されている仕様はガイドラインです。各SLDには、動作パラメータに関するそのデバイス固有の最小値、最大値、推奨値、および仕様が記載された特性シートが添付されます。また、電流値を小さくすると帯域幅も小さくなります。下表の帯域幅は動作電流における仕様値です。

810 nm OCTシステム用スーパールミネッセントダイオード

ズーム

Item #^a	SLD810S
Parameter	Min	Typ.	Max
Operating Current	-	-	270 mA
Center Wavelength (CWL)^b	795 nm	810 nm	825 nm
Spectral Shape	Near Gaussian
ASE Power^c,d	13 mW	15 mW	-
Optical 3 dB Bandwidth^c	25 nm	30 nm	-
RMS Gain Ripple^c,e	-	0.03 dB	0.15 dB
Fiber Type	780HP
Performance Graphs (Click Icons for Plots)
Output Spectrum
LIV Plot
Gain Ripple^e

仕様の詳細は、「仕様」タブでご覧いただけます。ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
ガウシアンに近いスペクトル形状を有するSLDの中心波長は相対振幅の加重平均によって定義され、ピークパワーの波長やFWHMに基づく中心波長には一致しない場合があります。詳細については「仕様」のタブをご参照ください。
動作電流(Operating Current)における値
ファイバーピグテールからの出力値
測定分解能= 0.02 nm

3 dBの帯域幅が30 nm(典型値)の810 nmスーパールミネッセントダイオード
ファイバ結合出力パワー:15 mW(典型値)
非常に低い利得リップル

こちらのスーパールミネッセントダイオードはOCTシステム用に設計されており、0.03 dB(RMS)の非常に低い利得リップル(典型値)と、30 nmの3 dB帯域幅にわたって比較的平坦なスペクトル特性を有します。ファイバ結合出力パワー(最小値)として、13 mWのタイプをご用意しております。

830 nm OCTシステム用スーパールミネッセントダイオード

ズーム

20 nm、55 nmまたは60 nmの3 dB帯域幅(典型値)を有する830 nmスーパールミネッセントダイオード
非常に低い利得リップル
ファイバ結合出力パワーの最小値:10 mWまたは20 mW

こちらのスーパールミネッセントダイオードはOCTシステム用に設計されており、0.03 dBまたは0.06 dB (RMS)の非常に低い利得リップル(典型値)と、20 nm、55 nmまたは60 nmの3 dB帯域幅にわたって比較的平坦なスペクトル特性を有します。ファイバ結合出力パワー(最小値)として、10 mWまたは20 mWのタイプをご用意しております。　

なお、下表の仕様値は目安を与えるものです。各SLDには、動作パラメータに関するそのデバイス固有の最小値、最大値、推奨値、および仕様が記載された特性シートが添付されます。また、電流値を小さくすると帯域幅も小さくなります。下表の帯域幅は動作電流における仕様値です。

Item #^a	SLD830S-A10W^b			SLD830S-A20W^b			SLD830S-A10^c			SLD830S-A20^d
Parameter	Min	Typ.	Max	Min	Typ.	Max	Min	Typ.	Max	Min	Typ.	Max
Operating Current	-	-	240 mA	-	-	330 mA	-	-	150 mA	-	-	240 mA
Center Wavelength (CWL)^e	815 nm	830 nm	845 nm	815 nm	830 nm	845 nm	820 nm	830 nm	840 nm	820 nm	830 nm	840 nm
Spectral Shape	Flat Top			Flat Top			Near Gaussian			Near Gaussian
ASE Power^f,g	10 mW	-	-	20 mW	-	-	10 mW	13 mW	-	20 mW	22 mW	-
Optical 3 dB Bandwidth^f,h	50 nm	60 nm	-	40 nm	55 nm	-	17 nm	20 nm	-	17 nm	20 nm	-
Optical 20 dB Bandwidth^f	-	-	-	-	-	-	-	50 nm	-	-	50 nm	-
RMS Gain Ripple^f,i	-	0.06 dB	0.3 dB	-	0.03 dB	0.3 dB	-	0.03 dB	0.15 dB	-	0.03 dB	0.15 dB
Fiber Type	780HP
Performance Graphs (Click Icons for Plots)
Output Spectrum
LIV Plot
Gain Rippleⁱ

