アカウント作成  |   ログイン

View All »Matching Part Numbers


カートは空です
         

Cバンド光増幅器(BOAおよびSOA)、1550 nm


  • Compact Optical Amplifier in Butterfly Package
  • Low Noise, Broad, Flat Optical Bandwidth, High Saturation Power (>15 dB)
  • Polarization-Independent and Polarization-Maintaining Version

SOA/BOA Series

BOA1007C

Actual Size Compared to
a U.S. Penny

Related Items


Please Wait
Other Optical Amplifier Options
1050 nm BOAs
O-Band (1285 - 1350 nm) BOAs
C-Band (1550 nm) BOAs and SOAs
L-Band (1590 - 1625 nm) BOAs
BOAの中心波長は、特定用途に向けて簡単に合わせることができます。 特定のレーザ光源に適合するようにBOAの波長スペクトルを調整することはごく一般的に行われています。特定の波長が必要とされる用途に関しましては、当社までお問い合わせください。
Internal Diagram

特長

  • 半導体光増幅器(SOA)
    • 偏光無依存:全ての偏光状態において増幅
    • ピグテール(1.5 m)付きのPMまたはSMのファイバでFC/APCコネクタに接続
    • 一般的な用途:インライン増幅器、ディテクタ用プリアンプ、高速光スイッチ(切替え速度およそ1 ns)
  • ブースタ光増幅器(BOA)
    • 偏波保持:1つの偏光状態のみを増幅
    • ピグテール(1.5 m)付きのPMまたはSMのファイバでFC/APCコネクタに接続
    • 一般的な用途:ブースティングレーザートランスミッタ、トランスミットMUX/DeMUXの挿入損失の補償、光シャッタ

BOAとSOAは、シングルパスの増幅器で、単色信号あるいは多波長信号の両方において性能を発揮します。 BOAは1つの偏光状態に限って増幅するので、入力光の偏光状態が分かっている条件での使用に適しています。 これに対して入力信号の偏光状態が不明の場合や変動する用途では、半導体光増幅器(SOA)が必要となります。 しかしながら利得、ノイズ、バンド幅や飽和出力強度の仕様は、BOAの方がSOAと比較して優れています。これはSOAに偏光無依存の特性を付与している設計に起因しています。

当社のBOAとSOAにはフリースペース型とファイバ結合型があります。 フリースペース型はチップオンサブマウント型(C)とチップオンヒートシンク型(H)の形状でご提供しています。 ファイバ結合型は結合損失が低い用途にお勧めです。 損失の典型値はファイバからチップ、そしてチップからファイバに向けた結合において各々1.5~2.5 dB です。 この結合損失は、総利得、雑音指数(NF)、および飽和出力強度(Psat)に影響します。 増幅によって得られる利得が損失を上回ったとしても、これらの損失はデバイスの性能に重要な影響を与えます。 例えば、入力結合効率が1 dB減少した場合、雑音指数は1 dB増加します。 これに対して出力結合が1dB 減少した場合は、飽和出力強度も1 dB減少します。

ドライバのオプション
これらの光増幅器には、コントローラとしてバタフライ型LD/TECコントローラCLD1015をお使いいただけます。 LD/TEC コントローラとマウントを組み合わせることによって、タッチスクリーンを介したPC制御が可能です。 このページに掲載されている増幅器をCLD1015で駆動する際は、タイプ1のピン配列の向きでご使用ください。

中心波長について
光増幅器などの広帯域半導体デバイスにおける自然放射光増幅(ASE)スペクトルの中心波長(CWL)は、ロット毎にバラつきがある可能性があります。 各モデルのCWLの公差については、「仕様」タブをご参照ください。 特定のASE中心波長が重要になる用途でお使いの場合、現在ご提供可能なロットでの中心波長については、当社までお問い合わせください。

