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自由空間光用高速ディテクタ


  • Sensitive to Wavelengths from 400 - 1700 nm
  • Bandwidths from 2 GHz to 5 GHz
  • Rise Times as Short as 70 ps

DET08C

AR-Coated Window

DET08CL

Uncoated Ball Lens

DET025A

AR-Coated Window

DET025AL

Uncoated Ball Lens

DET2B

Replaces the battery in our DET series detectors and includes the LDS12B power supply and DET2A power adapter, shown connected.

Related Items


Please Wait
自由空間光用高速ディテクタのセレクションガイド
WavelengthElementInputBandwidthModel
400 - 1100 nmSiWindow2 GHzDET025A
LensDET025AL
800 - 1700 nmInGaAsWindow5 GHzDET08C
LensDET08CL

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SMA-BNCケーブルを使用してフォトディテクタDET025A(/M)に接続したベンチトップ型フォトダイオード増幅器PDA200C

特長

  • 4つのモデルで400~1700 nmの波長範囲に対応
  • 帯域幅:2~5 GHz
  • 立ち上がり時間:70 ps~155 ps
  • 自由空間光入力
  • 入射口がARコーティング付きのフラットウィンドウ、またはボールレンズの2タイプをご用意
  • SMA出力用コネクタ
  • ポスト取付け用M4タップ穴

当社では自由空間光入力用設計の高速かつ高帯域のフォトディテクタを各種取り揃えております。 これらのディテクタ製品を合わせると対応可能な波長範囲は可視域から近赤外域(400~1700 nm)にわたります。各ディテクタのスペクトル域について は、右上のセレクションガイド表をご参照ください。 このページに掲載されている全てのディテクタの帯域幅はGHzレベルで、当社のDETシリーズ共通の使いやすさが特長です。 データ通信、アナログマイクロ波や一般的な高速フォトニクスの研究分野でのテストや測定の用途向けに設計されています。 当社ではファイバ入力用として同等の検知能を有する光ファイバ用高速ディテクタをご用意しております。 また、ここでご紹介しているディテクタよりも動作速度が遅い自由空間光用内部バイアス型フォトダイオードも各種取り揃えております。当社のバイアス型フォトディテクタは、ベンチトップ型フォトダイオード増幅器ならびPMTトランピーダンスアンプにお使いいただけます。

この自由空間光用ディテクタは、逆バイアスで、またバイアス電源を内蔵しており、入力される入射光に対して線形の応答性を示します。 高帯域の信号がSMAコネクタから出力されます。 当社では多岐にわたる電気アダプタやケーブル(SMAケーブルSMA-BNCアダプタなど)をご用意しており、オシロスコープほか電子計測機器と共に用いることで出力信号のモニタができます。

シリコン(Si)ベースの自由空間光用ディテクタの波長範囲は400~1100 nm(DET025A/MならびにDET025AL/M)で、帯域幅は2 GHzとなっています。 近赤外域の波長範囲まで及ぶ用途では、InGaAsベースの自由空間光用ディテクタが適しています。波長範囲は800~1700 nm(DET08C/MならびにDET08CL/M)で、帯域幅は5 GHzです。 高速信号を調べる際には、50 Ωの負荷抵抗器のご使用をお勧めしています。 低帯域幅の用途では、可変ターミネータまたは固定型スタブターミネータをお使いいただくと測定電圧の迅速な調整が可能です。

Lens Input on DET08CL
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DET08CL(/M)のコーティング無しボールレンズ型の入射部
Flat, AR-Coated Window Input on the DET025A
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DET025A(/M)のARコーティング付きフラットウィンドウ

シリコン(Si)ベースならびにInGaAsベースのディテクタともに自由空間光の入力部にはARコーティング付きのフラットウィンドウ、またはARコーティング無しのボールレンズのどちらかがお選びいただけます(左の写真をご参照ください)。 ボールレンズは入射光を捉えて比較的小さな検出部に光を集光するので入射光量が小さい用途に適しています。 入射光量が十分多い場合には開口部にフラットウィンドウが付いているディテクタをお勧めします。強力な入射光の集光はディテクタの飽和ならびに損傷につながる恐れがあります。 また、パルス光源をご使用の際にもボールレンズよりもフラットウィンドウ付きのディテクタを推奨します。光がレンズを透過する際に生じる色分散によりパルス幅が広がってしまうからです。

このタイプのすべてのディテクタには、ノイズが非常に低い12 VDCバイアス電源A23が付属します。 AC入力電圧のノイズに起因する小さな信号雑音の上昇が許容される用途や、バッテリの劣化が許容されない用途でディテクタを使用する場合、このバッテリの代 わりにオプションの電源アダプターキットDET2B(下記参照)をお使いいただくことも可能です。 メーカによって正極にわずかに物理的なバラツキがありますので、当社のDETシリーズのフォトディテクタにはEnergizer®のバッテリの使用をお勧めしています。

なお、ディテクタの検出部のエッジ部分の不均一性により、不要な静電容量や抵抗が生じることがあり、その結果、フォトダイオードからの出力に対する時間ド メインの応答が歪む場合があるので、その点にはご注意ください。 このような現象を防ぐためにも、フォトダイオードへの光が検出部の中心にしっかりと入射するよう調整してください。 そのために、ディテクタ素子の前に集光レンズまたは精密ピンホールを取り付けることをお勧めします。