仕様の詳細は上の「仕様」タブからもご覧いただけます。
ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
ここに示す値は、T_CHIP = 25 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
ここに示す値は、T_CHIP = 15～25 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
平坦なスペクトル形状を有するSLDの中心波長は、3 dB帯域幅の中間点と定義されます。ガウシアンに近いスペクトル形状を有するSLDの中心波長は相対振幅の加重平均によって定義され、ピークパワーの波長やFWHMに基づく中心波長には一致しない場合があります。詳細については上の「仕様」タブをご覧ください。
動作電流(Operating Current)における値
ファイバーピグテールからの出力値
SLD830S-A10WとSLD830S-A20W:最小のASEパワーの際に、最小の3 dB帯域幅が保証されています。
測定分解能= 0.02 nm

840 nm OCTシステム用スーパールミネッセントダイオード

ズーム

Item #

SLD840x

Parameter^a

Min

Typ.

Max

Operating Current

140 mA

180 mA

Center Wavelength (CWL)^b

820 nm

840 nm

860 nm

Spectral Shape

Flat Top

ASE Power^c,d

3 mW

4 mW

Optical 3 dB Bandwidth^c

60 nm

70 nm

RMS Gain Ripple^c,e

0.01 dB

0.1 dB

Fiber Type

780HP (SM)
PM780-HP (PM)^f

Performance Graphs (Click Icons for Plots)

Output Spectrum

LIV Plot

Gain Ripple^e

仕様の詳細は上の「仕様」タブからもご覧いただけます。ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
3 dB帯域幅の中間点と定義されます。詳細については上の「仕様」タブをご覧ください。
動作電流(Operating Current)における値。最小のASEパワーの際に、最小の3 dB帯域幅が保証されています。
ファイバーピグテールからの出力値
測定分解能= 0.02 nm
コネクタのキーはファイバのスロー軸にアライメントされています。

3 dBの帯域幅が70 nm(典型値)の840 nmスーパールミネッセントダイオード
ファイバ結合出力パワー：4 mW(典型値)
非常に低い利得リップル：0.01 dB (RMS)

こちらのスーパールミネッセントダイオードはOCTシステム用に設計されており、0.01 dB (RMS)の非常に低い利得リップル(典型値)と、70 nmの3 dB帯域幅にわたって比較的平坦なスペクトル特性を有します。ファイバ結合出力パワー(最小値)として、3 mWのタイプをご用意しております。

右の表に記載されている仕様はガイドラインです。各SLDには、動作パラメータに関するそのデバイス固有の最小値、最大値、推奨値、および仕様が記載された特性シートが添付されます。また、電流値を小さくすると帯域幅も小さくなります。下表の帯域幅は動作電流における仕様値です。また、電流値を小さくすると帯域幅も小さくなります。下表の帯域幅は動作電流における仕様値です。

850 nm OCTシステム用スーパールミネッセントダイオード

ズーム

55 nmまたは60 nmの3 dB帯域幅(典型値)を有する850 nmスーパールミネッセントダイオード
ファイバ結合出力パワーの最小値:10 mWまたは20 mW
非常に低い利得リップル

こちらのスーパールミネッセントダイオードはOCTシステム用に設計されており、0.03 dB(RMS)の非常に低い利得リップル(典型値)と、55 nmまたは60 nmの3 dB帯域幅にわたって比較的平坦なスペクトル特性を有します。ファイバ結合出力パワー(最小値)として、10 mWまたは20 mWのタイプをご用意しております。　

Item #^a	SLD850S-A10W			SLD850S-A20W
Parameter	Min	Typ.	Max	Min	Typ.	Max
Operating Current	-	-	180 mA	-	-	340 mA
Center Wavelength (CWL)^b	835 nm	850 nm	865 nm	835 nm	850 nm	865 nm
Spectral Shape	Flat Top			Flat Top
ASE Power^c,d	10 mW	-	-	20 mW	-	-
Optical 3 dB Bandwidth^c,e	40 nm	60 nm	-	40 nm	55 nm	-
RMS Gain Ripple^c,f	-	0.03 dB	0.3 dB	-	0.03 dB	0.3 dB
Fiber Type	780HP
Performance Graphs (Click Icons for Plots)
Output Spectrum
LIV Plot
Gain Ripple^f

仕様の詳細は上の「仕様」タブからもご覧いただけます。ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
3 dB帯域幅の中間点と定義されます。詳細については上の「仕様」タブをご覧ください。
動作電流(Operating Current)における値
ファイバーピグテールからの出力値
最小のASEパワーの際に、最小の3 dB帯域幅が保証されています。
測定分解能= 0.02 nm