ブースタ光増幅器

BOAは高効率のInP/InGaAsP多重量子井戸(MQW)構造です。 右の概略図でもご覧いただけるよう に、増幅器の入出力光は、光増幅器のチップ上の信頼性の高いリッジ導波路に結合されています。 CバンドのBOAは標準品の14ピンバタフライ型パッケージに内蔵され、FC/APCコネクタ付きのシングルモードファイバ(SMF)もしくは偏波保持ファイバ(PMF)のピグテールが付いています。PMFピグテール付きのモデルでは、コネクターキーはスロー軸にアライメントされています。 入力部または出力部、あるいは入出力部両方にお使いいただける偏波保持型アイソレータ付きバージョンもお選びいただけますので詳しくは当社へご相談ください(仕様は異なる構成に変更される場合がございます)。 これとは別に、パッケージに内蔵されていないCバンドBOAチップは、サブマウントまたはヒートシンク上に搭載してご提供可能です。


Click to Enlarge

当社の光増幅器SOA1117SおよびBOA1004Pは、ベンチトップ型光増幅器(それぞれS7FC1013SおよびS9FC1004P)としてもご用意しています。

半導体光増幅器

半導体光増幅器(SOA)は偏光無依存なので、全ての偏光状態において光を増幅します。 これらのデバイスは、インライン増幅器として適しています。 先進のエピテキシャルウェハ成長技術とオプトエレクトロニクスパッケージング技術を利用して、広いスペクトル帯域で高い飽和出力強度、低雑音指数と高利得を実現しています。 これらのデバイスは工業規格準拠の14ピンバタフライ型パッケージに内蔵されており、FC/APCコネクタ付きのシングルモードファイバ(SMF)もしくは偏波保持ファイバ(PMF)のピグテールが付いています。PMFピグテール付きのモデルでは、コネクターキーはスロー軸にアライメントされています。この製品にはアイソレータは付属していませんが、当社では偏光無依存型アイソレータを入力部または出力部、あるいは入出力部両方に付けてご提供することも可能です。詳細は当社までお問い合わせください。

