SAF利得チップ、中心波長1220 nm

  • InP Gain Chip on Submount or Submount with Heatsink
  • Ultra-Low Reflectance at Angled Facet
  • Custom Coatings Available

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Chip on Submount


Chip on Submount
with Heatsink

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Operating Current-300 mA500 mA
Center Wavelength1190 nm1220 nm1250 nm
ASE Power @ IOP0.5 mW1.0 mW-
Peak Gain @ IOP-20 dB-
Optical Bandwidth60 nm80 nm-
Gain Ripple (rms) @ IOP
Res. BW = 0.1 nm
-0.35 dB1 dB
Angled Facet Reflectivity-0.005%0.01%
Normal Facet Reflectivity-10%-
Forward Voltage-1.4 V1.8 V
Chip Length-1.0 mm-
Waveguide Refractive Index-3.2-
Lateral Beam Exit Angle-26.5°-
Transverse Beam
Divergence (FWHM)
Lateral Beam
Divergence (FWHM)


  • 広い波長チューニングレンジ
  • 高出力
  • 角度付き端面により極めて低い反射率: 0.005% (典型値)
  • 狭線幅ファイバーブラッグ格子レーザ用の利得媒質
  • 広い波長チューニング可能な外部共振型半導体レーザ用の利得媒質

SAF利得チップでは、チップ端面に対して垂直入射とならないようにリッジ導波路を曲げることによりチップ端面の反射が軽減されるような幾何学的技術が採用されています。さらに、端面へのARコーティングの併用により、レーザ共振器における不要なフィードバックを発生させる後方反射を実質的に取り除きます。その結果、ARコーティングされたファブリペロー(FP)利得チップの端面では、残留反射がレーザの安定性、出力やスペクトル品質を損なうことが多くあるので、 外部共振器レーザ(ECL)、特に波長可変ECLに適用する際には、標準的な利得チップと比較してSAF利得チップの方が適しています。

当社の1220 nm SAF利得チップは、2つのタイプからお選びいただけます。SAF1145Cはサブマウント付きです。SAF1145Hは同じサブマウントにヒートシンクも付いたタイプで、カソードリードおよびアノードリードに接続しています。



Other SAF Gain Chips
1320 or 1550 nm Chip in Half Butterfly
1320 nm Chip on Submount or Heatsink
1450 nm Chip on Submount or Heatsink
1550 or 1590 nm Chip on Submount or Heatsink
1650 nm Chip on Submount or Heatsink


SAF1145 Performance in a Littman Metcalf Cavity


SAF, Gain Chip
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SAF1145C のアノードピンとカソードピンの概略図
SAF, Gain Chip
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SAF1145H のアノードピンとカソードピンの概略図

Posted Comments:
pinlong  (posted 2013-08-14 10:37:48.443)
Is SAF1145H has two pins output for connecting electrical driver?
jlow  (posted 2013-08-14 13:28:00.0)
Response from Jeremy at Thorlabs: The SAF1145H does have two leads for the anode and cathode. You can see the drawing for this at
+1 数量 資料 型番 - ユニバーサル規格 定価(税抜) 出荷予定日
SAF1145C Support Documentation
SAF1145CSAF利得チップ、サブマウント付き、CWL = 1220 nm
5-8 Days
SAF1145H Support Documentation
SAF1145HSAF利得チップ、サブマウント&ヒートシンク付き、CWL = 1220 nm
5-8 Days