Cバンド/LバンドSAF利得チップ


  • InP Gain Chip on Submount or Submount with Heatsink
  • Ultra-Low Reflectance at Angled Facet
  • Custom Coatings Available

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SAF1118C

Chip on Submount

SAF1126H

Chip on Submount
with Heatsink

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特長

  • 広い波長チューニングレンジ
  • 高出力
  • 角度付き端面により極めて低い反射率: 0.005% (典型値)
  • 狭線幅ファイバーブラッグ格子レーザ用の利得媒質
  • 外部共振器型広範囲波長可変半導体レーザ用の利得媒質

SAF利得チップでは、チップ端面に対して垂直入射とならないようにリッジ導波路を曲げることによりチップ端面の反射が軽減されるような幾何学的技術が採用されています。さらに、端面へのARコーティングの併用により、レーザ共振器における不要なフィードバックの発生が実質的に完全に抑えられています。その結果、ARコーティングされたファブリペロー(FP)利得チップの端面では、残留反射がレーザの安定性、出力やスペクトル品質を損なうことが多くあるので、外部共振器レーザ(ECL)、特にチューナブルECLに適用する際には、標準的な利得チップと比較してSAF利得チップの方が適しています。

当社のCバンドならびにLバンドSAF利得チップはそれぞれ2つの構成をご用意しております。CバンドのSAF1126CならびにLバンドのSAF1118Cはサブマウント付きです。CバンドのSAF1126HならびにLバンドのSAF1118Hは同じサブマウントにヒートシンクが付いており、カソードリードとアノードリードに接続しています。

SAF1126C C-Band SAF Gain Chip

Parameter*MinTypMax
Operating Current-300 mA350 mA
Operating Wavelength Range1528 nm-1568 nm
Threshold Current-60 mA75 mA
Output Power over Band40 mW60 mW-
Side-Mode Suppression Ratio-50 dB-
Angled Facet Reflectivity-0.005%0.01%
Normal Facet Reflectivity-10%-
Forward Voltage-1.3 V1.8 V
Chip Length-1.0 mm-
Waveguide Refractive Index-3.2-
Lateral Beam Exit Angle-19.5o-
Transverse Beam
Divergence (FWHM)
26o30o34o
Lateral Beam
Divergence (FWHM)
-16o-

*仕様はリトロウ型外部共振器構成、<5 dB CWの外部共振器損失、25 oCのチップ温度の条件に基づいています。

SAF1118C L-Band SAF Gain Chip

ParameterMinTypMax
Operating Current-300 mA350 mA
Operating Wavelength Range1568 nm-1608 nm
Threshold Current-60 mA75 mA
Output Power over Band40 mW60 mW-
Side-Mode Suppression Ratio-50 dB-
Angled Facet Reflectivity-0.005%0.01%
Normal Facet Reflectivity-10%-
Forward Voltage-1.3 V1.8 V
Chip Length-1.0 mm-
Waveguide Refractive Index-3.2-
Lateral Beam Exit Angle-19.5o-
Transverse Beam
Divergence (FWHM)
26o30o34o
Lateral Beam
Divergence (FWHM)
-16o-

*仕様はリトロウ型外部共振器構成、<5 dB CWの外部共振器損失、25 oCのチップ温度の条件に基づいています。

SAF1126 Performance

SAF1126C Power and Voltage Performance

SAF1118 Performance

SAF1118 Performance

SAF1118 and SAF1126 ASE Performance

SAF, Gain Chip
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SAF1126CとSAF1118Cのアノードピンとカソードピンの概略図
SAF, Gain Chip
Click to Enlarge

SAF1126HとSAF1118Hのアノードピンとカソードピンの概略図

Posted Comments:
Yang Zhang  (posted 2021-03-29 21:50:42.46)
Hi, I'm wondering is the chip index guiding? If it is, what is the height and width of the core region? I'd like to design a mode converter to optimize the coupling. Best, Yang
YLohia  (posted 2021-03-31 01:44:57.0)
Hello Yang, yes, this is index-guided (index of refraction given in the specs table). While we can't share the exact height and width of the waveguide (this information is proprietary), we can say that the mode size at the facet is roughly 1 um x 4 um.
Yoon-Soo Jang  (posted 2021-01-25 14:19:48.883)
Hi, I am Yoon-Soo JANG at KRISS working on distance standards group. I am interesting on your "SAF1126H" and is it possible to change reflectance from 10 % to 90 % (10 % transmission) ? Hope to have a great day. Sincerely, Yoon-Soo JANG
YLohia  (posted 2021-01-26 10:19:04.0)
Hello Yoon-Soo, thank you for contacting Thorlabs. Custom items can be requested by clicking on the "Request Quote" button above. We will contact you directly about this.
Haiyang Yu  (posted 2019-12-27 09:44:25.003)
请问这款芯片的线宽展宽因子估计是多少?
YLohia  (posted 2019-12-27 08:31:37.0)
Thank you for contacting Thorlabs. Our Tech Support team in China can be reached via email at techsupport-cn@thorlabs.com. We will reach out to you directly.

SAF利得チップ、Cバンド (λc=1550nm)

+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
SAF1126C Support Documentation
SAF1126CSAF利得チップオンサブマウント、Cバンド
¥89,751
5-8 Days
SAF1126H Support Documentation
SAF1126HSAF利得チップオンヒートシンク、Cバンド
¥89,751
5-8 Days

SAF利得チップ、Lバンド (λc=1590nm)

+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
SAF1118C Support Documentation
SAF1118CSAF利得チップオンサブマウント、Lバンド
¥89,751
5-8 Days
SAF1118H Support Documentation
SAF1118HSAF利得チップオンヒートシンク、Lバンド
¥89,751
5-8 Days