Item #aCenter Wavelength3 dB BandwidthSaturated Output
Power (@ -3 dB)
Small Signal Gain
(@ Pin = -20 dBm)
Noise Figure
BOA1004S and BOA1004P1550 nm Typical85 nm Typical15 dBm Typical27 dB Typical7.5 dB Typical
SOA1013S1500 nm Typicalb-14 dBm Typical13 dB Typical8.0 dB Typical
SOA1117S and SOA1117P1550 nm Typical-9 dBm Typical20 dB Typical10.0 dB Typical
BOA1007C and BOA1007H1550 nm Typical85 nm Typical18 dBm Typical30 dB Typical6.0 dB Typical
  • 仕様の詳細については、「仕様」タブおよび「グラフ」タブをご覧ください。
  • この中心波長では、動作波長は1528~1562 nmになります。詳細は「仕様」タブをご覧ください。
Item #SymbolBOA1004S and BOA1004P
MinTypicalMax
Operating CurrentIOP-600 mA750 mA
Center WavelengthλC1530 nm1550 nm1570 nm
ASE Optical 3 dB BandwidthBW80 nm85 nm-
Saturation Output Powera (@ -3 dB)PSAT13 dBm15 dBm-
Small Signal Gain (@ Pin = -20 dBm λ = 1550 nm)G23 dB27 dB-
Gain Ripple (RMS) @ IOPδG-0.05 dB0.2 dB
Noise FigureNF-7.5 dB9 dB
Forward VoltageVF-1.3 V1.6 V
Chip Length--1.5 mm-
Waveguide Refractive Index--3.2-
TEC Operation (Typical/Max @ TCASE = 25/70 °C)
TEC CurrentITEC-0.13 A1.5 A
TEC VoltageVTEC-0.28 V4.0 V
Thermistor ResistanceRTH-10 kΩ-
  • 抽出可能な最大CW値は、飽和出力強度と比較しておよそ3 dB高くなります。 詳細については、「光増幅器」タブをご参照ください。
Item #SymbolSOA1013SSOA1117S and SOA1117P
MinTypicalMaxMinTypicalMax
Operating CurrentIOP-500 mA750 mA-500 mA600 mA
Operating Wavelength Range 1528 nm-1562 nm1528 nm-1562 nm
Center WavelengthλC-1500 nma--1550 nm-
Saturation Output Powerb (@ -3 dB)PSAT12 dBm14 dBm-6 dBmc9 dBmc-
Small Signal Gain (Over C-Band @ Pin = -20 dBm)G10 dB13 dB-15 dB20 dB-
Gain Flatness (Over C-Band @ Pin = -20 dBm)ΔG-5 dB7 dB---
Gain Ripple (p-p) @ IOP, λCδG-0.1 dB0.5 dB-0.2 dB0.5 dB
Polarization Dependent GainPDG-1.0 dB1.8 dB-1 dB2.5 dB
Noise FigureNF-8 dB9.5 dB-10 dB11.5 dB
Forward VoltageVF-1.6 V 1.8 V-1.4 V2.0 V
Chip Length--1.5 mm--1.0 mm-
Waveguide Refractive Index-- 3.2--3.2-
TEC Operation (Typical/Max @ TCASE = 25/70 °C)
TEC CurrentITEC-0.23 A1.5 A-0.2 A1.5 A
TEC VoltageVTEC-0.5 V4.0 V-0.4 V4.0 V
Thermistor ResistanceRTH-10 kΩ--10 kΩ-
  • 1528~1562 nmの動作波長範囲で特定の飽和出力が得られるため、中心波長は1500 nmが選択されています。
  • 抽出可能な最大CW値は、飽和出力強度と比較しておよそ3 dB高くなります。 詳細については、「光増幅器」タブをご参照ください。
  • 飽和出力は動作波長範囲全域での仕様値です。
Item #SymbolBOA1007C and BOA1007H
MinTypicalMax
Operating CurrentIOP-600 mA750 mA
Central WavelengthλC1530 nm1550 nm1580 nm
Optical 3 dB BandwidthBW80 nm85 nm-
Saturation Output Powera (@ -3 dB)PSAT15 dBm18 dBm-
Small Signal Gain (@ Pin = -20 dBm, λ = 1550 nm)G26 dB30 dB-
Gain Ripple (RMS) @ IOPδG-0.05 dB0.2 dB
Polarization Extinction RatioPER-18 dB-
Chip Noise FigureNF-6.0 dB8.0 dB
Forward VoltageVF-1.3 V1.6 V
Chip LengthL-1.5 mm-
Waveguide Refractive Index -3.2-
Lateral Beam Exit AngleΘEXT-19.5°-
Beam Divergence Angle (FWHM)
TransverseΘT26°34°42°
LateralΘL10°14°30°
  • 抽出可能な最大CW値は、飽和出力強度と比較しておよそ3 dB高くなります。 詳細については、「光増幅器」タブをご参照ください。
Stabilized Light Source Comparison
Click to Enlarge
図1: BOA1007Cの略図(俯瞰図)。ここではチップのアノードおよびカソードのセクションを示しています。なお、BOA1007Hも同じチップ構造を有しているので、アノードおよびカソードのセクションは同様とお考えいただけます。

注:すべてのプロット図は典型的な性能を示したものです。個別のユニットは「仕様」タブ内で示されているパラメータの範囲で若干異なる性能を示す可能性があります。

BOA1004S&BOA1004Pのグラフ

SOA1013Sのグラフ

 SOA1117S&SOA1117Pのグラフ

BOA1007C&BOA1007Hのグラフ

Pin out

Comparison of a SOA to a standard Fabry-Perot Laser Diode

半導体光増幅器(SOAやBOA)の設計はファブリペロー半導体レーザに類似しています。相違しているのは、ファブリペローレーザでは、半導体チップの両端面に反射コーティングが施されている点です。両端面からの光のフィードバックが共振器として機能し、レーザ発振が生じます。SOAとBOAでは、半導体チップの両端面に反射防止(AR)コーティングが施されています。これによりチップに戻る光のフィードバックは制限されるので、レーザ発振は生じません。

