InGaAs増幅フォトディテクター、自由空間光用、組み込み用パッケージ


  • Wavelength Ranges From 800 - 1700 nm
  • Maximum Bandwidths up to 13 MHz
  • Detector on Printed Circuit Board for OEM Applications

PDAPC3

Switchable Gain
900 - 1700 nm
13 MHz Max Bandwidth

PDAPC4

Switchable Gain
800 - 1700 nm
11 MHz Max Bandwidth

Front

Back

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Please Wait
Item #Wavelength RangeBandwidthNEP
Switchable Gain
PDAPC4a800 - 1700 nmDC - 11 MHz1.95 - 61.0 pW/Hz1/2
PDAPC3a900 - 1700 nmDC - 13 MHz1.91 - 46.0 pW/Hz1/2
  • 8段階の利得を10 dBごとに切り替え可能です。帯域幅は利得に反比例します。

特長

  • 近赤外(NIR)用に2種類ご用意
    • PDAPC4:800~1700 nm
    • PDAPC3:900~1700 nm
  • 利得の切り替えが可能な低ノイズの増幅器
  • 50 Ω負荷抵抗
  • 自由空間光結合
  • ジャンパおよびMMCXコネクタにより出力部にアクセス可能

当社では近赤外光に感度がある自由空間光用インジウムガリウムヒ素(InGaAs)増幅フォトディテクタをご用意しております。これらの増幅フォトディテクタには、低ノイズのトランスインピーダンスアンプ(TIA)が内蔵されており、8段階の利得切り替え機能も付いています。利得の調整は基板上のヘッダーピンを介して行うか、または4つのDIPスイッチを使用して手動で行うことができます。これらのフォトディテクタは、50 Ω~Hi-Zの負荷を接続でき、プリント回路基板(PCB)背面にあるジャンパまたはMMCXコネクタを通じて出力できます。各ディテクタのPCBにはØ3.2 mmの貫通穴が4つ、30 mm間隔で開いており、当社の30 mmケージシステムまたはカスタム仕様の筐体やデバイスに取り付けられるようになっています。

電源
100、120、230 VACの入力電圧に対応する±12 Vのリニア電源は、別売りです(下記参照)。電圧供給用の電源に接続する前に、電源モジュールの電圧入力用スイッチが適切な電圧範囲に設定されていることをご確認ください。電源や製品本体の電源スイッチを入れる場合は、必ず電源を切って下さい。本体のスイッチを入れたまま、電源をつなぐことはお勧めできません。

