SAF利得チップ、中心波長 1650 nm


  • InP Gain Chip on Submount or Submount with Heatsink
  • Ultra-Low Reflectance at Angled Facet
  • Custom Coatings Available

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SAF1091C

Chip on Submount

SAF1091H

Chip on Submount
with Heatsink

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ParameterMinTypMax
Operating Current-500 mA800 mA
Center Wavelength1620 nm1650 nm1680 nm
ASE Power @ IOP0.8 mW1.3 mW-
Peak Gain @ IOP-23 dB-
Optical Bandwidth80 nm90 nm-
Gain Ripple (rms) @ IOP
Res. BW = 0.1 nm
--0.7 dB
Angled Facet Reflectivity-0.005%0.01%
Normal Facet Reflectivity-90%-
Forward Voltage-1.35 V1.6 V
Chip Length-1.5 mm-
Waveguide Refractive Index-3.2-
Lateral Beam Exit Angle-26.5°-
Transverse Beam
Divergence (FWHM)
-30°-
Lateral Beam
Divergence (FWHM)
-18°-

特徴

  • 広い波長チューニングレンジ
  • 高出力
  • 角度付ファセットにより極めて低い反射率: 0.005% (典型値)
  • 狭線幅ファイバーブラッググレーティングレーザ用の利得媒質
  • 広い波長チューニング可能な外部共振型半導体レーザ用の利得媒質

SAF利得チップでは、チップ端面に対して垂直入射とならないようにリッジ導波路を曲げることによりチップ端面の反射が軽減されるような幾何学的技術が採用されています。さらに、端面へのARコーティングの併用により、レーザ共振器における不要なフィードバックを発生させる後方反射を実質的に取り除きます。その結果、ARコーティングされたファブリペロー(FP)利得チップの端面では、残留反射がレーザの安定性、出力やスペクトル品質を損なうことが多くあるので、外部共振型レーザ(ECL)、特にチューナブルECLに適用する際には、標準的な利得チップと比較してSAF利得チップの方が適しています。

当社の1650 nm SAF利得チップは、2つのタイプからお選びいただけます。SAF1091Cはサブマウント付きです。SAF1091Hは同じサブマウントにヒートシンクも付いたタイプで、カソードリードおよびアノードリードに接続しています。

Other SAF Gain Chips
1320 or 1550 nm Chip in Half Butterfly
1220 nm Chip on Submount or Heatsink
1320 nm Chip on Submount or Heatsink
1450 nm Chip on Submount or Heatsink
1550 or 1590 nm Chip on Submount or Heatsink

基本的なリトロウ型構成で使用されるSAF1091シリーズの例

SAF1091 Performance when used in a basic littrow configuration

SAF利得チップの外部共振器での利用に関する詳細をお知りになりたい場合は、オンラインの外部共振型半導体レーザについて説明したチュートリアルをご覧ください。

SAF, Gain Chip
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SAF1091Cのアノードピンとカソードピンの概略図
SAF, Gain Chip
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SAF1091Hのアノードピンとカソードピンの概略図

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+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
SAF1091C Support Documentation
SAF1091CSAF利得チップ、サブマウント付き、CWL = 1650 nm
¥89,751
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SAF1091H Support Documentation
SAF1091HSAF利得チップ、サブマウント&ヒートシンク付き、CWL = 1650 nm
¥89,751
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