880 nm OCTシステム用スーパールミネッセントダイオード

ズーム

40 nmの3 dB帯域幅(典型値)を有する880 nmスーパールミネッセントダイオード
ファイバ結合出力パワー:7 mWまたは25 mW(典型値)
FC/APCコネクタ付きファイバーピグテールにより光学フィードバックを最小限に抑制

こちらのスーパールミネッセントダイオードはOCTシステム用に設計されており、0.06 dB (RMS)の非常に低い利得リップル(典型値)と、40 nmの3 dB帯域幅にわたって比較的平坦なスペクトル特性を有します。ファイバ結合出力パワー(典型値)として、7 mWまたは25 mWのタイプをご用意しております。

Item #^a	SLD880S-A7			SLD880S-A25
Parameter	Min	Typ.	Max	Min	Typ.	Max
Operating Current	-	-	225 mA	-	-	410 mA
Center Wavelength (CWL)^b	860 nm	880 nm	900 nm	860 nm	880 nm	900 nm
Spectral Shape	Flat Top			Flat Top
ASE Power^c,d	6 mW	7 mW	-	23 mW	25 mW	-
Optical 3 dB Bandwidth^c	35 nm	40 nm	-	35 nm	40 nm	-
Optical 20 dB Bandwidth^c	-	80 nm	-	-	80 nm	-
RMS Gain Ripple^c,e	-	0.06 dB	0.3 dB	-	0.06 dB	0.3 dB
Fiber Type	780HP
Performance Graphs (Click Icons for Plots)
Output Spectrum
LIV Plot
Gain Ripple^e

仕様の詳細は上の「仕様」タブからもご覧いただけます。ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
3 dB帯域幅の中間点と定義されます。詳細については上の「仕様」タブをご覧ください。
動作電流(Operating Current)における仕様値。最小のASEパワーの際に、最小の3 dB帯域幅が保証されています。
ファイバーピグテールからの出力値
測定分解能= 0.02 nm

920 nmOCTシステム用スーパールミネッセントダイオード

ズーム

Item #^a	SLD920x
Parameter	Min	Typ.	Max
Operating Current	-	-	420 mA
Center Wavelength (CWL)^b	895 nm	920 nm	945 nm
Spectral Shape	Flat Top
ASE Power^c,d	10 mW	15 mW	-
Optical 3 dB Bandwidth^c	50 nm	65 nm	-
RMS Gain Ripple^c,e	-	0.02 dB	0.3 dB
Fiber Type	780HP (SM) PM780-HP (PM)^f
Performance Graphs (Click Icons for Plots)
Output Spectrum
LIV Plot
Gain Ripple^e

仕様の詳細は上の「仕様」タブからもご覧いただけます。ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
3 dB帯域幅の中間点と定義されます。詳細については上の「仕様」タブをご覧ください。
動作電流(Operating Current)における仕様値。最小のASEパワーの際に、最小の3 dB帯域幅が保証されています。
ファイバーピグテールからの出力値
測定分解能= 0.02 nm
コネクタのキーは偏波保持ファイバのスロー軸にアライメントされています。

65 nmの3 dB帯域幅(典型値)を有する920 nmスーパールミネッセントダイオード
ファイバ結合出力パワー:15 mW(典型値)
FC/APCコネクタ付きファイバーピグテールにより光学フィードバックを最小限に抑制

こちらのスーパールミネッセントダイオードはOCTシステム用に設計されており、0.02 dB(RMS)の低い利得リップル(典型値)と、65 nmの3 dB帯域幅にわたって比較的平坦なスペクトル特性を有します。ファイバ結合出力パワー(典型値)として、15 mWのタイプをご用意しております。

なお、右表の仕様値は目安です。各SLDには、動作パラメータに関するそのデバイス固有の最小値、最大値、推奨値、および仕様が記載された特性シートが添付されます。また、電流値を小さくすると帯域幅も小さくなります。表の帯域幅は動作電流における仕様値です。

930 nm OCTシステム用スーパールミネッセントダイオード

ズーム

Item #^a

SLD930x-A40W

Parameter

Min

Typ.