Item #DET025ADET025ALDET08CDET08CL
Wavelength Range400 - 1100 nm800 - 1700 nm
MaterialSiInGaAs
Active AreaØ250 µmØ80 µm
Bandwidth (-3 dB)a,b,c2 GHz5 GHz
InputFlat, AR-Coated WindowUncoated Ball LensFlat, AR-Coated WindowUncoated Ball Lens
Ball Lens DiameterN/A0.059" (1.50 mm)N/A0.059" (1.50 mm)
Aperture SizeØ0.13" (Ø3.2 mm)Ø0.13" (Ø3.2 mm)
Signal OutputSMASMA
Minimum Resistor Load50 Ω50 Ω
Maximum Peak Power18 mW100 mW
Output Voltaged2 V (Max)
Rise Time (tr)150 ps @ 653 nm, 20%/80%a,b,c (Typ.)70 ps @ 952 nm, 20%/80%a,b,c (Typ.)
Fall Time (tf)150 ps @ 653 nm, 80%/20%a,b,c (Typ.)110 ps @ 952 nm, 80%/20%a,b,c (Typ.)
Bias Voltage12 V
Dark Currenta,e35 pA1.5 nA
NEP (Maximum)9.29 x 10-15 W/√Hz (@ 730 nm)2 x 10-15 W/√Hz (@ 1550 nm)
Junction Capacitance1.73 pF (Max)0.3 pF
Photodiode Element-FDS025-
  • 仕様のバイアス電圧12 Vで測定。
  • 50 Ωの負荷抵抗
  • バッテリの電圧が下がると立ち上がり時間の遅れや帯域幅の減少につながります。
  • こちらよりも高い出力電圧の場合、帯域幅が減少します。
  • 1 MΩの負荷抵抗
DET025A Series Spectral Response
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生データはこちらからダウンロードいただけます。
DET025A Series Spectral Response
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生データはこちらからダウンロードいただけます。
DET08C Series Spectral Response
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生データはこちらからダウンロードいただけます。

注: 上記グラフのデータはすべてARコーティング付きのウィンドウを使用したセットアップで測定し、取得しました。 

信号出力

SMAメス型

SMA Female

0~10 V、50 Ω

電池の寿命

電池駆動のフォトディテクタを使う場合には、電池の寿命とそれがディテクタの駆動に与える影響を理解することが重要です。電流出力デバイスとして、フォトディテクタの出力電流は、ディテクタに入射する光に比例します。殆どの場合、終端抵抗を用いてこの電流を電圧へと変換します。抵抗値は回路の利得とほぼ等しくなります。高速ディテクタでは、標準同軸ケーブルのインピーダンスを整合してケーブルの反射を減らし、全体的な信号の性能を向上させるために50 Ω終端抵抗を使うことが大切です。多くの広帯域オシロスコープには、この終端抵抗が装備されています。

電池の使用寿命は、ディテクタによって使われる電流に直接関連します。多くの電池製造メーカは、mA hrで電池寿命を示しています。例えば、ディテクタDET08CLに付属の電池は40 mA hrsです。これは、1.0 mAの電流で40時間動作することを意味します。この電池を例として用い、以下に、使用方法による電池寿命の算定方法について説明します。

この例では、平均光出力1 mWで波長780 nmの光源をディテクタDET08CLに入力しています。この波長での感度曲線に基づいたバイアス型フォトディテクタの感度は、0.5 A/Wとなります。光電流は次のように計算されます。

 

eq1

電池の定格寿命が40 mA hrの場合、電池の寿命は次のようになります。

Eq2

あるいは、3.3日の連続使用となります。平均入射光を10 µWまで減らすと、同じ電池は連続使用で約333日もちます。推奨の50 Ω終端抵抗を使うと、光電流0.5 mAは次の電圧に変換されます。

Eq3

入射パワーレベルを10 µWまで減らすと、出力電圧は0.25 mVになります。いくつかの測定装置では、この信号レベルは低すぎるので、電池寿命と測定精度の間で妥協を行なう必要があります。

バイアス型フォトディテクタを電池で駆動する場合、最小電圧レベルが必要であることを念頭において、できるだけ低い光強度を使うことが望ましいです。また、電池は寿命が近づいても、すぐに電流が止まるわけではありません。その代わり、電池の電圧が下がり、そして、フォトダイオードに印加されている電圧は減少します。これにより、ディテクタの応答時間が長くなります(ディテクタの帯域幅が小さくなります)。従って、ディテクタを特定のパラメータ内で動作させるために、電池が十分な電圧を有していることが重要です(ディテクタのマニュアル内「Troubleshooting」の章をご参照ください)。電圧は、マルチメータを用いて確認することができます。

また、センサに入射している光を取り除いたり、出力を弱めたりすることでも電池の寿命は延びます。光源がないと、フォトディテクタは暗電流に比例した電流を消費しますが、この電流は微小です。例えば、DET08CLでは、1.5 nA以下の暗電流です。

DETシリーズのフォトダイオードが連続して比較的高パワーの光を照射される場合や電池を変えられない場合、アダプタDET2Bと電源をお使いください。このオプションの欠点は、AC電源電圧の雑音が出力信号の雑音に加わり、測定がより不確かになる可能性があるということです。