全ての増幅器に共通する典型的な特性ですが、SOA/BOAにも2つの動作領域があります。1つは線形でフラットな一定利得の領域で、もう1つは非線形で出力が飽和する領域です。変調信号を増幅するのに使用されるのは一般に線形領域で、そこではエルビウムドープファイバ増幅器(EDFA)に共通するパターン効果、マルチチャンネルクロストーク、過度応答といった問題が発生しません。非線形領域は、半導体利得媒質の高非線形性(相互利得変調や相互位相変調)を活かして、波長変換、光3R再生、ヘッダ認識、その他の高速光信号処理などに利用されます。

CW入力信号に関して、線形領域において増幅器が生成できる最大のパワーはPpeakで与えられます。非線形領域で増幅器が生成するパワーは飽和出力(Psat)で決定されます。 下記のグラフで、Ppeakは線形領域における最大出力、Psatは非線形領域における飽和出力です。Psatは、小信号利得が3 dB圧縮されるときの出力で定義されます。出力可能な最大のCWパワーは、飽和出力よりもおよそ3 dB高くなります。 

SOA Linear verse Non-linear Regimes


Posted Comments:
kimyeonhwa1006  (posted 2018-10-15 21:07:20.387)
Hi, I have a question for SOA graphs. I'm just wondering that the reason why the SOA 1013S and SOA1117S has different tendency according to Gain vs wavelength. The graph of SOA 1013S in appendix tends to be decreased while that of SOA 1117S tends to be increased. I'm waiting for your reply. Thank you.
YLohia  (posted 2018-10-19 12:08:41.0)
Hello, thank you for contacting Thorlabs. The reason is that the peak of the ASE for SOA1013S happens at ~1500-1510 and that of the SOA1117S is at ~1550nm. Thus, based on the 1528-1562nm (C-band) region shown in the plots in question, the plot decreases for SOA1013S and increases for SOA1117S. Both of SOA1013S and SOA1117S are for C-band applications and we only test gain across this window. For the SOA1013S, which is marketed as a linear device (due to its high saturation power), we intentionally set peak gain wavelength at ~1500nm to obtain higher saturation power in the C-band. The saturation power tends to be higher on the longer wavelength side of the peak.
kyeongpyo.lee  (posted 2018-09-19 05:10:10.58)
I was testing the small signal gain by using BOA1007H, and I found that whatever the input power is (i.e. -50dBm or -20dBm) its amplified output is fixed at about -13dBm for 200mA current supply. I cannot understand this situation. Is it possible to do so?
YLohia  (posted 2018-09-25 10:05:02.0)
Hello, thank you for contacting Thorlabs. Please note that the performance of the BOA is highly dependent on its junction temperature and, thus, the unit should be used under properly temperature controlled environments. The BOA1007H will already start to produce gain (around 10-20dB) even with a 200mA drive current at 1550nm. It is quite likely that your input coupling efficiency to the BOA is not high enough, which would imply that the chip is not receiving enough light to amplify. The measured power then will be the BOA's ASE power itself, which can be around 5mW at 500-600mA of drive current. This is the fixed output you are seeing at these low input power levels. If you find that the power of your signal of interest is not high enough compared to the ASE, you may want to use spectral filters to attenuate the ASE signal. FBH1550-12 or FB1550-12 would be good choices to look into for the 1550nm center wavelength.
mdrolet  (posted 2018-09-09 22:39:48.94)
Hi, Do you have any graph showing amplification in pulsed regime? Thanks, Mathieu
YLohia  (posted 2018-09-17 02:22:57.0)
Hello Mathieu, thank you for contacting Thorlabs. Based on our discussion, your 150ns pulse width with 40 kHz rep rate supplied to this SOA will be perfectly fine, assuming that you use appropriate drivers/mounts. I have reached out to you directly with an eye diagram for an informal test we performed on one of our SOAs in the past/
jchg2758  (posted 2018-08-27 07:28:15.16)
Can I know the general recovery time of those c-band SOAs? I want to know how fast pulse train could be applied to this amplifier. Thanks.
YLohia  (posted 2018-08-27 10:53:12.0)
Thank you for contacting Thorlabs. SOA1117S gain recovery time is not a parameter that we specify or measure, but we expect it to be in the 300-500 ps range (potentially on the faster side).
robert.supe  (posted 2017-10-02 10:13:51.683)
in regards to product BOA1007C. We have several units and the height of each chip varies greatly. from 905um to 765um. I am unable to locate a height specification or tolerance on any of the data sheet provided on the website for the product. In order to proceed with our product development we need to know what the tolerances and specifications are for this product. Are there any which can be provided?
tfrisch  (posted 2017-10-02 06:22:35.0)
Hello, thank you for contacting Thorlabs. We will reach out to you directly to discuss these tolerances.
hvdbrom  (posted 2015-12-15 17:24:51.02)