Performance Specifications
Item #WavelengthBandwidthRise TimePeak ResponsivityNoise Equivalent Power (NEP)aActive AreaOperating
Temperature
Range
PDAPC4b800 - 1700 nmDC - 11 MHzcN/Ad1.04 A/W @ 1590 nm1.95 - 61.0 pW/Hz1/23.14 mm2 (Ø2.0 mm)10 to 40 °C
PDAPC3b900 - 1700 nmDC - 13 MHzcN/Ad1.05 A/W @ 1550 nm1.91 - 46.0 pW/Hz1/20.8 mm2 (Ø1.0 mm)10 to 40 °C
  • NEPはピーク感度波長で規定されています。利得切り替え型では利得設定によりNEPが変動するため、NEP仕様が範囲で示されています。
  • このディテクタの増幅器の出力には直列に50 Ωの終端抵抗が接続されており、これは負荷インピーダンスに応じた分圧回路を形成します(例えば50 Ωの負荷抵抗を用いた場合には信号を1:1に分けます)。
  • これらの増幅フォトディテクタの最大帯域幅です。帯域幅は利得によって変わります。詳細は下の利得切り替え型の表をご参照ください。
  • 立ち上がり時間は、選択した利得などによって変わります。光増幅器の利得を大きくすると、帯域幅が狭くなり、立ち上がり時間が長くなります。立ち上がり時間の計算については、フォトダイオードチュートリアルをご参照ください。各切り替えタイプフォトディテクタの帯域幅の仕様は下の表でご覧いただけます。
Gain Specifications
Item #Gain Step
(dB)
Gain
w/ Hi-Z Load
Gain
w/ 50 Ω Load
BandwidthNoise
(RMS)
NEPaOffset (±)Output Voltage
w/ Hi-Z Load
Output Voltage
w/ 50 Ω Load
PDAPC401.51 kV/A ± 2%0.75 kV/A ± 2%11 MHz286 µV61 pW/Hz1/28 mV (12 mV Max)0 - 10 V0 - 5 V
104.75 kV/A ± 2%2.38 kV/A ± 2%1.5 MHz201 µV5.7 pW/Hz1/2
2015 kV/A ± 2%7.5 kV/A ± 2%1 MHz236 µV2.93 pW/Hz1/2
3047.5 kV/A ± 2%23.8 kV/A ± 2%260 kHz234 µV2.19 pW/Hz1/2
40151 kV/A ± 2%75 kV/A ± 2%90 kHz240 µV1.95 pW/Hz1/2
50475 kV/A ± 2%238 kV/A ± 2%28 kHz260 µV2.24 pW/Hz1/2
601.5 MV/A ± 5%750 kV/A ± 5%9 kHz300 µV2.25 pW/Hz1/2
704.75 MV/A ± 5%2.38 MV/A ± 5%3 kHz396 µV2.28 pW/Hz1/2
PDAPC301.51 kV/A ± 2%0.75 kV/A ± 2%13 MHz264 µV46 pW/Hz1/28 mV (12 mV Max)0 - 10 V0 - 5 V
104.75 kV/A ± 2%2.38 kV/A ± 2%1.7 MHz190 µV3.7 pW/Hz1/2
2015 kV/A ± 2%7.5 kV/A ± 2%1.1 MHz208 µV2.15 pW/Hz1/2
3047.5 kV/A ± 2%23.8 kV/A ± 2%300 kHz212 µV1.95 pW/Hz1/2
40151 kV/A ± 2%75 kV/A ± 2%90 kHz220 µV1.91 pW/Hz1/2
50475 kV/A ± 2%238 kV/A ± 2%28 kHz235 µV2.17 pW/Hz1/2
601.5 MV/A ± 5%750 kV/A ± 5%9 kHz270 µV2.3 pW/Hz1/2
704.75 MV/A ± 5%2.38 MV/A ± 5%3 kHz361 µV2.24 pW/Hz1/2
  • NEP(ノイズ等価パワー)はピーク感度波長で規定されています。

J2ヘッダーピン

J2 Header
PinDescriptionPinDescription
1+12 VDC2GND
3GND4Output
5-12 VDC6No Connection
7A2a8A1a
9A0a10No Connection
  • ピン7、8、9:A0~A2は利得調節用の3つのデジタルピンを示します。

DIPスイッチ

SwitchFunction
1Enable
2A0
3A1
4A2

利得設定
(J2ピンまたはDIPスイッチで制御可能)

A2A1A0Gain
0000 dB
00110 dB
01020 dB
01130 dB
10040 dB
10150 dB
11060 dB
11170 dB

MMCX出力コネクタ
出力

SMC Male
0 to 5 V (50 Ω)
0 to 10 V (Hi-Z)

フォトダイオードのチュートリアル

動作原理

接合型フォトダイオードは、通常の信号ダイオードと似た動作をする部品ですが、接合半導体の空乏層が光を吸収すると、光電流を生成する性質があります。 フォトダイオードは、高速なリニアデバイスで、高量子効率を達成し、様々な異なる用途で利用することが可能です。

入射光の強度に応じた、出力電流レベルと受光感度を正確に把握することが必要とされます。 図1は、接合型フォトダイオードのモデル図で、基本的な部品が個別に図示されており、フォトダイオードの動作原理が説明されています。

