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Eバンドブースタ光増幅器(BOA)、1410 nm


  • Polarization-Dependent Booster Optical Amplifiers (BOAs)
  • SM or PM Fiber-Pigtailed Butterfly Package
  • 1410 nm ASE Center Wavelength

BOA1410P

BOA with PM Fiber and FC/APC Connectors, Close-up of Butterfly Package Shown

BOA1410S

BOA with SM Fiber and FC/APC Connectors

FC/APC Connectors

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用途例

  • ブースティングレーザートランスミッタ
  • 広帯域可変レーザの増幅
  • Eバンド(1410 nm)の光プリアンプ
  • 偏光信号の増幅
BOAの中心波長は、特定用途に向けて比較的容易に合わせることができます。BOAの波長スペクトルを特定のレーザ光源に合わせて調整することは一般的に行われています。実験プロジェクトやOEM用途向けに波長のカスタマイズをご希望の際は、当社までお問い合わせください。
Internal Diagram
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電流がリッジ導波路に印加されると、励起状態の電子が入射光の刺激を受けます。これにより光子が複製され、信号利得が得られます。

特長

  • 偏光依存型:1つの偏光状態のみを増幅
  • FC/APCコネクタ付きの1.5 m長のSMまたはPMファイバーピグテール
  • 信号利得:28 dB(典型値)
  • 最大飽和出力:16 dBm(典型値)
  • 3 dB帯域幅: 95 nm (典型値)

ブースタ光増幅器(BOA)は、シングルパスの進行波増幅器で、単色信号あるいは多波長信号の両方において性能を発揮します。BOAは1つの偏光状態のみを増幅するので、入力光の偏光状態が分かっている条件での使用に適しています。BOAは高効率のInP量子井戸(QW)構造で、Eバンド(1410 nm)の偏光信号を増幅できるように設計されており、広帯域可変レーザ内部の利得媒質としてもお使いいただけます。

右の概略図でもご覧いただけるように、増幅器の入出力光は、光増幅器のチップ上にある導波路の活性層に結合されています。このデバイスは標準品の14ピンバタフライ型パッケージに内蔵されており、シングルモードファイバまたは偏波保持ファイバピグテール付き(FC/APCコネクタ)となります。BOA1410Pにはコネクターキーがスロー軸にアライメントされた偏波保持ファイバが使用されています。また、BOA1410Sには偏波保持特性のないファイバが使用されています。内蔵の熱電冷却(TEC)素子とサーミスタがこれらのBOAの温度を制御し、利得とスペクトルを安定させます。

当社のBOAの構造や動作パラメータについての詳細は「光増幅器」のタブをご覧ください。

推奨ドライバ
これらの増幅器の制御には、バタフライ型LD/TECコントローラCLD1015のご使用をお勧めいたします。LD/TECコントローラとマウントを組み合わせることによって、タッチパネルを介したPC制御が可能です。こちらの増幅器をコントローラCLD1015で駆動する際は、タイプ1のピン配列の向きでご使用ください。

ASEの中心波長について
光増幅器などの広帯域半導体デバイスにおける自然放射光増幅(ASE)スペクトルの中心波長(CW)は、ロット毎にバラつきがある可能性があります。各モデルの中心波長の公差については、下の青いアイコン(info)をご参照ください。特定のASE中心波長が重要になる用途でお使いの場合、現在ご提供可能なロットでの中心波長については、当社までお問い合わせください。

Item #aInfoASE Center
Wavelength
Operating Current
(Max)
3 dB BandwidthSaturation Output
Power (@ -3 dB)b
Small Signal Gain
(@ Pin = -20 dBm)b
Noise FigurebFiber Type
BOA1410Sinfo1410 nm700 mA95 nm16 dBm28 dB7.0 dBCorning SM28ec
BOA1410PinfoCorning PM13-U40Ad
  • すべての仕様値は、特に記載のない限り典型値となっています。
  • 1411 nmおよび動作電流値で測定
  • 光増幅器BOA1410Sで使用されているファイバは、当社のSMF-28-J9と同等品になります。
  • 光増幅器BOA1410Pで使用されているファイバは、当社のPM1300-XP同等品になりますが、コーティング径はØ400 µmで、PM1300-XPよりも大きくなっています。

1050 nm BOA Pin Out

EバンドBOAの図面とピン配列

Comparison of a SOA to a standard Fabry-Perot Laser Diode

半導体光増幅器(SOAやBOA)の設計はファブリペロ半導体レーザに類似しています。相違点は、ファブリペローレーザでは、半導体チップの両端面に反射コーティングが施されている点です。両端面からの光のフィードバックが共振器として機能し、レーザが発振されます。SOAとBOAにおいては、半導体チップの両端面に反射防止(AR)コ ―ティングが施されています。ARコ―ティングがチップに向けた光のフィードバックを抑制するのでレーザ発振されません。

全ての増幅器に共通の典型的な特性ですが、SOA/BOAは、線形、平坦、一定利得の領域と、非線形の飽和出力の領域の2つの領域で作動します。変調信号を増幅するために典型的に使用されるのは線形領域で、エルビウムドープファイバ増幅器(EDFA)にも共通の問題である過渡応答、多重チャンネルクロストークやパターン依存による信号の歪みを取り除くことができます。非線形領域は、半導体の利得媒質の高非線形属性(相互利得変調や相互位相変調)を活かして、波長変換、光学3R再生、ヘッダ認識など高速光信号処理プロセスで使用されます。

CW入力信号に関して、増幅器が作り出すことのできる出力強度は飽和出力強度(Psat)パラメータで決まります。Psatは、小信号利得が3dB落ちた時の出力強度と定義できます。抽出可能なCWパワーの最大量は、飽和出力よりも約3 dB高くなります。

SOA Linear verse Non-linear Regimes


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+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
BOA1410S Support Documentation
BOA1410SEバンドブースタ光増幅器(BOA)、中心波長1410 nm、バタフライパッケージ、シングルモードファイバ、FC/APC
¥279,500
3-5 Days
BOA1410P Support Documentation
BOA1410PEバンドブースタ光増幅器(BOA)、中心波長1410 nm、バタフライパッケージ、偏波保持ファイバ、FC/APC
¥318,500
3-5 Days
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