Max

Operating Current

800 mA

Center Wavelength (CWL)^b

915 nm

930 nm

945 nm

Spectral Shape

Flat Top

ASE Power^c,d

36 mW

40 mW

Optical 3 dB Bandwidth^c

40 nm

45 nm

RMS Gain Ripple^c,e

0.06

0.3

Fiber Type

780HP (SM)
PM780-HP (PM)^g

Performance Graphs (Click Icons for Plots)

Output Spectrum

LIV Plot

Gain Ripple^e

仕様の詳細は上の「仕様」タブからもご覧いただけます。ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
3 dB帯域幅の中間点と定義されます。詳細については上の「仕様」タブをご覧ください。
動作電流(Operating Current)における仕様値。最小のASEパワーの際に、最小の3 dB帯域幅が保証されています。
ファイバーピグテールからの出力値
測定分解能= 0.02 nm
コネクタのキーはファイバのスロー軸にアライメントされています。

45 nmの3 dB帯域幅(典型値)を有する930 nmスーパールミネッセントダイオード
ファイバ結合出力パワー:40 mW (典型値)
FC/APCコネクタ付きファイバーピグテールにより光学フィードバックを最小限に抑制

こちらのスーパールミネッセントダイオードはOCTシステム用に設計されており、0.06dB (RMS)の非常に低い利得リップル(典型値)と、45 nmの3 dB帯域幅にわたって比較的平坦なスペクトル特性を有します。ファイバ結合出力パワー(典型値)として、40 mWのタイプをご用意しております。

970 nm OCTシステム用スーパールミネッセントダイオード

ズーム

Item #^a	SLD970S-A40W
Parameter	Min	Typ.	Max
Operating Current	-	1000 mA	1010 mA
Center Wavelength (CWL)^b	945 nm	970 nm	995 nm
Spectral Shape	Flat Top
ASE Power^c,d	35 mW	40 mW
Optical 3 dB Bandwidth^c	40 nm	50 nm
RMS Gain Ripple^c,e		0.03 dB	0.2 dB
Fiber Type	HI1060 (SM) PM980-XP (PM)^f
Performance Graphs (Click Icons for Plots)
Output Spectrum
LIV Plot
Gain Ripple^f

仕様の詳細は上の「仕様」タブからもご覧いただけます。ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
3 dB帯域幅の中間点と定義されます。詳細については上の「仕様」タブをご覧ください。
動作電流(Operating Current)における仕様値。最小のASEパワーの際に、最小の3 dB帯域幅が保証されています。
ファイバーピグテールからの出力値
測定分解能= 0.02 nm
コネクタのキーはファイバのスロー軸にアライメントされています。

50 nmの3 dB帯域幅(典型値)を有する970 nmスーパールミネッセントダイオード
ファイバ結合出力パワー:40 mW (典型値)
FC/APCコネクタ付きファイバーピグテールにより光学フィードバックを最小限に抑制

こちらのスーパールミネッセントダイオードはOCTシステム用に設計されており、0.03 dB (RMS)の非常に低い利得リップル(典型値)と、50 nmの3 dB帯域幅にわたって比較的平坦なスペクトル特性を有します。ファイバ結合出力パワー(典型値)として、40 mWのタイプをご用意しております。

なお、右表の仕様値は目安です。各SLDには、動作パラメータに関するそのデバイス固有の最小値、最大値、推奨値、および仕様が記載された特性シートが添付されます。また、電流値を小さくすると帯域幅も小さくなります。表の帯域幅は動作電流における仕様値です。

1050 nm OCTシステム用スーパールミネッセントダイオード

ズーム

70 nmの3 dB帯域幅(典型値)を有する1050 nmスーパールミネッセントダイオード
ファイバ結合出力パワー：60 mW(典型値)
FC/APCコネクタ付きファイバーピグテールにより光学フィードバックを最小限に抑制

こちらのスーパールミネッセントダイオードはOCTシステム用に設計されており、0.03 dB(RMS)の非常に低い利得リップル(典型値)と、70 nmの3 dB帯域幅にわたって比較的平坦なスペクトル特性を有します。ファイバ結合出力パワーの典型値は60 mWです。

なお、下表の仕様値は目安です。各SLDには、動作パラメータに関するそのデバイス固有の最小値、最大値、推奨値、および仕様が記載された特性シートが添付されます。また、電流値を小さくすると帯域幅も小さくなります。下表の帯域幅は動作電流における仕様値です。