Is this amplifier meant for CW or for digital signals? We need to amplify digital signals with pulse repetition rate of 10 Gb/s or 20 Gb/s.
besembeson  (posted 2015-12-16 09:52:24.0)
Response from Bweh at Thorlabs USA: Yes these can amplify a 10Gb/s or 20Gb/s modulated optical input as well as cw. In fact, the original application of the SOA design was a telecom alternative to EDFAs. However, the peak power levels will be limited to the cw saturation power.
bdada  (posted 2011-09-09 11:09:00.0)
Response from Buki at Thorlabs: Thank you for using our Feedback tool. We apologize for not providing the drawing for the BOA1007H on our website. We will add it shortly. In the meantime, please refer to SAF1093H, which has the same mechanical drawing as the BOA1007H. You can access the drawing on the right side of the SAF1093H product page linked below. http://www.thorlabs.com/thorProduct.cfm?partNumber=SAF1093H
jikim  (posted 2011-09-09 11:34:06.0)
I would like to ask the mechanical dimensions of a BOA1007H. Before ordering such parameters are important for the design of our experiment. Thanks in advance.
jjurado  (posted 2011-05-18 13:08:00.0)
Response from Javier at Thorlabs to jikim: Thank you very much for contacting us. You are correct, since SOA is polarization dependent, the gain at fix current and wavelength will vary if the polarization state of the input changes. So, the maximum and minimum gain curves just describe the window of gain changes vs. polarization state. The difference between the max. and min, gain values correspond, then, to the polarization dependent gain (PDG) spec in the Specs tab.
jikim  (posted 2011-05-18 15:00:18.0)
In the performance plots of a SOA1013S, the maximum and minimum gain are shown. What does it mean? Are they the gains for different input polarizations, i.e. for TM and TE modes?
Thorlabs  (posted 2010-08-26 14:54:46.0)
Response from Javier at Thorlabs to jikim: The chip lengths for all our SOA/BOAs is 1.5 mm, except for the SOA1117, which has a length = 1.0 mm. I will contact you directly regarding the refractive index, since this information is not currently readily available.
jikim  (posted 2010-08-26 10:58:25.0)
Could you specify the length of the chip and its refractive index at 1550 nm?
Adam  (posted 2010-04-23 12:15:21.0)
A response from Adam at Thorlabs to jikim: I apologize for the confusion. The fiber to chip loss is 2.5dB and the chip to fiber loss is also 2.5dB. The total dB loss from fiber to fiber is 5dB.
jikim  (posted 2010-04-23 09:00:15.0)
Do you mean that fiber-to-chip loss is 2.5 dB and chip-to-fiber loss is also 2.5 dB? Or the loss of each side consisting of a surface of the chip and a fiber?
Adam  (posted 2010-04-20 16:44:21.0)
A response from Adam at Thorlabs to Jikim. The coupling losses at each side is 2.5dB.
jikim  (posted 2010-04-20 10:38:13.0)
Dear Thorlabs, I have a simple question on a fibre-coupled BOA (BOA1004S). In this device, a pair of fibers is connected. Thus, there should be a certain amount of the coupling losses, e.g. fiber to the chip and chip to the fiber. Could you let me know such coupling losses? They are very important parameter in my laser system. And Im looking forward to hearing from you soon. Best Regards, Jae-Ihn Kim =============================================== Dr. Jae-Ihn Kim - Scientific Assistant - Technische Universitaet Kaiserslautern Fachbereich Physik Erwin-Schroedinger-Str. (Postfach 3049) 67653 Kaiserslautern - Germany Tel: (49) - 631 - 205 - 2319 Fax: (49) - 631 - 205 - 3903 http://www.physik.uni-kl.de/bergmann/ ===============================================
Adam  (posted 2010-03-18 16:56:29.0)
A response from Adam at Thorlabs to Sema: Previously, Covega has produced BOAs at this range, 1060nm. Thorlabs Quantum Electronics is planning on releasing a similar BOA in the next couple months. Will this work? At this time, there are no plans for the release of a SOA at this wavelength range, but if we can get more information about your application, I can suggest this as a new product idea. That being said, do you need a BOA or a SOA? Previously, most of our customer at this wavelength were either (1) making a laser for OCT or (2) amplifying 1064nm seed laser-- both of which a BOA is better suited than an SOA. I will email you to get more information for your application so we can suggest the most suitable product.
sema  (posted 2010-03-18 10:20:02.0)
Covega also used to produce SOAs for 1060 nm. Are these devices still available?