フォトダイオードのチュートリアル

動作原理

接合型フォトダイオードは、通常の信号ダイオードと似た動作をする部品ですが、接合半導体の空乏層が光を吸収すると、光電流を生成する性質があります。 フォトダイオードは、高速なリニアデバイスで、高量子効率を達成し、様々な異なる用途で利用することが可能です。

入射光の強度に応じた、出力電流レベルと受光感度を正確に把握することが必要とされます。 図1は、接合型フォトダイオードのモデル図で、基本的な部品が個別に図示されており、フォトダイオードの動作原理が説明されています。

 

Equation 1
Photodiode Circuit Diagram
図1: フォトダイオードの概略図

フォトダイオード関連用語

受光感度
フォトダイオードの受光感度は、規定の波長における、生成光電流 (IPD)と入射光パワー(P)の比であると定義できます:

Equation 2

動作モード(Photoconductive vs. Photovoltaic)
フォトダイオードは、Photoconductiveモード(逆バイアス) またはPhotovoltaicモード(ゼロバイアス)で動作できます。 モードの選択は、使用用途で求められる速度と、許容される暗電流(漏れ電流)の量で決まります。

Photoconductive
Photoconductiveモードでは、逆バイアスが印加されますが、これが当社のDETシリーズディテクタの基本です。 回路で測定できる電流量は、デバイスが曝される光の量に対応し、測定される出力電流は、入射される光パワーに対し直線的に比例します。 逆バイアスを印加すると、空乏層を広げて反応領域が広くなる一方で、接合静電容量が小さくなり、明瞭な線形応答が得られます。 このような動作条件下では、暗電流が大きくなりがちですが、フォトダイオードの種類によって、暗電流を低減することもできます。
(注: 当社のDETディテクタは逆バイアスで、順方向バイアスでは動作できません)

Photovoltaic
Photovoltaicモードでは、フォトダイオードはゼロバイアス状態です。 デバイスからの電流が制限され、電位が蓄積されていきます。 このモードでは光電池効果が引き出されますが、これが太陽電池の基本です。 光電池モードでは、暗電流量は最小限に抑制されます。

暗電流
フォトダイオードにバイアス電圧が付加されている時に流れる漏れ電流のこと。 Photoconductiveモードで使用する場合に暗電流の値は高くなりがちで、温度の影響で変動します。 暗電流は、温度が10°C上昇するたびに約2倍となり、シャント抵抗は6°C の上昇に伴い倍になります。 高いバイアスを付加すれば、接合静電容量は減少しますが、暗電流の量は増大してしまいます。

暗電流の量はフォトダイオードの材料や検出部の寸法によっても左右されます。ゲルマニウム製のデバイスでは暗電流は高くなり、それと比較するとシリコン製のデバイスは一般的には低い暗電流となります。下表では、いくつかのフォトダイオードに使用される材料の暗電流の量と共に、速度、感度とコストを比較しています。

MaterialDark CurrentSpeedSpectral RangeCost
Silicon (Si)LowHigh SpeedVisible to NIRLow
Germanium (Ge)HighLow SpeedNIRLow
Gallium Phosphide (GaP)LowHigh SpeedUV to VisibleModerate
Indium Gallium Arsenide (InGaAs)LowHigh SpeedNIRModerate
Indium Arsenide Antimonide (InAsSb)HighLow SpeedNIR to MIRHigh
Extended Range Indium Gallium Arsenide (InGaAs)HighHigh SpeedNIRHigh
Mercury Cadmium Telluride (MCT, HgCdTe)HighLow SpeedNIR to MIRHigh

接合静電容量
接合静電容量(Cj)は、フォトダイオードの帯域幅と応答特性に大きな影響を与えるので、フォトダイオードの重要な特性であると言えます。 ダイオード部分が大きいと、接合容量が大きくなり、電荷容量は大きくなります。 逆バイアスの用途では、接合部の空乏層が大きくなるので、接合静電容量が低減し、応答速度が速くなります。

帯域幅と応答性
負荷抵抗とフォトディテクタの接合静電容量により帯域幅が制限されます。 最善の周波数応答を得るには、50Ωの終端装置を50Ωの同軸ケーブルと併用します。 接合静電容量(Cj)と負荷抵抗値(RLOAD)を用いて、帯域幅(fBW)と立ち上がり時間応答(tr)の概算値が得られます:

Equation 3

 

ノイズ等価電力
ノイズ等価電力(NEP)とは、信号対雑音比が1であるときに生成されるRMS信号電圧の値です。NEPによって、ディテクタが低レベルの光を検知する能力を知ることができるので、この数値は便利です。一般には、NEPはディテクタの検出部の面積増加に伴って大きくなり、下記の数式で求めることができます:

Photoconductor NEP

この数式において、S/Nは信号対雑音比、Δf はノイズの帯域幅で、入射エネルギ単位はW/cm2となっています。詳細は、当社のホワイトペーパ「NEP – Noise Equivalent Power」をご参照ください。

終端抵抗
負荷抵抗は、オシロスコープでの測定を可能にするために、生成された光電流を電圧(VOUT)へ変換して用いられます:

Equation 4

フォトダイオードの種類によっては、負荷抵抗が応答速度に影響を与える場合があります。 最大帯域幅を得るには、50Ωの同軸ケーブルを使用して、ケーブルの反対側の終端部で50Ωの終端抵抗器の使用を推奨しています。 このようにすることで、ケーブルの特性インピーダンスとマッチングできて共鳴が最小化できます。 帯域幅が重要ではない特性の場合は、RLOADを増大させることで、所定の光レベルに対して電圧を増大させることができます。 終端部が不整合の場合、同軸ケーブルの長さが応答特性に対して大きな影響を与えます。したがってケーブルはできるだけ短くしておくことが推奨されます。

シャント抵抗
シャント抵抗は、ゼロバイアスフォトダイオード接合の抵抗を表します。 理想的なフォトダイオードでは、シャント抵抗は無限大となりますが、実際の数値はフォトダイオードの材料の種類によって、10Ωのレベルから数千MΩの範囲となる場合があります。 例えばInGaAsディテクタのシャント抵抗は、10MΩのレベルですが、GeディテクタはkΩのレベルです。 このことは、フォトダイオードの電流雑音に大きく影響を与える可能性があります。 しかしながらほとんどの用途では、このような高抵抗値の影響は小さく、無視できる程度です。

直列抵抗
直列抵抗は半導体材料の抵抗値で、この低い抵抗値は、通常は無視できる程度です。 直列抵抗は、フォトダイオードの接触端子とワイヤの接合部で発生し、主にゼロバイアスの条件下でのフォトダイオードの直線性の評価に用いられます。

一般的な動作回路

Reverse Biased DET Circuit
図2: 逆バイアス回路(DETシリーズディテクタ)

上図の回路はDETシリーズのディテクタをモデル化したものです。 ディテクタは、適用される入射光に対して線形の応答を生成するために逆バイアス状態になっています。 ここで生成された光電流の量は、入射光に依存し、負荷抵抗を出力端子に接続すると、波形をオシロスコープで確認することができます。 RCフィルタの機能は、出力に雑音を載せてしまう可能性のある供給電力からの高周波雑音のフィルタリングです。

Amplified Detector Circuit
図3: 増幅ディテクタ回路

高利得用途でアンプとともにフォトディテクタを使用できます。動作時には、PhotovoltaicまたはPhotoconductiveモードのいずれも選択可能です。この能動回路はいくつかの利点があります:

  • Photovoltaicモード:オペアンプで、点Aと点Bの電位が同じに維持されているので、フォトダイオードでは回路全体ではゼロボルトに保たれています。このことで暗電流は発生しなくなります。
  • Photoconductiveモード: フォトダイオードは逆バイアス状態であるので、接合静電容量を低下させながら帯域幅の状態を改善します。 ディテクタの利得は、フィードバック素子(Rf)に依存します。 ディテクタの帯域幅は、下記の数式で計算することができます:

Equation 5

GBPは利得帯域幅積であり、接合静電容量CDは増幅器静電容量と利得静電容量との和です。

チョッパ入力周波数の影響

光導電体は時定数以内では一定の応答となりますが、PbS、 PbSe、HgCdTe (MCT)、InAsSbなどのディテクタにおいては、1/fゆらぎ(チョッパ入力周波数が大きいほどゆらぎは小さくなる)を持つため、低い周波数の入力の場合は影響が大きくなります。

低いチョッパ入力周波数の場合は、ディテクタの受光感度は小さくなります。周波数応答や検出性能は下記の条件の場合において最大となります。

Photoconductor Chopper Equation

パルスレーザ:パワーとエネルギーの計算

パルスレーザからの放射光が、使用するデバイスや用途に適合するかどうかを判断する上で、レーザの製造元から提供されていないパラメータを参照しなければならない場合があります。このような場合、一般には入手可能な情報から必要なパラメータを算出することが可能です。次のような場合を含めて、必要な結果を得るには、ピークパルスパワー、平均パワー、パルスエネルギ、その他の関連するパラメータを必要とすることがあります。

  • 生物試料を損傷させないように保護する
  • フォトディテクタなどのセンサにダメージを与えることなくパルスレーザ光を測定する
  • 物質内で蛍光や非線形効果を得るために励起を行う

パルスレーザ光のパラメータは下の図1および表に示します。参照用として、計算式の一覧を以下に示します。資料を ダウンロードしていただくと、これらの計算式のほかに、パルスレーザ光の概要、異なるパラメータ間の関係性、および計算式の適用例がご覧いただけます。

 

計算式

周期と繰り返し周波数は逆数の関係:   and 
平均パワーから算出するパルスエネルギ:      
パルスエネルギーから算出する平均パワー:       
パルスエネルギーから概算するピークパルスパワー:           

平均パワーから算出するピークパワー、ピークパワーから算出する平均パワー :
 and
平均パワーおよびデューティーサイクルから算出するピークパワー*:
*デューティーサイクル() はレーザのパルス光が放射されている時間の割合です。
Pulsed Laser Emission Parameters
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図1: パルスレーザ光の特性を記述するためのパラメータを、上のグラフと下の表に示します。パルスエネルギ (E)は、パルス曲線の下側の黄色の領域の面積に対応します。このパルスエネルギは斜線で表された領域の面積とも一致します。

