半導体光増幅器、Eバンド(1410 nm)、偏光依存型(BOA)
- Polarization-Dependent Booster Optical Amplifiers (BOAs)
- SM or PM Fiber-Pigtailed Butterfly Package
- 1410 nm ASE Center Wavelength
BOA1410P
BOA with PM Fiber and FC/APC Connectors, Close-up of Butterfly Package Shown
BOA1410S
BOA with SM Fiber and FC/APC Connectors
FC/APC Connectors
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Optical Amplifier Selection Guide |
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780 - 795 nm BOAs |
830 nm BOAs |
930 nm BOAs |
980 nm BOAs |
1050 nm BOAs |
1210 nm BOAs |
1250 nm BOAs |
O-Band (1285 - 1350 nm) BOAs |
E-Band (1410 nm) BOAs |
C-Band (1550 nm) BOAs and SOAs |
L-Band (1590 - 1625 nm) BOAs |
1685 nm BOAs |
用途例
- 変調
- 広帯域可変レーザの増幅
- Eバンド(1410 nm)の光プリアンプ
- 偏光信号の増幅
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電流がリッジ導波路に印加されると、励起状態の電子が入射光の刺激を受けます。これにより光子が複製され、信号利得が得られます。
特長
- 偏光依存型:1つの偏光状態のみを増幅
- FC/APCコネクタ付きの1.5 m長のシングルモードまたは偏波保持ファイバーピグテール出力
- 信号利得:28 dB(典型値)
- 最大飽和出力:16 dBm(典型値)
- 3 dB帯域幅: 95 nm (典型値)
半導体光増幅器は、シングルパスの進行波増幅器で、単色信号あるいは多波長信号の両方において性能を発揮します。偏光依存型半導体光増幅器(BOA)は1つの偏光状態のみを増幅するので、入力光の偏光状態が分かっている条件での使用に適しています。こちらの半導体光増幅器は高効率のInP量子井戸(QW)構造で、Eバンド(1410 nm)帯域の偏光信号を増幅できるように設計されており、広帯域可変レーザ内部の利得媒質としてもお使いいただけます。
右の概略図でもご覧いただけるように、増幅器の入出力光は、光増幅器のチップ上にある導波路の活性層に結合されています。このデバイスは標準品の14ピンバタフライ型パッケージに内蔵されており、シングルモードファイバまたは偏波保持ファイバーピグテール付き(FC/APCコネクタ)となります。BOA1410Pにはコネクターキーがスロー軸にアライメントされた偏波保持ファイバが使用されています。また、BOA1410Sには偏波保持特性のないファイバが使用されています。内蔵の熱電冷却(TEC)素子とサーミスタがこれらの半導体光増幅器の温度を制御し、利得とスペクトルを安定させます。
当社の半導体光増幅器の構造や動作パラメータについての詳細は「BOAとSOAの比較」のタブをご覧ください。
推奨ドライバ
これらの増幅器の制御には、バタフライ型LD/TECコントローラCLD1015のご使用をお勧めいたします。LD/TECコントローラとマウントが一体化した構成で、タッチパネルを介したPC制御が可能です。こちらの増幅器をコントローラCLD1015で駆動する際は、タイプ1のピン配列の向きでご使用ください。
ASEの中心波長について
光増幅器などの広帯域半導体デバイスにおける自然放射光増幅(ASE)スペクトルの中心波長(CW)は、ロット毎にバラつきがある可能性があります。各モデルの中心波長の公差については、下の青いアイコン()をご参照ください。特定のASE中心波長が重要になる用途でお使いの場合、現在ご提供可能なロットでの中心波長については、当社までお問い合わせください。
半導体光増幅器(BOAおよびSOA)は、シングルパスの進行波増幅器で、単色信号あるいは多波長信号の両方において性能を発揮します。偏光依存型半導体光増幅器(BOA)は1つの偏光状態のみを増幅するので、入力光の偏光状態が分かっている条件での使用に適しています。これに対して入力信号の偏光状態が不明の場合や変動する用途では、偏光無依存型半導体光増幅器(SOA)が必要となります。しかしながら利得、雑音、バンド幅や飽和出力強度の仕様は、偏光依存型(BOA)の方が偏光無依存型(SOA)と比較して優れています。これは偏光無依存型(SOA)では偏光無依存の特性を付与している設計により上記特性が犠牲になっているためです。
半導体光増幅器はファブリペローレーザと似た設計ですが、相違しているのは、ファブリペローレーザでは、半導体チップの両端面に反射コーティングが施されている点です。両端の反射面からの戻り光が共振器として機能し、レーザ発振が生じます。半導体光増幅器では、半導体チップの両端面に反射防止(AR)コーティングが施されています。これによりチップに戻る光は制限されるので、レーザ発振は生じません。
全ての増幅器に共通する典型的な特性ですが、半導体光増幅器にも2つの動作領域があります。1つは線形でフラットな一定利得の領域で、もう1つは非線形で出力が飽和する領域です。変調信号を増幅するのに使用されるのは一般に線形領域で、そこではパターン効果、マルチチャンネルクロストーク、エルビウムドープファイバ増幅器(EDFA)でも見られる過度応答といった問題が発生しません。非線形領域は、半導体利得媒質の高非線形性(相互利得変調や相互位相変調)を活かして、波長変換、光3R再生、ヘッダ認識、その他の高速光信号処理などに利用されます。
CW入力信号では、増幅器が生成できるパワーの合計は飽和出力(Psat)のパラメータで決定されます。Psatは、小信号利得が3 dB低くなる出力で定義されます。一般的に出力可能な最大のCWパワーは、飽和出力よりもおよそ3 dB高くなります。
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