ブースタ光増幅器(BOA)

+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
BOA1004S Support Documentation
BOA1004SCバンド ブースタ光増幅器、中心波長1550nm、バタフライパッケージ、シングルモードファイバ、FC/APC
¥252,806
3-5 Days
BOA1004P Support Documentation
BOA1004PCバンド ブースタ光増幅器、中心波長1550nm、バタフライパッケージ、偏波保持ファイバ、FC/APC
¥292,003
Today

半導体光増幅器(SOA)

+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
SOA1013S Support Documentation
SOA1013SCバンド 半導体光増幅器、中心波長1500 nm、バタフライパッケージ、シングルモードファイバ、FC/APC
¥244,474
3-5 Days
SOA1117S Support Documentation
SOA1117SCバンド 半導体光増幅器、中心波長1550nm、バタフライパッケージ、シングルモードファイバ、FC/APC
¥229,042
3-5 Days
SOA1117P Support Documentation
SOA1117PCバンド 半導体光増幅器、中心波長1550nm、バタフライパッケージ、偏波保持ファイバ、FC/APC
¥268,239
3-5 Days

光増幅器チップ

+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
BOA1007C Support Documentation
BOA1007CCバンド ブースタ光増幅器、チップオンサブマウント
¥123,193
3-5 Days
BOA1007H Support Documentation
BOA1007HCバンド ブースタ光増幅器、チップオンヒートシンク
¥134,120
3-5 Days
ログイン  |   マイアカウント  |   Contacts  |   Careers  |   個人情報保護方針  |   ホーム  |   FAQ  |   Site Index
Regional Websites:East Coast US | West Coast US | Europe | Asia | China
Copyright 1999-2018 Thorlabs, Inc.
Sales: +81-3-6915-7701
Tech Supports: +81-3-6915-7701


High Quality Thorlabs Logo 1000px:Save this Image