Item #^a	SLD1050S-A60			SLD1050P-A60
Parameter	Min	Typ.	Max	Min	Typ.	Max
Operating Current	-	-	1010 mA	-	-	1010 mA
Center Wavelength (CWL)^b	1025 nm	1050 nm	1075 nm	1025 nm	1050 nm	1075 nm
Spectral Shape	Flat Top			Flat Top
ASE Power^c,d	55 mW	60 mW	-	55 mW	60 mW	-
Optical 3 dB Bandwidth^c	60 nm	70 nm	-	60 nm	70 nm	-
Optical 20 dB Bandwidth^c	-	100 nm	-	-	-	-
RMS Gain Ripple^c,e	-	0.03 dB	0.2 dB	-	0.06 dB	0.2 dB
Fiber Type	HI1060			PM980-XP^f
Performance Graphs (Click Icons for Plots)
Output Spectrum
LIV Plot
Gain Ripple^e

仕様の詳細は上の「仕様」タブからもご覧いただけます。ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
3 dB帯域幅の中間点と定義されます。詳細については上の「仕様」タブをご覧ください。
動作電流(Operating Current)における仕様値。最小のASEパワーの際に、最小の3 dB帯域幅が保証されています。
ファイバーピグテールからの出力値
測定分解能= 0.02 nm
コネクタのキーはファイバのスロー軸にアライメントされています。

1220 nm OCTシステム用スーパールミネッセントダイオード

ズーム

Item #^a

SLD1220x

Parameter

Min

Typ.

Max

Operating Current

400 mA

450 mA

Center Wavelength (CWL)^b

1205 nm

1220 nm

1235 nm

Spectral Shape

Flat Top

ASE Power^c,d

4 mW

5 mW

Optical 3 dB Bandwidth^c,e

85 nm

90 nm

RMS Gain Ripple^c,f

0.05 dB

0.35 dB

Fiber Type

HI1060 (SM)
Corning^® PM13-U40A (PM)

Integrated Optical Isolator

Isolation

50 dB

Performance Graphs (Click Icons for Plots)

Output Spectrum

LIV Plot

仕様の詳細は「仕様」タブでご覧いただけます。ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
3 dB帯域幅の中間点の波長で定義しています。詳細は「仕様」のタブをご参照ください。
動作電流(Operating Current)における仕様値
ファイバーピグテールからの出力値
最小のASEパワーにおいて最小の3 dB帯域幅が保証されています。
測定分解能= 0.02 nm

3 dB帯域幅が90 nm(典型値)の1220 nmスーパールミネッセントダイオード
ファイバ結合出力パワー：5 mW(典型値)
FC/APCコネクタ付きファイバーピグテールにより光フィードバックを最小限に抑制

こちらのスーパールミネッセントダイオードはOCTシステム用に設計されており、0.35 dB (RMS)以下(典型値0.05 dB)の非常に低い利得リップルと、90 nmの3 dB帯域幅にわたって比較的平坦なスペクトル特性を有します。ファイバ結合出力パワーの典型値は5 mWです。温度制御用のTECとサーミスタのほかに、出力安定化のために50 dBのアイソレーションを提供する2段の光アイソレータも内蔵しています。

なお、右の表の仕様値は目安を与えるものです。各SLDには、動作パラメータに関するそのデバイス固有の最小値、最大値、推奨値、および仕様が記載された特性シートが添付されます。なお、電流値を小さくすると帯域幅は狭くなります。右の表の帯域幅の仕様値は動作電流(Operating Current)における仕様値です。

1310 nm～1315 nm OCTシステム用スーパールミネッセントダイオード

ズーム

70 nmの3 dB帯域幅(典型値)を有する1310 nmスーパールミネッセントダイオード
ファイバ結合出力パワー：12.5 mWまたは30 mW(典型値)
FC/APCコネクタ付きファイバーピグテールにより光学フィードバックを最小限に抑制

こちらのスーパールミネッセントダイオードはOCTシステム用に設計されており、0.35 dB (RMS)の非常に低い利得リップルと、85 nmの3 dB帯域幅にわたって比較的平坦なスペクトル特性を有します。ファイバ結合出力パワーの典型値は12.5 mWです。SLD1310とSLD1310Pには50 dB(典型値)のアイソレーションを提供する2段の光アイソレータが内蔵されています。

なお、右表の仕様値は目安です。各SLDには、動作パラメータに関するそのデバイス固有の最小値、最大値、推奨値、および仕様が記載された特性シートが添付されます。また、電流値を小さくすると帯域幅も小さくなります。表の帯域幅は動作電流における仕様値です。