 

Equation 1
Photodiode Circuit Diagram
図1: フォトダイオードの概略図

フォトダイオード関連用語

受光感度
フォトダイオードの受光感度は、規定の波長における、生成光電流 (IPD)と入射光パワー(P)の比であると定義できます:

Equation 2

動作モード(Photoconductive vs. Photovoltaic)
フォトダイオードは、Photoconductiveモード(逆バイアス) またはPhotovoltaicモード(ゼロバイアス)で動作できます。 モードの選択は、使用用途で求められる速度と、許容される暗電流(漏れ電流)の量で決まります。

Photoconductive
Photoconductiveモードでは、逆バイアスが印加されますが、これが当社のDETシリーズディテクタの基本です。 回路で測定できる電流量は、デバイスが曝される光の量に対応し、測定される出力電流は、入射される光パワーに対し直線的に比例します。 逆バイアスを印加すると、空乏層を広げて反応領域が広くなる一方で、接合静電容量が小さくなり、明瞭な線形応答が得られます。 このような動作条件下では、暗電流が大きくなりがちですが、フォトダイオードの種類によって、暗電流を低減することもできます。
(注: 当社のDETディテクタは逆バイアスで、順方向バイアスでは動作できません)

Photovoltaic
Photovoltaicモードでは、フォトダイオードはゼロバイアス状態です。 デバイスからの電流が制限され、電位が蓄積されていきます。 このモードでは光電池効果が引き出されますが、これが太陽電池の基本です。 光電池モードでは、暗電流量は最小限に抑制されます。

暗電流
フォトダイオードにバイアス電圧が付加されている時に流れる漏れ電流のこと。 Photoconductiveモードで使用する場合に暗電流の値は高くなりがちで、温度の影響で変動します。 暗電流は、温度が10°C上昇するたびに約2倍となり、シャント抵抗は6°C の上昇に伴い倍になります。 高いバイアスを付加すれば、接合静電容量は減少しますが、暗電流の量は増大してしまいます。

暗電流の量はフォトダイオードの材料や検出部の寸法によっても左右されます。ゲルマニウム製のデバイスでは暗電流は高くなり、それと比較するとシリコン製のデバイスは一般的には低い暗電流となります。下表では、いくつかのフォトダイオードに使用される材料の暗電流の量と共に、速度、感度とコストを比較しています。

MaterialDark CurrentSpeedSpectral RangeCost
Silicon (Si)LowHigh SpeedVisible to NIRLow
Germanium (Ge)HighLow SpeedNIRLow
Gallium Phosphide (GaP)LowHigh SpeedUV to VisibleModerate
Indium Gallium Arsenide (InGaAs)LowHigh SpeedNIRModerate
Indium Arsenide Antimonide (InAsSb)HighLow SpeedNIR to MIRHigh
Extended Range Indium Gallium Arsenide (InGaAs)HighHigh SpeedNIRHigh
Mercury Cadmium Telluride (MCT, HgCdTe)HighLow SpeedNIR to MIRHigh

接合静電容量
接合静電容量(Cj)は、フォトダイオードの帯域幅と応答特性に大きな影響を与えるので、フォトダイオードの重要な特性であると言えます。 ダイオード部分が大きいと、接合容量が大きくなり、電荷容量は大きくなります。 逆バイアスの用途では、接合部の空乏層が大きくなるので、接合静電容量が低減し、応答速度が速くなります。

帯域幅と応答性
負荷抵抗とフォトディテクタの接合静電容量により帯域幅が制限されます。 最善の周波数応答を得るには、50Ωの終端装置を50Ωの同軸ケーブルと併用します。 接合静電容量(Cj)と負荷抵抗値(RLOAD)を用いて、帯域幅(fBW)と立ち上がり時間応答(tr)の概算値が得られます:

Equation 3

 