パラメータシンボル単位説明
パルスエネルギEジュール[J]レーザの1周期中に放射される1パルスの全放射エネルギ。
パルスエネルギはグラフの黄色の領域の面積に等しく、
これは斜線部分の面積とも一致します。
周期Δt 秒 [s] 1つのパルスの開始から次のパルスの開始までの時間
平均パワーPavgワット[W]パルスとして放射されたエネルギが、1周期にわたって
均一に広がっていたと仮定したときの、
光パワーの大きさ(光パワー軸上の高さ)
瞬時パワーPワット[W]特定の時点における光パワー
ピークパワーPpeakワット [W]レーザから出力される最大の瞬時パワー
パルス幅秒 [s]パルスの開始から終了までの時間。一般的にはパルス形状の
半値全幅(FWHM)を基準にしています。
パルス持続時間とも呼ばれます。
繰り返し周波数 frepヘルツ [Hz]パルス光が放射される頻度を周波数で表示した量。
周期とは逆数の関係です。

計算例

下記のパルスレーザ光を測定するのに、最大入力ピークパワーが75 mW 
のディテクタを使用するのは安全かどうかを計算してみます。

  • 平均パワー: 1 mW
  • 繰り返し周波数: 85 MHz
  • パルス幅: 10 fs

1パルスあたりのエネルギは、

と低いようですが、ピークパワーは、

となります。このピークパワーはディテクタの
最大入力ピークパワーよりも5桁ほど大きく、
従って、上記のパルスレーザ光を測定するのに
このディテクタを使用するのは安全ではありません

下表は、当社のフォトダイオードおよびフォトコンダクタなどフォトディテクタの一覧です。 同一の列に記載されている型番の検出素子は同じです。

Photodetector Cross Reference
WavelengthMaterialUnmounted
Photodiode
Unmounted
Photoconductor
Mounted
Photodiode
Biased
Detector
Amplified
Detector
150 - 550 nmGaPFGAP71-SM05PD7ADET25K2PDA25K2
200 - 1100 nmSiFDS010-SM05PD2A
SM05PD2B
DET10A2PDA10A2
Si--SM1PD2A--
320 - 1000 nmSi----PDA8A2
320 - 1100 nmSiFD11ASM05PD3APDF10A2
Si---DET100A2PDA100A2
340 - 1100 nmSiFDS10X10----
350 - 1100 nmSiFDS100
FDS100-CAL a
-SM05PD1A
SM05PD1B
DET36A2PDA36A2
SiFDS1010
FDS1010-CAL a
-SM1PD1A
SM1PD1B
--
400 - 1000 nmSi----PDA015A(/M)
FPD310-FS-VIS
FPD310-FC-VIS
FPD510-FC-VIS
FPD510-FS-VIS
FPD610-FC-VIS
FPD610-FS-VIS
400 - 1100 nmSiFDS015 b----
SiFDS025 b
FDS02 c
--DET02AFC(/M)
DET025AFC(/M)
DET025A(/M)
DET025AL(/M)
-
400 - 1700 nmSi & InGaAsDSD2----
500 - 1700 nmInGaAs---DET10N2-
750 - 1650 nmInGaAs----PDA8GS
800 - 1700 nmInGaAsFGA015---PDA015C(/M)
InGaAsFGA21
FGA21-CAL a
-SM05PD5ADET20C2PDA20C2
PDA20CS2
InGaAsFGA01 b
FGA01FC c
--DET01CFC(/M)-
InGaAsFDGA05 b---PDA05CF2
InGaAs---DET08CFC(/M)
DET08C(/M)
DET08CL(/M)
PDF10C(/M)
800 - 1800 nmGeFDG03
FDG03-CAL a
-SM05PD6ADET30B2PDA30B2
GeFDG50--DET50B2PDA50B2
GeFDG05----
900 - 1700 nmInGaAsFGA10-SM05PD4ADET10C2PDA10CS2
900 - 2600 nmInGaAsFD05D--DET05D2-
FD10D--DET10D2PDA10D2
950 - 1650 nmInGaAs----FPD310-FC-NIR
FPD310-FS-NIR
FPD510-FC-NIR
FPD510-FS-NIR
FPD610-FC-NIR
FPD610-FS-NIR
1.0 - 5.8 µmInAsSb----PDA10PT(-EC)
1.5 - 4.8 µmPbSe-FDPSE2X2---
2.0 - 5.4 µmHgCdTe (MCT)----PDA10JT(-EC)
2.0 - 8.0 µmHgCdTe (MCT)VML8T0
VML8T4 d
---PDAVJ8
2.0 - 10.6 µmHgCdTe (MCT)VML10T0
VML10T4 d
---PDAVJ10
2.7 - 5.0 µmHgCdTe (MCT)VL5T0---PDAVJ5
2.7 - 5.3 µmInAsSb----PDA07P2
  • 校正済みマウント無しフォトダイオード 
  • マウント無しTO-46 Can型フォトダイオード
  • マウント無しTO-46 Can型フォトダイオード、 FC/PCバルクヘッド付き
  • TEC付き光起電力型ディテクタ