Item #^a	SLD1021S^b			SLD1310^c			SLD1310P^c
Parameter	Min	Typ.	Max	Min	Typ.	Max	Min	Typ.	Max
Operating Current	-	700 mA	900 mA	-	900 mA	1000 mA	-	900 mA	1000 mA
Center Wavelength (CWL)^d	1290 nm	-	1330 nm	1300 nm	1315 nm	1330 nm	1300 nm	1315 nm	1330 nm
Spectral Shape	Near Gaussian			Flat Top			Flat Top
ASE Power^e,f	10 mW	12.5 mW	-	22 mW	30 mW	-	22 mW	30 mW	-
Optical 3 dB Bandwidth^e,f,g	80 nm	85 nm	-	75 nm	90 nm	-	75 nm	90 nm	-
RMS Gain Ripple^e,h	-	-	0.35 dB	-	0.12 dB	0.3 dB	-	0.12	0.3
Polarization Extinction Ratio (PER)	-	-	-	-	-	-	-	23 dB	-
Fiber Type	SMF-28e+			SMF-28e			Corning^® PM13-U40Aⁱ
Integrated Optical Isolator
Isolation	N/A^j			-	50 dB	-	-	50 dB	-
Performance Graphs (Click Icons for Plots)
Output Spectrum
LIV Plot
Gain Rippleh	-

仕様の詳細は上の「仕様」タブからもご覧いただけます。
ここに示す値は、T_CHIP = 25 °C / T_CASE = 0～65 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
ガウシアンに近いスペクトル形状を有するSLDの中心波長は相対振幅の加重平均によって定義しているため、ピークパワーの波長やFWHMに基づく中心波長には一致しない場合があります。平坦なスペクトル形状を有するSLDの中心波長は、3 dB帯域幅の中間点の波長で定義されています。詳細は「仕様」をご覧ください。
動作電流(Operating Current)における仕様値
ファイバーピグテールからの出力値
最小のASEパワーの際に、最小の3 dB帯域幅が保証されています。
測定分解能= 0.02 nm
コネクタのキーは偏波保持ファイバのスロー軸にアライメントされています。
これらのSLDには光アイソレータは組み込まれていません。

1325 nm OCTシステム用スーパールミネッセントダイオード

ズーム

中心波長1325 nm、帯域幅90 nmまたは100 nm以上
ファイバ結合出力光パワー： 10 mW(最小値)または40 mW(典型値)
出力光の安定化のために光アイソレータを内蔵
FC/APCコネクタ付きファイバーピグテールにより光フィードバックを最小限に抑制

SLD1325およびSLD1330xの中心波長は1325 nm(典型値)です。SLD1325は100 nm(最小値)、SLD1330xは90 nm(典型値)の広い3 dB帯域幅を有するため、高い軸方向分解能を必要とするSD-OCT用に適しています(詳細は「SD-OCTの分解能」タブをご覧ください)。このSLDは、温度制御用のTECとサーミスタのほかに、出力光の安定化のために光アイソレータも内蔵しています。SLD1325のアイソレータでは30 dB(最小値)のアイソレーションが得られ、SLD1330およびSLD1330Pのアイソレータでは50 dB(典型値)のアイソレーションが得られます。

なお、下の表に示す仕様値はガイドラインとして提示しています。各SLDに添付される特性評価シートには、そのデバイス固有の動作パラメータに対する最小値、最大値、推奨値、および仕様が記載されています。なお電流値を小さくすると帯域幅は狭くなります。下表の帯域幅の仕様値は動作電流(Operating Current)における値です。

Item #^a	SLD1325			SLD1330^b			SLD1330P^b
Parameter	Min	Typ.	Max	Min	Typ.	Max	Min	Typ.	Max
Operating Current	-	-	780 mA	-	1250 mA	1300 mA	-	1250 mA	1300 mA
Center Wavelength (CWL)^c	-	1325 nm	-	1310 nm	1325 nm	1340 nm	1310 nm	1325 nm	1340 nm
Spectral Shape	Flat Top			Flat Top			Flat Top
ASE Power^d,e	10 mW	-	-	35 mW	40 mW	-	35 mW	40 mW	-
3 dB Optical Bandwidth^d,e,f	100 nm	-	-	80 nm	90 nm	-	80 nm	90 nm	-
RMS Gain Ripple^d,g				-	0.1 dB	0.3 dB	-	0.1 dB	0.3 dB
Polarization Extinction Ratio (PER)	-	-	-	-	-	-	-	23 dB	-
Fiber Type	SMF-28e			SMF-28e			Corning^® PM13-U40A^h
Integrated Optical Isolator
Isolation	30 dB	-	-	-	50 dB	-	-	50 dB	-
Performance Graphs (Click Icons for Plots)
Output Spectrum
LIV Plot
Gain Ripple^g	-