ノイズ等価電力
ノイズ等価電力(NEP)とは、信号対雑音比が1であるときに生成されるRMS信号電圧の値です。NEPによって、ディテクタが低レベルの光を検知する能力を知ることができるので、この数値は便利です。一般には、NEPはディテクタの検出部の面積増加に伴って大きくなり、下記の数式で求めることができます:

Photoconductor NEP

この数式において、S/Nは信号対雑音比、Δf はノイズの帯域幅で、入射エネルギ単位はW/cm2となっています。詳細は、当社のホワイトペーパ「NEP – Noise Equivalent Power」をご参照ください。

終端抵抗
負荷抵抗は、オシロスコープでの測定を可能にするために、生成された光電流を電圧(VOUT)へ変換して用いられます:

Equation 4

フォトダイオードの種類によっては、負荷抵抗が応答速度に影響を与える場合があります。 最大帯域幅を得るには、50Ωの同軸ケーブルを使用して、ケーブルの反対側の終端部で50Ωの終端抵抗器の使用を推奨しています。 このようにすることで、ケーブルの特性インピーダンスとマッチングできて共鳴が最小化できます。 帯域幅が重要ではない特性の場合は、RLOADを増大させることで、所定の光レベルに対して電圧を増大させることができます。 終端部が不整合の場合、同軸ケーブルの長さが応答特性に対して大きな影響を与えます。したがってケーブルはできるだけ短くしておくことが推奨されます。

シャント抵抗
シャント抵抗は、ゼロバイアスフォトダイオード接合の抵抗を表します。 理想的なフォトダイオードでは、シャント抵抗は無限大となりますが、実際の数値はフォトダイオードの材料の種類によって、10Ωのレベルから数千MΩの範囲となる場合があります。 例えばInGaAsディテクタのシャント抵抗は、10MΩのレベルですが、GeディテクタはkΩのレベルです。 このことは、フォトダイオードの電流雑音に大きく影響を与える可能性があります。 しかしながらほとんどの用途では、このような高抵抗値の影響は小さく、無視できる程度です。

直列抵抗
直列抵抗は半導体材料の抵抗値で、この低い抵抗値は、通常は無視できる程度です。 直列抵抗は、フォトダイオードの接触端子とワイヤの接合部で発生し、主にゼロバイアスの条件下でのフォトダイオードの直線性の評価に用いられます。

一般的な動作回路

Reverse Biased DET Circuit
図2: 逆バイアス回路(DETシリーズディテクタ)

上図の回路はDETシリーズのディテクタをモデル化したものです。 ディテクタは、適用される入射光に対して線形の応答を生成するために逆バイアス状態になっています。 ここで生成された光電流の量は、入射光に依存し、負荷抵抗を出力端子に接続すると、波形をオシロスコープで確認することができます。 RCフィルタの機能は、出力に雑音を載せてしまう可能性のある供給電力からの高周波雑音のフィルタリングです。

Amplified Detector Circuit
図3: 増幅ディテクタ回路

高利得用途でアンプとともにフォトディテクタを使用できます。動作時には、PhotovoltaicまたはPhotoconductiveモードのいずれも選択可能です。この能動回路はいくつかの利点があります:

  • Photovoltaicモード:オペアンプで、点Aと点Bの電位が同じに維持されているので、フォトダイオードでは回路全体ではゼロボルトに保たれています。このことで暗電流は発生しなくなります。
  • Photoconductiveモード: フォトダイオードは逆バイアス状態であるので、接合静電容量を低下させながら帯域幅の状態を改善します。 ディテクタの利得は、フィードバック素子(Rf)に依存します。 ディテクタの帯域幅は、下記の数式で計算することができます:

Equation 5

GBPは利得帯域幅積であり、接合静電容量CDは増幅器静電容量と利得静電容量との和です。

チョッパ入力周波数の影響

光導電体は時定数以内では一定の応答となりますが、PbS、 PbSe、HgCdTe (MCT)、InAsSbなどのディテクタにおいては、1/fゆらぎ(チョッパ入力周波数が大きいほどゆらぎは小さくなる)を持つため、低い周波数の入力の場合は影響が大きくなります。

低いチョッパ入力周波数の場合は、ディテクタの受光感度は小さくなります。周波数応答や検出性能は下記の条件の場合において最大となります。

Photoconductor Chopper Equation

パルスレーザ:パワーとエネルギーの計算

パルスレーザからの放射光が、使用するデバイスや用途に適合するかどうかを判断する上で、レーザの製造元から提供されていないパラメータを参照しなければならない場合があります。このような場合、一般には入手可能な情報から必要なパラメータを算出することが可能です。次のような場合を含めて、必要な結果を得るには、ピークパルスパワー、平均パワー、パルスエネルギ、その他の関連するパラメータを必要とすることがあります。

  • 生物試料を損傷させないように保護する
  • フォトディテクタなどのセンサにダメージを与えることなくパルスレーザ光を測定する
  • 物質内で蛍光や非線形効果を得るために励起を行う

パルスレーザ光のパラメータは下の図1および表に示します。参照用として、計算式の一覧を以下に示します。資料を ダウンロードしていただくと、これらの計算式のほかに、パルスレーザ光の概要、異なるパラメータ間の関係性、および計算式の適用例がご覧いただけます。

 

計算式

周期と繰り返し周波数は逆数の関係:   and 
平均パワーから算出するパルスエネルギ:      
パルスエネルギーから算出する平均パワー:       
パルスエネルギーから概算するピークパルスパワー:           

平均パワーから算出するピークパワー、ピークパワーから算出する平均パワー :
 and
平均パワーおよびデューティーサイクルから算出するピークパワー*:
*デューティーサイクル() はレーザのパルス光が放射されている時間の割合です。
Pulsed Laser Emission Parameters
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図1: パルスレーザ光の特性を記述するためのパラメータを、上のグラフと下の表に示します。パルスエネルギ (E)は、パルス曲線の下側の黄色の領域の面積に対応します。このパルスエネルギは斜線で表された領域の面積とも一致します。

パラメータシンボル単位説明
パルスエネルギEジュール[J]レーザの1周期中に放射される1パルスの全放射エネルギ。
パルスエネルギはグラフの黄色の領域の面積に等しく、
これは斜線部分の面積とも一致します。
周期Δt 秒 [s] 1つのパルスの開始から次のパルスの開始までの時間
平均パワーPavgワット[W]パルスとして放射されたエネルギが、1周期にわたって
均一に広がっていたと仮定したときの、
光パワーの大きさ(光パワー軸上の高さ)
瞬時パワーPワット[W]特定の時点における光パワー
ピークパワーPpeakワット [W]レーザから出力される最大の瞬時パワー
パルス幅秒 [s]パルスの開始から終了までの時間。一般的にはパルス形状の
半値全幅(FWHM)を基準にしています。
パルス持続時間とも呼ばれます。
繰り返し周波数 frepヘルツ [Hz]パルス光が放射される頻度を周波数で表示した量。
周期とは逆数の関係です。

計算例

下記のパルスレーザ光を測定するのに、最大入力ピークパワーが75 mW 
のディテクタを使用するのは安全かどうかを計算してみます。

  • 平均パワー: 1 mW
  • 繰り返し周波数: 85 MHz
  • パルス幅: 10 fs

1パルスあたりのエネルギは、

と低いようですが、ピークパワーは、

となります。このピークパワーはディテクタの
最大入力ピークパワーよりも5桁ほど大きく、
従って、上記のパルスレーザ光を測定するのに
このディテクタを使用するのは安全ではありません


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下表は、当社のフォトダイオードおよびフォトコンダクタなどフォトディテクタの一覧です。 同一の列に記載されている型番の検出素子は同じです。