Posted Comments:
Philip Skochinski  (posted 2019-11-19 14:29:50.307)
What is the responsivity of the DET08 into a 50 Ohm load in terms of Volts/Watt at 1550nm? I see it in amps/watt. Assume allof the optical power hits the photodetector. What is the calculation?
YLohia  (posted 2019-11-19 03:03:00.0)
Thank you for contacting Thorlabs. The voltage out is: V_out = Input Power (W) * Responsivity (A/W) * Load Resistance (Ohms). This is also given on Page 7 of the DET manual. Using the responsivity at 1550nm (found in the Graphs tab), the output voltage will be roughly 50 V/W for a 50 Ohm load.
hung chen  (posted 2019-09-19 02:11:20.043)
I would kike to ask four question about DET08CL/M 1. How to check whether it is broken? 2.What's max light power(Laser diode) can it receive? 3.What's relation between the output voltage and the corresponded light power? 30mW (940nm Laser diode) light power -> 50 mV on oscilloscope . Is it normal? (50 Ω terminating load resistor is used, and then connecting to oscilloscope to measure voltage) 4. What structure or equipment do you suggest when measurement? The active area is too small to be aligned with Laser diode directly .Therefore, it is hard to measure the output voltage.
asundararaj  (posted 2019-09-19 09:35:54.0)
Thank you for contacting Thorlabs. 1. Would you be able to clarify what you are observing? Different types of failure have different troubleshooting steps associated with it. If you are getting no response or slower response than expected, connect the detector to an oscilloscope without a terminating resistor installed. Most general purpose oscilloscopes will have a 1 MΩ input impedance. Point the detector toward a fluorescent light and verify that a 60 Hz (50 Hz outside the US) signal appears on the scope. If so, the device should be operating properly and the problem may be with the light source or alignment. For more on this, please refer to Page 14 of the Manual. I have contacted you directly to discuss this further. 2. We do not have a formal spec on the Damage Threshold of the detector. Most photodiodes will typically saturate orders of magnitude below damage, and we do not recommend using these above saturation. You can estimate the Saturation Power from the responsivity of the detector at a specific wavelength by setting the output voltage as the maximum voltage specified and calculating for power in the following equation. 3. The output voltage can be estimated by Voltage Out= Power*Responsivity*Terminating Resistance. 4. For ease of coupling, the DET08CL has an uncoated ball lens at the input aperture that focuses the light onto the detector. If your collimated beam diameter is larger than the aperture of the DET08CL's ball lens, using an external focusing lens that has a larger clear aperture with the DET08C is recommended. We do offer a Fiber coupled version of this detector - DET08CFC.
KEN CHEN  (posted 2019-08-07 04:46:10.477)
I would like to know what will happen if i input a pulsed laser diode that has a peak power of 100W, 1ns pulse width. What part of the detector will break?
YLohia  (posted 2019-08-07 04:04:38.0)
Hello, thank you for contacting Thorlabs. We do not recommend using a peak power of 100 W as this exceeds our published Maximum Peak Power spec of 100 mW for the DET08CL (given in the Specs tab). The primary damage mechanism is thermal burning at the PN junction.
Ben Garber  (posted 2019-08-01 14:32:18.33)
Hi Thorlabs, I'm interested in the DET025 detectors for offset locking of a laser. I have an idea for how to read out the detector and I want to check with you that it will work. My idea is to use a bias tee (e.g. Mini-Circuits ZFBT-4R2G+) to separate DC and RF components. The DC terminal would be terminated with 50 ohms and watched with an oscilloscope. The RF terminal would be amplified with an RF amplifier (e.g. Mini-Circuits ZX60-P105LN+) and input into a mixer (e.g. Mini-Circuits ZLW-6+). I want to check that this constitutes correct and safe 50 ohm termination of the detector output. Thank you, Ben
YLohia  (posted 2019-08-08 03:18:22.0)
Hello Ben, thank you for contacting Thorlabs. In general, proper operation of the DET025A will require the use of a 50 Ohm coax cable terminating into a 50 Ohm load. I did not find a clear call-out for a 50 Ohm termination on the RF port for the Mini-Circuits ZFBT-4R2G+ (though I would expect this to be the case for such a component). That being said, I was hoping that you could provide more information about your application and setup. I have reached out to you to gather more details.
Van Rudd  (posted 2019-03-27 14:45:19.737)
Your given NEP values for the two InGaAs detectors cannot be right. NEP must account for shot noise of the detector and Johnson noise of any internal termination resistor by adding them in quadrature. For a 50-Ohm termination at room temperature, the Johnson noise is 5.25 pA/rt(Hz). i.e. 5.25 pW/rt(Hz) for a responsivity of 1 A/W, yet the reported value is 5 fW/rt(Hz). Please explain the discrepancy.
YLohia  (posted 2019-03-28 10:58:03.0)
Hello, thank you for contacting Thorlabs. This discrepancy stems from the difference in the definition of NEP. Thorlabs uses NEP to refer to the optical power incident upon a photodetector system. In this case, the NEP is known as the “optical NEP”. Alternatively, the NEP can refer to the signal power portion that is absorbed by the detector (the power at the output of the detector). This can come from various sources such as Johnson or shot noise and is called “electrical NEP”. For more information, please see our whitepaper on how we classify NEP for most of our detectors : https://www.thorlabs.com/images/TabImages/Noise_Equivalent_Power_White_Paper.pdf.
m.loeser  (posted 2018-03-07 09:51:51.53)
Hi, is it possible to buy the photodiode as a single piece? The type of the photodiode is not given in the specs.
tfrisch  (posted 2018-03-08 03:21:51.0)
Hello, thank you for contacting Thorlabs. FDS025 is the same diode as in the DET025A/M. I will reach out with you directly in case you need a quote.
minowa  (posted 2017-11-26 17:16:53.44)
I'm considering to buy DET025AL/M or DET025A/M. Our signal light is very low power (~ 1 mW). So, which is better in terms of the signal strength, the window model with an external focusing lens or the ball-lens model?
nbayconich  (posted 2017-12-28 05:23:23.0)
Thank you for contacting Thorlabs. Performance will be similar between using the DET025AL or the DET025A with an external lens. If your collimated beam diameter is larger than the aperture of the DET025AL's ball lens then using an external focusing lens that has a larger clear aperture with the DET025A is recommended.
mitch  (posted 2016-01-22 09:45:41.243)
Hi, I have ordered several of these (window, not lens) but I would like to mount a pinhole in front. Do you have some sort of alignment aid to get it right? Is there a possibility of getting an adapter that screws onto the front to help with 1" optics, pinholes, etc? Thanks
jlow  (posted 2016-01-22 01:49:31.0)
Response from Jeremy at Thorlabs: There's no direct way to mount pinholes to the front of the detector. The detector is meant to be mounted on an optical post and you will have to manually align a pinhole that is mounted on another post.
rbwilcox  (posted 2014-10-28 18:34:22.573)
In the overview, you mention that the lens might cause dispersion of a pulse, distorting the response, and so the lens version is not recommended for pulses. If the total optical delay through the lens is about 10ps (~2mm x 1.5/c), and the impulse response for the DET08C is ~125ps (according to the graph presented), then there is no way chromatic dispersion could affect the diode response. I'm going to buy the DET08CL for pulses.
jlow  (posted 2014-11-06 01:47:50.0)
Response from Jeremy at Thorlabs: Thank you for the feedback. We will correct the web presentation.