仕様の詳細は、「仕様」タブでご覧いただけます。
ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
3 dB帯域幅の中間点の波長で定義しています。詳細は「仕様」のタブをご参照ください。
動作電流(Operating Current)における値
ファイバーピグテールからの出力値で評価
最小のASEパワーにおいて、最小の3 dB帯域幅を保証しています。
測定分解能= 0.02 nm
コネクタのキーは偏波保持ファイバのスロー軸にアライメントされています。

1400 nm OCTシステム用スーパールミネッセントダイオード

ズーム

Item #^a

SLD1410x

Parameter

Min

Typ.

Max

Operating Current

600 mA

700 mA

Center Wavelength (CWL)^b

1385 nm

1400 nm

1415 nm

Spectral Shape

Near Gaussian

ASE Power^c,d

4 mW

5 mW

Optical 3 dB Bandwidth^c,e

90 nm

98 nm

RMS Gain Ripple^c,f

0.2 dB

0.6 dB

Fiber Type

SMF-28e (SM)
Corning^® PM13-U40A (PM)

Integrated Optical Isolator

Isolation

30 dB

Performance Graphs (Click Icons for Plots)

Output Spectrum

LIV Plot

Gain Ripple^e

仕様の詳細は「仕様」タブでご覧いただけます。ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
中心波長は相対振幅の加重平均によって定義され、ピークパワーの波長やFWHMの中心波長には一致しない場合があります。詳細は「仕様」タブをご覧ください。
動作電流(Operating Current)における仕様値
ファイバーピグテールからの出力値
最小のASEパワーにおいて最小の3 dB帯域幅が保証されています。
測定分解能= 0.1 nm

3 dB帯域幅が98 nm(典型値)の1400 nmスーパールミネッセントダイオード
ファイバ結合出力光パワー：5 mW(典型値)
出力光の安定化のために光アイソレータを内蔵
FC/APCコネクタ付きファイバーピグテールにより光フィードバックを最小限に抑制

こちらのスーパールミネッセントダイオードはOCTシステム用に設計されており、0.2 dB (RMS)の非常に低い利得リップルと、3 dB帯域幅(98 nm)における比較的平坦なスペクトル特性が得られます。温度制御用のTECとサーミスタのほかに、出力光安定化のためにアイソレーション30 dBの光アイソレータも内蔵しています。ファイバ結合出力光パワーの最小値は4 mWです。

なお、右表の仕様値は目安です。各SLDに添付される特性評価シートには、そのデバイス固有の動作パラメータに対する最小値、最大値、推奨値、および仕様値が記載されています。なお、電流値を小さくすると帯域幅は狭くなります。右の表の帯域幅の仕様値は動作電流(Operating Current)における仕様値です。

1450 nm OCTシステム用スーパールミネッセントダイオード

ズーム

Item #^a

SLD1450x

Parameter

Min

Typ.

Max

Operating Current

500 mA

600 mA

Center Wavelength (CWL)^b

1435 nm

1450 nm

1465 nm

Spectral Shape

Near Gaussian

ASE Power^c,d

23 mW

25 mW

Optical 3 dB Bandwidth^c

50 nm

54 nm

RMS Gain Ripple^c,e

0.06 dB

0.35 dB

Fiber Type

SMF-28e (SM)
Corning^® PM15-U40A (PM)

Performance Graphs (Click Icons for Plots)

Output Spectrum

LIV Plot

Gain Ripple^e

仕様の詳細は上の「仕様」タブからもご覧いただけます。ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
中心波長は相対振幅の加重平均によって定義され、ピークパワーの波長やFWHMに基づく中心波長には一致しない場合があります。詳細については「仕様」のタブをご参照ください。
動作電流(Operating Current)における値。最小のASEパワーの際に、最小の3 dB帯域幅が保証されています。
ファイバーピグテールからの出力値
測定分解能= 0.1 nm

54 nmの3 dB帯域幅(典型値)を有する1450 nmスーパールミネッセントダイオード
ファイバ結合出力光パワー：25 mW(典型値)
非常に低い利得リップル

こちらのスーパールミネッセントダイオードはOCTシステム用に設計されており、0.06 dB (RMS)の非常に低い利得リップル(典型値)と、54 nmの3 dB帯域幅にわたって比較的平坦なスペクトル特性を有します。ファイバ結合出力パワー(最小値)として、23 mWをご用意しております。

なお、右表の仕様値は目安です。各SLDには、動作パラメータに関するそのデバイス固有の最小値、最大値、推奨値、および仕様が記載された特性シートが添付されます。また、電流値を小さくすると帯域幅も小さくなります。右表の帯域幅は動作電流における仕様値です。

1610 nm OCTシステム用スーパールミネッセントダイオード

ズーム

Item #^a

SLD1610x

Parameter

Min

Typ.