Photodetector Cross Reference
WavelengthMaterialUnmounted
Photodiode
Mounted
Photodiode
Biased
Detector
Amplified
Detector
Amplified Detector,
OEM Package
150 - 550 nmGaP-SM05PD7ADET25K2PDA25K2-
200 - 1100 nmSiFDS010SM05PD2A
SM05PD2B
DET10A2PDA10A2-
Si-SM1PD2A---
320 - 1000 nmSi---PDA8A2-
320 - 1100 nmSiFD11ASM05PD3APDF10A2-
Si- a-DET100A2 aPDA100A2 aPDAPC2 a
340 - 1100 nmSiFDS10X10----
350 - 1100 nmSiFDS100
FDS100-CAL b
SM05PD1A
SM05PD1B
DET36A2PDA36A2PDAPC1
SiFDS1010
FDS1010-CAL b
SM1PD1A
SM1PD1B
---
400 - 1000 nmSi---PDA015A(/M)
FPD310-FS-VIS
FPD310-FC-VIS
FPD510-FC-VIS
FPD510-FS-VIS
FPD610-FC-VIS
FPD610-FS-VIS
-
400 - 1100 nmSiFDS015 c----
SiFDS025 c
FDS02 d
-DET02AFC(/M)
DET025AFC(/M)
DET025A(/M)
DET025AL(/M)
--
400 - 1700 nmSi & InGaAsDSD2----
500 - 1700 nmInGaAs--DET10N2--
750 - 1650 nmInGaAs---PDA8GS-
800 - 1700 nmInGaAsFGA015--PDA015C(/M)-
InGaAsFGA21
FGA21-CAL b
SM05PD5ADET20C2PDA20C2
PDA20CS2
-
InGaAsFGA01 c
FGA01FC d
-DET01CFC(/M)--
InGaAsFDGA05 c--PDA05CF2-
InGaAs--DET08CFC(/M)
DET08C(/M)
DET08CL(/M)
PDF10C/M-
800 - 1800 nmGeFDG03
FDG03-CAL b
SM05PD6ADET30B2PDA30B2-
GeFDG50-DET50B2PDA50B2-
GeFDG05----
900 - 1700 nmInGaAsFGA10SM05PD4ADET10C2PDA10CS2-
900 - 2600 nmInGaAsFD05D-DET05D2--
FD10D-DET10D2PDA10D2-
950 - 1650 nmInGaAs---FPD310-FC-NIR
FPD310-FS-NIR
FPD510-FC-NIR
FPD510-FS-NIR
FPD610-FC-NIR
FPD610-FS-NIR
-
1.0 - 5.8 µmInAsSb---PDA10PT(-EC)-
2.0 - 5.4 µmHgCdTe (MCT)---PDA10JT-EC-
2.0 - 8.0 µmHgCdTe (MCT)VML8T0
VML8T4 e
--PDAVJ8-
2.0 - 10.6 µmHgCdTe (MCT)VML10T0
VML10T4 e
--PDAVJ10-
2.7 - 5.0 µmHgCdTe (MCT)VL5T0--PDAVJ5-
2.7 - 5.3 µmInAsSb---PDA07P2-
  • こちらのディテクタに内蔵されているフォトダイオード(PD)のみを電子回路基板なしでの購入をご検討の場合は、当社までお問い合わせください。
  • 校正済みマウント無しフォトダイオード 
  • マウント無しTO-46 Can型フォトダイオード
  • マウント無しTO-46 Can型フォトダイオード、 FC/PCバルクヘッド付き
  • TEC付き光起電力型ディテクタ