自由空間光用Siディテクタ:400~1100 nm

SMA Output on DET025A
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ディテクタDET025A(/M)にはSMA出力端子

自由空間光用高速ディテクタDET025A/MならびにDET025AL/Mは、400~1100 nmのスペクトル域用に設計されています。 ディテクタDET025A/Mの入射口にはARコーティング付きのフラットウィンドウがあります。また、ディテクタDET025AL/Mは入射口にARコーティング無しのボールレンズが付いたフォトダイオードFDS025を使用しており、光をディテクタに集光します。

どちらのディテクタも帯域幅は2 GHzとなっております。 M4取付け穴によってØ12 mm~Ø12.7 mm(Ø1/2インチ)ポストへの取り付けが簡単です。

Item #WavelengthDetectorInputBandwidthMax Peak PowerBias
Voltage
Rise TimeFall Time
DET025A(/M)400 - 1100 nmSiFlat AR-Coated
Window
2 GHz18 mW12 V150 ps
(Typ.)
150 ps
(Typ.)
DET025AL(/M)Uncoated Ball Lens
+1 数量 資料 型番 - インチ規格 定価(税抜) 出荷予定日
DET025A Support Documentation
DET025A2 GHz 自由空間光用Siディテクタ、ウィンドウ付き、400~1100 nm、#8-32タップ(インチ規格)
¥29,683
3-5 Days
DET025AL Support Documentation
DET025AL2 GHz 自由空間光用Siディテクタ、レンズ付き、400~1100 nm、#8-32タップ(インチ規格)
¥29,683
3-5 Days
+1 数量 資料 型番 - ミリ規格 定価(税抜) 出荷予定日
DET025A/M Support Documentation
DET025A/M2 GHz 自由空間光用Siディテクタ、ウィンドウ付き、400~1100 nm、M4タップ(ミリ規格)
¥29,683
Today
DET025AL/M Support Documentation
DET025AL/M2 GHz 自由空間光用Siディテクタ、レンズ付き、400~1100 nm、M4タップ(ミリ規格)
¥29,683
Today

自由空間光用InGaAsディテクタ: 800~1700 nm

SMA Output on DET08C
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ディテクタDET08C(/M)にはSMA出力端子

自由空間光用高速ディテクタDET08C/MならびにDET08CL/Mは、800~1700 nmのスペクトル域用に設計されています。 ディテクタDET08C/Mの入射口にはARコーティング付きのフラットウィンドウが、またディテクタDET08CL/Mにはボールレンズが付いており、 光をディテクタに集光します。

このディテクタにはInGaAsディテクタ素子が使われています。帯域幅は5 GHzです。 取付け用M4タップ穴によってØ12 mm~Ø12.7 mm(Ø1/2インチ)ポストへの取り付けができます。

Item #WavelengthDetectorInputBandwidthMax Peak PowerBias
Voltage
Rise TimeFall Time
DET08C(/M)800 - 1700 nmInGaAsFlat, AR-Coated
Window
5 GHz100 mW12 V70 ps
(Typ.)
110 ps
(Typ.)
DET08CL(/M)Uncoated Ball Lens