Max

Operating Current

800 mA

900 mA

Center Wavelength (CWL)^b

1590 nm

1610 nm

1630 nm

Spectral Shape

Near Gaussian

ASE Power^c,d

22 mW

27 mW

Optical 3 dB Bandwidth^c

50 nm

57 nm

RMS Gain Ripple^c,e

0.2 dB

0.5 dB

Fiber Type

SMF-28e (SM)
Corning® PM15-U40A (PM)

Performance Graphs (Click Icons for Plots)

Output Spectrum

LIV Plot

Gain Ripple^e

仕様の詳細は上の「仕様」タブからもご覧いただけます。ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
中心波長は相対振幅の加重平均によって定義され、ピークパワーの波長やFWHMに基づく中心波長には一致しない場合があります。詳細については「仕様」のタブをご参照ください。
動作電流(Operating Current)における値。最小のASEパワーの際に、最小の3 dB帯域幅が保証されています。
ファイバーピグテールからの出力値
測定分解能= 0.1 nm

57 nmの3 dB帯域幅(典型値)を有する1610 nmスーパールミネッセントダイオード
ファイバ結合出力光パワー：27 mW(典型値)
非常に低い利得リップル

こちらのスーパールミネッセントダイオードはOCTシステム用に設計されており、0.2 dB (RMS)の非常に低い利得リップル(典型値)と、57 nmの3 dB帯域幅にわたって比較的平坦なスペクトル特性を有します。ファイバ結合出力パワー(最小値)として、22 mWをご用意しております。

1685 nm OCTシステム用スーパールミネッセントダイオード

ズーム

Item #^a	SLD1690x
Parameter	Min	Typ.	Max
Operating Current	-	700 mA	800 mA
Center Wavelength (CWL)^b	1670 nm	1685 nm	1700 nm
Spectral Shape	Near Gaussian
ASE Power^c,d	3 mW	4 mW	-
Optical 3 dB Bandwidth^c,e	80 nm	85 nm	-
RMS Gain Ripple^c,f	-	0.01 dB	0.05 dB
Fiber Type	SMF-28e (SM) Corning^® PM13-U40A (PM)
Integrated Optical Isolator
Isolation	-	30 dB	-
Performance Graphs (Click Icons for Plots)
Output Spectrum
LIV Plot
Gain Ripple^e

仕様の詳細は「仕様」タブでご覧いただけます。ここに示す値は、T_CHIP = 15～30 °C / T_CASE = 0～70 °Cの状態でCW動作させたときのものです。
中心波長は相対振幅の加重平均によって定義され、ピークパワーの波長やFWHMに基づく中心波長には一致しない場合があります。詳細は「仕様」のタブをご参照ください。
動作電流(Operating Current)における仕様値
ファイバーピグテールからの出力値
最小のASEパワーの際に、最小の3 dB帯域幅が保証されています。
測定分解能= 0.01 nm

3 dB帯域幅が85 nm(典型値)の1685 nmスーパールミネッセントダイオード
ファイバ結合出力パワー：7 mW(典型値)
出力光の安定化のために光アイソレータを内蔵
非常に低い利得リップル

こちらのスーパールミネッセントダイオードはOCTシステム用に設計されており、0.05 dB (RMS)の非常に低い利得リップルと、3 dB帯域幅(85 nm)における比較的平坦なスペクトル特性が得られます。温度制御用のTECとサーミスタのほかに、出力光安定化のためにアイソレーション30 dBの光アイソレータも内蔵しています。ファイバ結合出力パワー(最小値)として、6 mWをご用意しております。

なお、右の表の仕様値は目安です。各SLDには、動作パラメータに関するそのデバイス固有の最小値、最大値、推奨値、および仕様が記載された特性シートが添付されます。また、電流値を小さくすると帯域幅も小さくなります。右表の帯域幅は動作電流における仕様値です。