InGaAs増幅フォトディテクタ、自由空間光用、組み込み用パッケージ

Item #aPackage
Featuresb
Wavelength
Range
Bandwidth
Rangec
GainNEPdTypical
Performance
Graphs
Active Area
(Click Link for Image)
Operating
Temperature
Range
Hi-Z Load50 Ω Load
PDAPC4e800 - 1700 nmDC - 11 MHz1.51 kV/A - 4.75 MV/A0.75 kV/A - 2.38 MV/A1.95 - 61.0 pW/Hz1/2info3.14 mm2
(Ø2.0 mm)
10 to 40 °C
PDAPC3f900 - 1700 nmDC - 13 MHz1.51 kV/A - 4.75 MV/A0.75 kV/A - 2.38 MV/A1.91 - 46.0 pW/Hz1/2info0.8 mm2
(Ø1.0 mm)
10 to 40 °C
  • 型番のリンクをクリックすると製品の写真がご覧いただけます。
  • 詳細は図をクリックしてください。
  • 8段階の利得を10 dBごとに切り替え可能です。帯域幅は利得に反比例します。
  • NEPはピーク感度波長で規定されています。利得切り替え型では利得設定によりNEPが変動するため、NEP仕様が範囲で示されています。
  • コネクタ付きの筐体に収納されたパッケージ(型番PDA20CS2)としてもご用意しています。
  • コネクタ付きの筐体に収納されたパッケージ(型番PDA10CS2)としてもご用意しています。
+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
PDAPC4 Support Documentation
PDAPC4InGaAsディテクタ、利得切り替え、組み込み用回路基板タイプ、800~1700 nm、11 MHz、3.14 mm2
¥36,660
Lead Time
PDAPC3 Support Documentation
PDAPC3InGaAsディテクタ、利得切り替え、組み込み用回路基板タイプ、900~1700 nm、13 MHz、0.8 mm2
¥24,115
5-8 Days

電源とケーブルのセット、PDAPCシリーズフォトディテクタ用

LD3000R SmartPack Packaging
Click to Enlarge

付属ケーブルのピン配列
Pin #Assignment
1+12 V
2GND
3-12 V
  • PDAPCシリーズフォトディテクタ用の電源(型番LDS12B)とケーブルのセット
  • 付属の3ピンケーブルはディテクタボード上のJ2ジャンパとの接続用
  • 出力:±12 VDC
  • AC入力電圧は切り替え可能(100/120/230 V)

LD1255用電源セットには、電源LDS12Bと、PDAPCシリーズフォトディテクタ(上記参照)に接続するためのケーブルが含まれています。電源筐体のスイッチによりAC入力電圧を100 V、120 V、230 Vから選択できます。付属のケーブルを用いて電源からフォトディテクタに±12 VDCを供給することができます。このケーブルは単体でのご注文も可能ですので、その際は当社までご連絡ください。

+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
LD1255-SUPPLY Support Documentation
LD1255-SUPPLY電源LDS12Bとケーブルのセット、ドライバLD1255RとPDAPCシリーズフォトディテクタ用
¥16,112
5-8 Days

同軸ケーブル、MMCXコネクタ付き

  • PDAPCシリーズフォトディテクタの出力用ケーブル(オプション)
  • MMCXオスとBNCまたはSMAオスコネクタ付き
  • 周波数範囲:DC~6 GHz
  • インピーダンス:50 Ω
  • 最大動作電圧:170 V

こちらのケーブルは、上記のフォトディテクタのMMCX出力をBNCまたはSMAオスコネクタに変換します。ケーブルCA3339(長さ1 m)およびCA3272(長さ1.8 m)にはBNCオスコネクタ、CA3439(長さ1 m)にはSMAオスコネクタが付いています。

+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
CA3339 Support Documentation
CA3339RG-174同軸ケーブル、MMCXオス-BNCオス、1 m
¥3,185
Today
CA3272 Support Documentation
CA3272RG-174同軸ケーブル、MMCXオス-BNCオス、1.8 m
¥3,770
5-8 Days
CA3439 Support Documentation
CA3439RG-174同軸ケーブル、MMCXオス-SMAオス、1 m
¥3,640
Today