+1 数量 資料 型番 - インチ規格 定価(税抜) 出荷予定日
DET08C Support Documentation
DET08C5 GHz 自由空間光用InGaAsディテクタ、ウィンドウ付き、800~1700 nm、#8-32タップ(インチ規格)
¥38,545
Today
DET08CL Support Documentation
DET08CL5 GHz 自由空間光用InGaAsディテクタ、レンズ付き、800~1700 nm、#8-32タップ(インチ規格)
¥38,545
Today
+1 数量 資料 型番 - ミリ規格 定価(税抜) 出荷予定日
DET08C/M Support Documentation
DET08C/M5 GHz 自由空間光用InGaAsディテクタ、ウィンドウ付き、800~1700 nm、M4タップ(ミリ規格)
¥38,545
Today
DET08CL/M Support Documentation
DET08CL/M5 GHz 自由空間光用InGaAsディテクタ、レンズ付き、800~1700 nm、M4タップ(ミリ規格)
¥38,545
Today

フォトディテクタ用バッテリ(交換用)

Exploded View of SBP12 Battery Pack
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バッテリーパックSBP12の分解図
  • A23: 現在販売中のDETフォトディテクタ用
  • SBP12: ファイバ入力ディテクタSV2-FCおよびSIR5-FC用(いずれも販売終了製品です)
  • T505: ディテクタDET1-SIおよびDET2-SI用(いずれも販売終了製品です)

交換用アルカリ電池A23およびT505
A23は当社が現在販売しているDETフォトディテクタの交換用アルカリ電池です。一方、T505は現在販売を中止しているDETフォトディテクタ用です。 バッテリ寿命が問題となる用途向けには、ACアダプタもご用意しています。詳細は下記をご参照ください。バッテリの期待寿命につきましては、上の「電池寿命」タブをご参照ください。

バッテリーパックSBP12
SBP12は、ファイバ入力フォトディテクタSV2-FCおよびSIR5-FC用の12 V交換用アルカリバッテリーパックです。このバッテリーパックは、元々使用されている20 Vのバッテリ(型番SBP20/既に販売終了)の代替製品です。当社の試験によると、12 Vバイアスバッテリは20 Vバイアスバッテリと同等の性能を有し、ディテクタの仕様範囲内にも収まっています。

右の写真のとおり、新設計のSBP12の筐体にはA23が内蔵されています。2013年10月以降にSV2-FCまたはSIR5-FCをご購入の場合、もしくはSBP12をご購入の場合は、この筐体をすでにお持ちですので、その場合は、A23だけをご購入ください。

2013年9月以前にSV2-FCまたはSIR5-FCをご購入の場合は、2つのピンを折り曲げてバッテリーパックSBP12を電気的に接続させる必要があります。この手順はこの製品の仕様書をご参照ください。仕様書はこちらからダウンロードいただけます。

+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
A23 Support Documentation
A23交換用アルカリ電池(12 V)、DETシリーズ用(DET1-SI&DET2-SIは除く)
¥694
Today
SBP12 Support Documentation
SBP12交換用バッテリーパック(12 V)、SV2-FCまたはSIR5-FC用
¥11,853
3-5 Days
T505 Support Documentation
T505交換用アルカリ電池(22.5 V)、DET1-SI & DET2-SI用
¥2,363
3-5 Days

DETシリーズ用電源アダプタ

DET2Bの取付け手順
  • DET2ADETシリーズディテクタ用の電源アダプタ
  • LDS12B:±12 VDCの電源
  • DET2B:DET2AとLDS12Bのセット

電源アダプタDET2A
DET2Aは、当社のDETシリーズディテクタ用の電源アダプタです。バッテリA23とバネ式のバッテリーキャップに代えて、電源LDS12B(別売り)をディテクタに接続して直接駆動することができます。また、カスタム接続用に電源ケーブルPDA-C-72と使用することもできます。DET2AとPDA-C-72を接続してDETシリーズディテクタに電源を供給する場合は、茶色(+12 V)および黒色(GND)のピンのみ使用します。

電源LDS12B
LDS12Bは±12 VDCの安定化電源で、短絡やオーバーロードに対する保護用の電流リミット機能、LED表示付きのOn/Offスイッチ、AC入力電圧の切り替えスイッチ(100/120/230 VAC)が付いています。尚、電源LDS12Bには日本国内向けの電源ケーブルが付いています。

電源アダプターセットDET2B
電源アダプターセットDET2Bには電源アダプタDET2Aと電源LDS12Bが含まれています。こちらの電源アダプターセットは当社のDETシリーズのディテクタのバッテリの代わりにご使用可能です。ディテクタのバッテリとバネ式のバッテリーキャップを付属のアダプタDET2Aと交換し、電源LDS12Bの3ピンのプラグをアダプタに接続するだけでお使いいただけます。使用方法は、右の動画でご覧になれます。

+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
DET2A Support Documentation
DET2A電源アダプタ、DETシリーズ用
¥5,448
Today
LDS12B Support Documentation
LDS12B±12 VDC出力ACアダプタ、6W、100/120/230 VAC
¥11,079
Today
DET2B Support Documentation
DET2BDETシリーズ用電源アダプタ &ACアダプターセット
¥16,275
Today
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